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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF40R207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.53 EUR
4000+0.49 EUR
6000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 360A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 458 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 564A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 19799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+3.29 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.84 EUR
10000+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF40SC240ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1InfineonN-Channel 40 V 360A (Tc) 2.4W (Ta), 417W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.25 EUR
10+5.26 EUR
25+5.24 EUR
100+3.75 EUR
800+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 360A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 458 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 564A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.96 EUR
37+4 EUR
40+3.6 EUR
100+3.34 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1
Produktcode: 196216
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF40SC240ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 417W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 374 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104
Produktcode: 99473
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 5.5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/68
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.98 EUR
10+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
352+1.56 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 352 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.33 EUR
10+2.2 EUR
100+1.61 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.09 EUR
5000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
647+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 647 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 225204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
352+1.56 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.25 EUR
10000+1.09 EUR
100000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 352 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.83 EUR
57+1.27 EUR
66+1.09 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.01 EUR
71+2.05 EUR
100+1.47 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104S
Produktcode: 99474
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 40
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 5.5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/68
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.84 EUR
10+0.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 75A 140W 0,0055Ω IRF4104S TIRF4104s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 13156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+2.21 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.76 EUR
10000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF4104SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SPBFInternational RectifierТранзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 140Вт; D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 7598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+2.21 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.6 EUR
10+1.55 EUR
100+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104STRLPBFIR09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4105IR98+
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4105SIRTO-263
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4110IRTO-220 07+
auf Bestellung 5700 Stücke:
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IRF415AIOR
auf Bestellung 146 Stücke:
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IRF41N50IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
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IRF420Infineon / IRMOSFETs
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IRF420IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF420PBFInfineon / IRMOSFET
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IRF4243LDF2IOR2007
auf Bestellung 788 Stücke:
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IRF4243LDF2-10IOR2007
auf Bestellung 3266 Stücke:
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IRF4243LDF2-12IOR2007
auf Bestellung 396 Stücke:
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IRF4243LDF2-8IOR2007
auf Bestellung 1548 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF42N03LIR2002 TO-263
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF430International RectifierDescription: 500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 6153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
173+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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IRF430Infineon / IRMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF430International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF430PBFInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF431International RectifierDescription: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
164+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF431International Rectifier HiRel ProductsIRF431
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+2.67 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF431Infineon / IRMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF431International Rectifier HiRel ProductsIRF431
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF432International Rectifier HiRel ProductsIRF432
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF432International Rectifier HiRel ProductsIRF432
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF432International RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFETS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
156+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF432International Rectifier HiRel ProductsIRF432
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF433HARRISIRF433
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF433Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Power Dissipation (Max): 75W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF433International RectifierDescription: 4.0A, 450V, 2.0 OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4332PBFIR09+ TSSOP 20
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF440Infineon / IRMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF440International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF440PBFInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF440SCXInfineon TechnologiesInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF441International RectifierDescription: TRANS MOSFET N-CH 450V 8A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 125W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF441IR/MOT
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4410TRPBFIOR
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF442Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF442119UHARRISIRF442119U
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.48 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF442119UHarris CorporationDescription: 7A, 500V, 1.1OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
168+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4427IOR01+ SOP
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF443International RectifierDescription: MOSFET N-CH 450V 4A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4435IOR2000 SMD
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4435TRInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4435TRPBFInfineon / IRInfineon MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -11A, 13.5 mOhm, 75 nC Qg, SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4435TRPBFIOR
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF448International RectifierDescription: MOSFET N-CH 500V 7.9A TO204AE
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF450STMicroelectronicsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF450Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF450International RectifierTO-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF450
Produktcode: 23684
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3
Uds,V: 500
Idd,A: 12
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+7.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF450International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+33.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF450-R1Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFET MOSFET - POWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF450PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF453IR/MOT
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF453Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF453TRPBFIOR
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF460
Produktcode: 26642
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IC > IC AC/DC-Schaltregler
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF460IRF460 Транзисторы
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF460International Rectifier500V, 21A, TO-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF460APBF
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF460PBFIR10+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF460SCXInfineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF460SCXInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF46ER102KVishayRF Choke Wirewound 1mH 10% 1KHz 80Q-Factor 200mA 8Ohm DCR AXL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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