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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF40DM229International Rectifier HiRel ProductsIRF40DM229
auf Bestellung 2629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40DM229Infineon TechnologiesDescription: IRF40 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
auf Bestellung 3579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
170+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40DM229Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.15 EUR
100+4.46 EUR
250+3.94 EUR
500+3.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40DM229Infineon TechnologiesIRF40DM229 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 159A 6-Pin WDSON T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40DM229International RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
auf Bestellung 4396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
170+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H210Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 201A 8-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H210Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H210INFINEONDescription: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 201
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H210INFINEONDescription: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H210Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5406 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
403+1.62 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.3 EUR
10000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 403 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 35A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
403+1.62 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.3 EUR
10000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 403 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233ATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF40H233ATMA1 - IRF40H233 - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesIRF40H233XTMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; StrongIRFET™; unipolar; 40V; 32A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesIRF40H233XTMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-900
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
auf Bestellung 7734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
On-state resistance: 5.1mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.73 EUR
135+1.27 EUR
200+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207INFINEONDescription: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 1126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
140+1.67 EUR
211+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
915+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 915 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.63 EUR
10+6.26 EUR
25+6.24 EUR
100+4.46 EUR
800+3.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1InfineonN-Channel 40 V 360A (Tc) 2.4W (Ta), 417W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 360A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 458 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 564A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.9 EUR
37+4.76 EUR
40+4.28 EUR
100+3.97 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF40SC240ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 417W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 374 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1
Produktcode: 196216
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 360A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 458 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 564A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 19799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+3.92 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.38 EUR
10000+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40SC240ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF40SC240ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.09 EUR
41+5.69 EUR
100+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104
Produktcode: 99473
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3000/68
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.17 EUR
10+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 225204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
352+1.86 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.49 EUR
10000+1.3 EUR
100000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 352 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
80+2.93 EUR
109+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.58 EUR
71+2.44 EUR
100+1.75 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
352+1.86 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 352 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+2.62 EUR
100+1.92 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.3 EUR
5000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Gate charge: 68nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.18 EUR
57+1.51 EUR
66+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
647+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 647 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 75A 140W 0,0055Ω IRF4104S TIRF4104s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104S
Produktcode: 99474
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3000/68
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1 EUR
10+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 7598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+2.63 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SPBFInternational RectifierТранзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 140Вт; D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.84 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 13156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+2.63 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.09 EUR
10000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104SPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF4104SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.33 EUR
111+2.09 EUR
115+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4104STRLPBFIR09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4105IR98+
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4105SIRTO-263
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4110IRTO-220 07+
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF415AIOR
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF41N50IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF420IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF420Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF420PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4243LDF2IOR2007
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4243LDF2-10IOR2007
auf Bestellung 3266 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4243LDF2-12IOR2007
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4243LDF2-8IOR2007
auf Bestellung 1548 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF42N03LIR2002 TO-263
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF430International RectifierDescription: 500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 6153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
173+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF430Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF430International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF430PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF431Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF431International Rectifier HiRel ProductsIRF431
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF431International RectifierDescription: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
164+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF431International Rectifier HiRel ProductsIRF431
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+3.18 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF432International Rectifier HiRel ProductsIRF432
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF432International Rectifier HiRel ProductsIRF432
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF432International RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFETS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
156+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF432International Rectifier HiRel ProductsIRF432
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF433International RectifierDescription: 4.0A, 450V, 2.0 OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF433HARRISIRF433
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF433Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Power Dissipation (Max): 75W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4332PBFIR09+ TSSOP 20
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF440International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF440Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF440PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF440SCXInfineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF441International RectifierDescription: TRANS MOSFET N-CH 450V 8A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 125W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
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IRF441IR/MOT
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IRF4410TRPBFIOR
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IRF442Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
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