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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N3792Micro Crystal
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2N3792ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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2N3792MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N3792 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 150 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.34 EUR
22+10.84 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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2N3792Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 10A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3792ON09+
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3792CicorBipolar Transistors - BJT
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2N3792Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 10A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 5 W
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3792Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 10A 5W PNP Power BJT THT
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2N3792STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N3792 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 80V 10A TO-3
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tube
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2N3792 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Power SW
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2N3792 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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2N3792 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 7.0Vebo 10A 150W
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2N3794
Produktcode: 173156
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2N3795MOTCAN
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3796MOTCAN3
auf Bestellung 145 Stücke:
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2N3797MOTCAN
auf Bestellung 329 Stücke:
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2N3798MOTCAN
auf Bestellung 841 Stücke:
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2N3798AMOTCAN
auf Bestellung 657 Stücke:
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2N3799Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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2N3799Microchip TechnologyDescription: SMALL-SIGNAL BJT
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2N3799MOTOROLA
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3799 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N3799 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Low Noise Ampl
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.75 EUR
10+5.09 EUR
100+3.81 EUR
500+3.39 EUR
1000+2.98 EUR
2000+2.73 EUR
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2N3799 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 360mW
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2N3799AMOTOROLA
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3799A PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
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2N3799A TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 90Vcbo 90Vceo 5.0Vebo 4.0pF
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2N3799XWelwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS
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 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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2N3799XSemelab (TT electronics)Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 3-Pin TO-18
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2N379AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N380MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3800MOTOROLA
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3804S-RTK/PSKECSOT23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3806Central SemiconductorArray
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2N3806Central Semiconductor CorpDescription: TRANS 2PNP 60V 50MA TO-78-6
Supplier Device Package: TO-78-6
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 600mW
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Bulk
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2N3806MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3807MOTCAN
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3807Solid State Inc.Description: TRANS PNP DUAL TO78-6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Supplier Device Package: TO-78-6
Part Status: Active
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+20.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2N3808Solid State Inc.Description: TRANS PNP TO78-6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Supplier Device Package: TO-78-6
Part Status: Active
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+20.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2N3808MOT
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3809Central Semiconductor CorpDescription: TRANS 2PNP 60V 50MA TO-78-6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 600mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-78-6
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2N3809MOTOROLA
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3809AMOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N380AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N381MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3810Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.05A 600mW 6-Pin TO-78 Bag
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3810Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Dual Small-Signal BJT THT
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2N3810MICROSEMITO78/PNP DUAL TRANSISTORS 2N3810
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N3810Microchip TechnologyDescription: TRANS 2PNP 60V 50MA TO-78-6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Part Status: Active
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.35 EUR
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2N3810Central SemiconductorArray
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2N3810Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.05A 600mW 6-Pin TO-78 Bag
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 Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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2N3810SOLID STATEDescription: SOLID STATE - 2N3810 - Bipolares Transistor-Array, PNP, -60 V, -50 mA, 600 mW, 150 hFE, TO-78
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 150
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: TO-78
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -60
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: -50
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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2N3810/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
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2N3810AMOTOROLA
auf Bestellung 6210 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3810ACentral Semiconductor CorpDescription: TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-78-6
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 600mW
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Through Hole
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2N3810AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Dual Small-Signal BJT THT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3810A/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
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2N3810DCSMSemelab (TT electronics)Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 600mW 6-Pin CLLCC-2
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N3810DCSMSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N3810JANTXWECDescription: 2N3810JANTX
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2N3810LMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.05A 600mW 6-Pin TO-78 Bag
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3810LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Long-Lead Dual Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3810LMicrochip TechnologyDescription: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78
Supplier Device Package: TO-78-6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3810LMICROSEMITO78/PNP SILICON DUAL TRANSISTORS 2N3810
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3810L/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3810UMicrochip TechnologyDescription: TRANS 2PNP 60V 50MA TO-78-6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Part Status: Active
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2N3810UMICROSEMI(NONE)PNP DUAL TRANSISTORS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N3810UMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 50mA PNP Silicon Dual Transistor
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.56 EUR
10+66.2 EUR
25+65.4 EUR
100+63.99 EUR
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2N3810UMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.05A 600mW 6-Pin Case U Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3810U/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Dual Small-Signal BJT SQ SMT TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3810U/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3811MOTOROLA
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3811Solid State Inc.Description: TRANS PNP TO78-6
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-78-6
Produkt ist nicht verfügbar
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2N3811Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT PNP Dual Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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2N3811 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 60Vces 5.0Vebo 50mA 500mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2N3811AMOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3811ASolid State Inc.Description: PNP SILICON DUAL TO-78
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+20.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3811DCSMMOTOROLA
auf Bestellung 3458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3811LMicrosemiTrans GP BJT PNP 60V 0.05A 350mW 6-Pin TO-78
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+99.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3811LMicrosemi CorporationDescription: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78
Produkt ist nicht verfügbar
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2N3811UMicrosemi CorporationDescription: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78
Produkt ist nicht verfügbar
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2N3811UMICROSEMIPNP DUAL TRANSISTORS 2N3811
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N3819onsemiDescription: RF MOSFET JFET 25V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Current Rating (Amps): 100mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Voltage - Rated: 25 V
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2N3819
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3819Vishay / SiliconixJFETs N-CH -25V 10mA BULK
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2N3819
Produktcode: 26518
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FSTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V
Drain-Strom Idd, A: 0,025 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 8/ -
Bemerkung: 450 mHz
Montage: THT
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2N3819Central Semiconductor CorpDescription: RF MOSFET JFET 25V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: TO-92-3
Voltage - Rated: 25 V
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2N3819onsemiJFETs 25V 10mA
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2N3819NTE Electronics, Inc.N-Channel RF Amplifier transistor
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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2N3819 APM PBFREECentral SemiconductorJFETs 8V,10mA,360mW Through-Hole JFET N Channel
auf Bestellung 2206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.23 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.95 EUR
4000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3819 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 8V 10MA 360MW TH JFET N CHANNEL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 360 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 2 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N3819 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 8V 10MA 360MW TH JFET N CHANNEL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 360 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 2 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N3819 APM TIN/LEADCentral SemiconductorJFETs 8V,10mA,360mW Through-Hole JFET N Channel
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N3819 PB FREECentral SemiconductorTrans RF FET N-CH 25V Si 3-Pin TO-92 Box
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2N3819 PBFREECentral SemiconductorJFETs N-CH -25V 10mA BULK 25Vgs 360mW 8pF
auf Bestellung 7693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.14 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.87 EUR
10000+0.84 EUR
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2N3819 TIN/LEADCentral SemiconductorJFETs 8V,10mA,360mW Through-Hole JFET N Channel
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+2.53 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.18 EUR
2500+1 EUR
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2N3819 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 8V 10MA 360MW TH JFET N CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 360 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 2 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N3819 TRE PBFREECentral Semiconductor2N3819 TRE PBFREE
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2N3819 TRE PBFREECentral SemiconductorJFETs 8V,10mA,360mW Through-Hole JFET N Channel
auf Bestellung 2176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.23 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
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