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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4442DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 22A 3.5W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4442DY-E3SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 7,5mOhm; 15A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; SI4442DY TSI4442dy
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4442DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4442DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.84 EUR
5000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4442DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 22A 3.5W
auf Bestellung 2206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.33 EUR
10+5.7 EUR
100+4.65 EUR
500+4.08 EUR
1000+3.62 EUR
2500+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4442DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+0.51 EUR
340+0.49 EUR
346+0.46 EUR
352+0.44 EUR
357+0.42 EUR
363+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4442DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
340+0.51 EUR
346+0.49 EUR
352+0.48 EUR
357+0.45 EUR
363+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 340 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4442DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 6379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.84 EUR
10+4.91 EUR
100+3.97 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4442DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4442DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4442DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 22A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4442DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 22A 3.5W 4.5mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4442DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4446DYVishay SemiconductorMOSFET N-канал, Rds 40mOm, Vdss В 40, Id 3.9, Ptot, Вт 1.1,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4446DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4446DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4446DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4446DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4446DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4446DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4446DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 29868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.5 EUR
161+1.45 EUR
247+0.87 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SiliconixSI4447ADY-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC Мікросхеми електроживлення
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
7500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.24 EUR
95+0.9 EUR
161+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3SiliconixTrans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 29868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.5 EUR
161+1.45 EUR
247+0.87 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3SiliconixTrans MOSFET P-CH 40V 5.5A 8-Pin SOIC N SI4447ADY-T1-GE3 TSI4447ady
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
auf Bestellung 13520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
18+1.17 EUR
50+0.86 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
326+0.52 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447DY-T1-E3
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V
auf Bestellung 5340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.56 EUR
10+1.34 EUR
100+0.93 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 4930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
16+1.34 EUR
100+0.93 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.6 EUR
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SI4447DY-T1-E3Vishay BC ComponentsMOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
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2500+0.5 EUR
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SI4447DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO Мікросхеми електроживлення
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SI4447DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
16+1.33 EUR
100+0.93 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.48 EUR
10000+0.44 EUR
25000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4447DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V
auf Bestellung 3596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+1.18 EUR
100+0.86 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI4447DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4447DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.5A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -30A
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SI4447DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4448DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI4448DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI4448DY-T1-E3
Produktcode: 49681
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SI4448DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4448DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4450SI
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4450DYonsemi / FairchildMOSFETs SO8 PCH 60V
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SI4450DYVishay / SiliconixMOSFETs 60V 7.5A 2.5W
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SI4450DY-E3SIX
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4450DY-T1SI00+
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4450DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4450DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4450Y-T1
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4451DYVISHAY09+
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4451DY-E3VISHAY
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4451DY-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 4823 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4451DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4451DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 14A 3.0W 8.25mohm @ 4.5V
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SI4451DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4451DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4451DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4453DY
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4453DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4453DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4453DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4453DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4454SISOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4455VishayMOSFETs
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SI4455-B1A-FMSILICON LABSCategory: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: RF transceiver; 500kbps; 1.8÷3.6VDC; SPI; SMD; QFN20; 50nA
Case: QFN20
Mounting: SMD
Frequency: 283...690MHz
Transmitter output power: 13dBm
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
TX/RX buffer size: 64 B/64 B
Type of integrated circuit: RF transceiver
Data transfer rate: 500kbps
DC supply current: 30mA
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: AFC; AGC; CRC; RSSI
Quiescent current: 50nA
Kind of modulation: FSK; GFSK; OOK
Communictions protocol: ISM
Interface: SPI
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4455-B1A-FMSilicon Laboratories+13/-116 dBm Sub-GHz Transceiver
auf Bestellung 4410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.64 EUR
23+7.4 EUR
26+6.4 EUR
100+5.9 EUR
250+5.58 EUR
490+5.44 EUR
500+5.2 EUR
980+5.15 EUR
1000+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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SI4455-B1A-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 10mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-B1A-FMSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-B1A-FMSilicon Laboratories+13/-116 dBm Sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-B1A-FMSilicon LabsSI4455-B1A-FM SI4455
Anzahl je Verpackung: 91 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-B1A-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Modulation: FSK, GFSK, OOK
GPIO: 4
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Current - Transmitting: 18mA ~ 30mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Receiving: 10mA
Power - Output: 13dBm (Max)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx Only
Frequency: 283MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -116dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
Serial Interfaces: SPI
DigiKey Programmable: Not Verified
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-B1A-FMRSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4455-B1A-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/SI4455 EZRADIO TRANSCEIVER SI4455XXX
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-B1A-FMRSilicon Laboratories+13/-116 dBm Sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-B1A-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 10mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 7115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.12 EUR
10+7.88 EUR
25+7.45 EUR
100+6.87 EUR
250+6.52 EUR
500+6.27 EUR
1000+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-B1A-FMRSilicon Laboratories+13/-116 dBm Sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-AMSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-AMRSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.62 EUR
10+7.63 EUR
25+7.06 EUR
100+6.39 EUR
250+5.87 EUR
500+5.65 EUR
1000+5.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -115dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 10.9mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 19mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.12 EUR
10+7.88 EUR
25+7.45 EUR
100+6.87 EUR
490+6.27 EUR
980+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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