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SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4447DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
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14+1.55 EUR
16+1.33 EUR
100+0.93 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.65 EUR
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SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4447DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.5A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -30A
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SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
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5000+0.49 EUR
10000+0.45 EUR
25000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4447DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
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2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4447DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V
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3+1.37 EUR
10+1.18 EUR
100+0.86 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.56 EUR
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SI4447DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO Мікросхеми електроживлення
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SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4447DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
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2500+0.51 EUR
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SI4447DYT1E3VISHAY
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SI4448DY-T1-E3
Produktcode: 49681
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SI4448DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
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SI4448DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
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SI4448DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
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SI4448DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
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SI4450SI
auf Bestellung 1380 Stücke:
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SI4450DYonsemi / FairchildMOSFETs SO8 PCH 60V
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SI4450DYVishay / SiliconixMOSFETs 60V 7.5A 2.5W
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SI4450DY-E3SIX
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SI4450DY-T1SI00+
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SI4450DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI4450DYT1E3VISHAY
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SI4450Y-T1
auf Bestellung 780 Stücke:
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SI4451DYVISHAY09+
auf Bestellung 237 Stücke:
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SI4451DY-E3VISHAY
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4451DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
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SI4451DY-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 4823 Stücke:
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SI4451DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 14A 3.0W 8.25mohm @ 4.5V
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SI4451DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4451DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -14A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4451DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
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SI4453DY
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4453DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4453DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4453DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4453DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4454SISOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4455VishayMOSFETs
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SI4455-B1A-FMSilicon LabsSI4455-B1A-FM SI4455
Anzahl je Verpackung: 91 Stücke
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SI4455-B1A-FMSilicon Laboratories+13/-116 dBm Sub-GHz Transceiver
auf Bestellung 4410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.94 EUR
23+7.66 EUR
26+6.63 EUR
100+6.1 EUR
250+5.77 EUR
490+5.63 EUR
500+5.39 EUR
980+5.33 EUR
1000+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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SI4455-B1A-FMSILICON LABSCategory: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: RF transceiver; 500kbps; 1.8÷3.6VDC; SPI; SMD; QFN20; 50nA
Case: QFN20
Mounting: SMD
Frequency: 283...690MHz
Transmitter output power: 13dBm
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
TX/RX buffer size: 64 B/64 B
Type of integrated circuit: RF transceiver
Data transfer rate: 500kbps
DC supply current: 30mA
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: AFC; AGC; CRC; RSSI
Quiescent current: 50nA
Kind of modulation: FSK; GFSK; OOK
Communictions protocol: ISM
Interface: SPI
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SI4455-B1A-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 10mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
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SI4455-B1A-FMSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
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SI4455-B1A-FMSilicon Laboratories+13/-116 dBm Sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
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SI4455-B1A-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 10mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4455-B1A-FMRSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-B1A-FMRSilicon Laboratories+13/-116 dBm Sub-GHz Transceiver
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-B1A-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/SI4455 EZRADIO TRANSCEIVER SI4455XXX
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-B1A-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 10mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 7115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.12 EUR
10+7.88 EUR
25+7.45 EUR
100+6.87 EUR
250+6.52 EUR
500+6.27 EUR
1000+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-B1A-FMRSilicon Laboratories+13/-116 dBm Sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-AMSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-AMRSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -115dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 10.9mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 19mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.12 EUR
10+7.88 EUR
25+7.45 EUR
100+6.87 EUR
490+6.27 EUR
980+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.62 EUR
10+7.63 EUR
25+7.06 EUR
100+6.39 EUR
250+5.87 EUR
500+5.65 EUR
1000+5.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 10375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.72 EUR
47+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 10375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -115dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.9mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 19mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 93895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.12 EUR
10+7.88 EUR
25+7.45 EUR
100+6.87 EUR
250+6.52 EUR
500+6.27 EUR
1000+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
auf Bestellung 38006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10 EUR
10+8.16 EUR
25+6.58 EUR
100+5.97 EUR
500+5.49 EUR
1000+5.43 EUR
2500+5.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 7931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.71 EUR
100+3.56 EUR
250+3.4 EUR
500+3.25 EUR
1000+3.09 EUR
3000+3.08 EUR
6000+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -115dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.9mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 19mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 92500 Stücke:
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2500+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 7931 Stücke:
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45+3.94 EUR
100+3.84 EUR
250+3.74 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.59 EUR
3000+3.5 EUR
6000+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-ZM1Silicon LabsDescription: IC RF TXRX MCU ISM QFN QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
DigiKey Programmable: Not Verified
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-ZM1Silicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-116dBm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-ZM1RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX MCU ISM QFN QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-ZM1RSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-116dBm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.3A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 315mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -15A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-E3
auf Bestellung 35000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.68 EUR
59+3.95 EUR
100+2.52 EUR
500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.3A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 315mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.83 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.46 EUR
2500+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Si4456DY
Produktcode: 130933
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.68 EUR
108+1.63 EUR
110+1.57 EUR
112+1.51 EUR
250+1.46 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4456DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 33A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4456DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
auf Bestellung 1772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
10+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.68 EUR
108+1.59 EUR
110+1.51 EUR
112+1.43 EUR
250+1.34 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4456DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+4.11 EUR
100+2.93 EUR
500+2.49 EUR
2500+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4456DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.25 EUR
68+2.58 EUR
100+2.38 EUR
200+2.31 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.87 EUR
2000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 33A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4458DY-T1VISHAY
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADYSiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY-T1-GE3 TSI4459ady
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH