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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPAW60R180P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.46 EUR
135+1.25 EUR
149+1.09 EUR
540+0.96 EUR
1035+0.92 EUR
2025+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IPAW60R190CEInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
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IPAW60R190CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 600V 26.7A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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IPAW60R190CEXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAW60R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26.7 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPAW60R190CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
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1+4.76 EUR
10+4.27 EUR
100+4.19 EUR
450+3.44 EUR
900+3.27 EUR
5400+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R190CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 600V 26.7A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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IPAW60R190CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
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IPAW60R280CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
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IPAW60R280CEXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAW60R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.3 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 19.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CE
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R280CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 19.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.96 EUR
252+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R280CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R280CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+3.88 EUR
100+3.12 EUR
450+2.59 EUR
2700+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R280P7SE8228XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R280P7SE8228XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R280P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R280P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+2.51 EUR
100+2.05 EUR
250+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPAW60R280P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R280P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
327+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
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IPAW60R280P7SXKSA1
Produktcode: 188550
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPAW60R280P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R280P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R280P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R280P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAW60R280P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
93+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R360P7SE8228XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R360P7SE8228XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
390+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.32 EUR
100+1.52 EUR
450+1.21 EUR
900+1.07 EUR
2700+0.99 EUR
5400+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R380CEInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R380CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
468+1.39 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 468 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R380CEXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAW60R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R380CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.14 EUR
10+2.64 EUR
100+1.77 EUR
450+1.43 EUR
900+1.29 EUR
2700+1.2 EUR
5400+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R380CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
468+1.39 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 468 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R380CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R600CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.89 EUR
100+2.24 EUR
450+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R600CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R600P7SE8228XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R600P7SE8228XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R600P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPAW60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 21
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+2.15 EUR
100+1.67 EUR
450+1.37 EUR
900+1.02 EUR
2700+0.93 EUR
10350+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW60R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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IPAW70R600CEInfineon / IRInfineon CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW70R600CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW70R600CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+3.47 EUR
100+2.7 EUR
450+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW70R600CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
auf Bestellung 10825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
302+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
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IPAW70R950CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW70R950CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3-31
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAW70R950CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3-31
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
483+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 483 Stücke
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