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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 7931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.81 EUR
100+3.71 EUR
250+3.62 EUR
500+3.55 EUR
1000+3.47 EUR
3000+3.38 EUR
6000+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LabsRF Transceiver +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
auf Bestellung 38593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.67 EUR
10+7.85 EUR
25+7.22 EUR
100+6.53 EUR
250+6.18 EUR
500+5.97 EUR
1000+5.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Part Status: Active
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
DigiKey Programmable: Not Verified
Modulation: FSK, GFSK, OOK
GPIO: 4
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Current - Transmitting: 19mA ~ 24mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Receiving: 10.9mA
Power - Output: 13dBm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx Only
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -115dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 93895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.12 EUR
10+7.88 EUR
25+7.45 EUR
100+6.87 EUR
250+6.52 EUR
500+6.27 EUR
1000+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 10375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.57 EUR
47+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 10375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: FSK, GFSK, OOK
GPIO: 4
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Current - Transmitting: 19mA ~ 24mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Receiving: 10.9mA
Power - Output: 13dBm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx Only
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -115dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Serial Interfaces: SPI
auf Bestellung 92500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 7931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.58 EUR
100+3.44 EUR
250+3.28 EUR
500+3.14 EUR
1000+2.99 EUR
3000+2.98 EUR
6000+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-ZM1Silicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-116dBm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-ZM1Silicon LabsDescription: IC RF TXRX MCU ISM QFN QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-ZM1RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX MCU ISM QFN QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455-C2A-ZM1RSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-116dBm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-E3
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.3A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 315mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -15A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.68 EUR
59+3.95 EUR
100+2.52 EUR
500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -2.3A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 315mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.83 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.46 EUR
2500+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4455DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4456DY
Produktcode: 130933
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4456DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 33A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4456DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+4.11 EUR
100+2.93 EUR
500+2.49 EUR
2500+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.62 EUR
108+1.57 EUR
110+1.51 EUR
112+1.45 EUR
250+1.42 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4456DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4456DY-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.62 EUR
108+1.54 EUR
110+1.46 EUR
112+1.38 EUR
250+1.31 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.14 EUR
68+2.5 EUR
100+2.3 EUR
200+2.23 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4456DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
auf Bestellung 1772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
10+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 33A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4456DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4458DY-T1VISHAY
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-1-E3VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-E3VISHAYSOP8 09+
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SI4459ADY-T1-GE3SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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20+2.8 EUR
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SI4459ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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2500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4459ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
auf Bestellung 30490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.65 EUR
5000+1.55 EUR
7500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4459ADY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4459ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4459ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4459ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.75 EUR
63+2.69 EUR
100+2.44 EUR
200+2.06 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.76 EUR
2000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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SI4459ADY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 167 Stücke:
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1+5.24 EUR
10+3.37 EUR
100+2.31 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.78 EUR
2500+1.63 EUR
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SI4459ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4459ADY-T1-GE3
Produktcode: 184525
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SI4459ADY-T1-GE3SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SI4459ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8045 Stücke:
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43+5.84 EUR
60+3.9 EUR
100+2.7 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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SI4459ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
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2500+1.58 EUR
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SI4459ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4459ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
auf Bestellung 31952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.46 EUR
10+3.53 EUR
100+2.44 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI4459ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4459ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4459BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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SI4459BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4459BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4459BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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SI4459BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4459BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 27.8 A, 4900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.52 EUR
102+2.3 EUR
143+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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SI4459BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459BDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -27.8A; 5.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -27.8A
Power dissipation: 5.6W
Case: SO8
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -150A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4459BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 27.8 A, 4900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
102+2.3 EUR
143+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
auf Bestellung 4854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+2.36 EUR
50+1.77 EUR
100+1.58 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 16V Vgs SO-8
auf Bestellung 30695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+1.78 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI445DV-T1VISHAY03+
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460SMD-4
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B0B-FMSilicon LabsSI4460-B0B-FM SI4460
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B0B-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
GPIO: 4
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Current - Transmitting: 18mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Power - Output: 13dBm (Max)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx Only
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -126dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B0B-FMRSilicon LabsSI4460-B0B-FMR SI4460
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FDISilicon LabsRF Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FMSilicon Laboratories+13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Not For New Designs
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
GPIO: 4
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Current - Transmitting: 18mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Power - Output: 13dBm (Max)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx Only
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -126dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.47 EUR
10+9.07 EUR
25+8.58 EUR
100+7.91 EUR
490+7.24 EUR
980+6.96 EUR
1470+6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FMSilicon LabsRF Transceiver +13/-126 dBm sub-GHz transmitter
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.09 EUR
10+9.26 EUR
25+8.57 EUR
100+7.79 EUR
250+7.41 EUR
500+7.19 EUR
1000+7.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FMSilicon Laboratories+13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter
auf Bestellung 2001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.6 EUR
25+6.7 EUR
26+6.22 EUR
100+5.68 EUR
250+4.97 EUR
500+4.72 EUR
1000+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FMSiLabsTXRX ISM EZ RADIO PRO 20QFN Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FMSilicon Laboratories+13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FMSILICON LABSCategory: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: RF transceiver; 1Mbps; 1.8÷3.6VDC; SPI; SMD; QFN20; 50nA; 13dBm
Case: QFN20
Mounting: SMD
Frequency: 142...1050MHz
Transmitter output power: 13dBm
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
TX/RX buffer size: 64 B/64 B
Type of integrated circuit: RF transceiver
Data transfer rate: 1Mbps
DC supply current: 18mA
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: AFC; AGC; CRC; RSSI
Quiescent current: 50nA
Kind of modulation: FSK; GFSK; GMSK; MSK; OOK
Communictions protocol: IEEE 802.15.4 g; ISM
Interface: SPI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FMSilicon Laboratories+13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4460-B1B-FMSilicon LabsSI4460-B1B-FM SI4460
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FM RF Transceiver +13/-126 dBm
Produktcode: 177179
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1+6.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Not For New Designs
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
GPIO: 4
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Current - Transmitting: 18mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Power - Output: 13dBm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: TxRx Only
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -126dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 59389 Stücke:
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2+10.47 EUR
10+9.07 EUR
25+8.58 EUR
100+7.91 EUR
250+7.51 EUR
500+7.22 EUR
1000+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FMRSilicon Laboratories+13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter
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99+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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SI4460-B1B-FMRSilicon Laboratories+13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter
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2500+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
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2500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FMRSilicon LabsRF Transceiver +13/-126 dBm sub-GHz transmitter
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1+12.09 EUR
10+9.26 EUR
25+8.57 EUR
100+7.79 EUR
250+7.41 EUR
500+7.19 EUR
1000+7.12 EUR
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SI4460-B1B-FMRSilicon Laboratories+13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter
auf Bestellung 1500 Stücke:
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99+1.75 EUR
100+1.67 EUR
102+1.57 EUR
103+1.49 EUR
250+1.4 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/TRX SI4460
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-FMRSilicon Laboratories+13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4460-B1B-ZMSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-126dBm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4460-B1B-ZM0Silicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-126dBm
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