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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
STB85NF55LSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB85NF55LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB85NF55LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.91 EUR
10+3.19 EUR
100+2.22 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB85NF55LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.93 EUR
10+3.21 EUR
100+2.23 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB85NF55LT4
Produktcode: 131412
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Transistoren > MOSFET N-CH
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STB85NF55LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB85NF55LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB85NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB85NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB85NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.82 EUR
10+3.14 EUR
100+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB85NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB85NF55T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB85NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB85NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB85NS04ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB85NS04ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
stb88c166-5m
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8N50ET4
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8N50ET4onsemiDescription: NFET D2PAK SPCL 500V TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
170+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8N65M5STMicroelectronicsMOSFETs MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.61 EUR
10+3.66 EUR
100+2.55 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.16 EUR
10+3.37 EUR
100+2.35 EUR
500+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.54 EUR
10+4.12 EUR
100+2.9 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+4.14 EUR
100+2.94 EUR
500+2.66 EUR
1000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NA50ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NC50
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NC50-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NC50T4ST
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NC70ZST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NC70Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NF03L
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NM60ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NM60DSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NM60DSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.9Ohm 8A
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.68 EUR
10+3.33 EUR
100+2.68 EUR
500+2.2 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.69 EUR
5000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NM60DSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NM60T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 Volt 5 Amp
auf Bestellung 919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.95 EUR
10+3.19 EUR
100+2.62 EUR
500+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NM60T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB8NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB8NM60T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB8NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STB8NS25ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB90NF03ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB90NF03LSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB90NF03L-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB90NF03LT4
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB90NF3LLST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB95N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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STB95N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V 80 A DPAK
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STB95N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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STB95N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.28 EUR
10+3.84 EUR
100+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STB95N4F3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40V 5.0mOhm 80A STripFET III
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STB95N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
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STB95N4F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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STB95NF03ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB9NB50ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB9NB50
Produktcode: 102413
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
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STB9NB50-1
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB9NB50T4STMTO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB9NB60ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB9NB60-1STTO202-3
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB9NC60ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB9NC60-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB9NC60T4STTO-263
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB9NK50ZST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB9NK50Z-1
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB9NK50Z-1STMicroelectronicsMOSFETs
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STB9NK50ZFPSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB9NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.03 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB9NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.03 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB9NK50ZT4
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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STB9NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.52 EUR
10+2.25 EUR
100+1.53 EUR
500+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STB9NK50ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB9NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.72 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.03 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB9NK50ZT4STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 7,2 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25, Qg, нКл = 32 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 3.6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4
Produktcode: 2225
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 500
Idd,A: 07.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.72
Ciss, pF/Qg, nC: 910/32
JHGF: SMD
verfügbar: 68 St.
  • 12 St. - stock Köln
  • 56 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.7 EUR
10+0.57 EUR
100+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.03 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4STMN-кан. MOSFET 500v, 7.2A, 0.72 Ом, D2PAK, (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK60Z-1STMicroelectronicsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK60Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK60ZDST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK60ZDSTMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK60ZDT4STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK60ZDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK60ZFDST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK60ZFDT4STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK60ZFPST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.62 EUR
10+4.35 EUR
100+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK60ZT4
Produktcode: 108646
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STMicroelectronicsTransistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK60ZT4STTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 950mOhm; 7A; 125W; -55°C ~ 150°C; STB9NK60ZT4 STB9NK60Z TSTB9NK60Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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