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Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB65R190C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.9 EUR

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IPB65R190C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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29+	6.06 EUR
42+	4.11 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.13 EUR

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IPB65R190C7ATMA2

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.95 EUR
10+	4.57 EUR
100+	3.19 EUR
500+	2.62 EUR
1000+	2.43 EUR

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IPB65R190C7ATMA2

Description: INFINEON - IPB65R190C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 72W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.168ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 807 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.7 EUR
500+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB65R190C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.95 EUR
10+	4.55 EUR
100+	3.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPB65R190C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	5.13 EUR
50+	3.47 EUR
100+	3.33 EUR
500+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

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IPB65R190CFD

MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 1039-1043 Tag (e)

1+	7.96 EUR
10+	7.14 EUR
100+	5.87 EUR
500+	4.99 EUR
1000+	4.21 EUR

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IPB65R190CFD

Infineon

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB65R190CFD7AATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 919 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.69 EUR
10+	5.03 EUR
100+	3.55 EUR
500+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPB65R190CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R190CFD7AATMA1

Description: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 910 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	8.29 EUR
46+	5.06 EUR
100+	3.27 EUR
500+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

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IPB65R190CFD7AATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R190CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	5.64 EUR
50+	3.96 EUR
100+	3.81 EUR
200+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

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IPB65R190CFD7AATMA1

Infineon

MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3 Транзистори

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IPB65R190CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	5.38 EUR
44+	3.92 EUR
45+	3.8 EUR
50+	3.68 EUR
100+	2.87 EUR
250+	2.8 EUR
500+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

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IPB65R190CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1359 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

221+	2.95 EUR
500+	2.76 EUR
1000+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 221 Stücke

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IPB65R190CFD7AATMA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

auf Bestellung 812 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.66 EUR
10+	4.93 EUR
100+	3.53 EUR
500+	2.98 EUR
1000+	2.76 EUR

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IPB65R190CFD7AATMA1

Description: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 77W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 910 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.27 EUR
500+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB65R190CFD7AXTMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R190CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

auf Bestellung 753 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.82 EUR
10+	5.78 EUR
100+	4.32 EUR
500+	3.77 EUR
1000+	3.17 EUR
2000+	3.14 EUR

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IPB65R190CFDAATMA1

Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 112 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.31 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDAATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1036 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.4 EUR
10+	5.53 EUR
100+	3.9 EUR
500+	3.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	7.4 EUR
35+	4.9 EUR
50+	4.75 EUR
100+	3.32 EUR
250+	3.24 EUR
500+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDAATMA1

Description: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 112 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	10.27 EUR
37+	6.38 EUR
100+	4.31 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.67 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDAATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDAATMA1

MOSFETs N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

auf Bestellung 775 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.4 EUR
10+	5.53 EUR
100+	3.92 EUR
500+	3.36 EUR
1000+	3.14 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 167000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	6.68 EUR
50+	4.9 EUR
100+	4.3 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDAATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 171mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 19000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	4 EUR
10000+	3.62 EUR
15000+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDATMA1

MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDATMA1

Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm

auf Bestellung 1775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.51 EUR
500+	2.73 EUR
1000+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R190CFDATMA1

Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm

auf Bestellung 1775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	8.02 EUR
48+	4.88 EUR
100+	3.51 EUR
500+	2.73 EUR
1000+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

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IPB65R190CFDATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB65R190CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 150793 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

173+	3.78 EUR
500+	3.53 EUR
1000+	3.27 EUR
10000+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 173 Stücke

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IPB65R190CFDATMA2

Infineon

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB65R190CFDATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R190CFDATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R190CFDATMA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

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IPB65R190CFDATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

auf Bestellung 573 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.41 EUR
10+	4.86 EUR
100+	3.4 EUR
500+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPB65R225C7

MOSFET N-Ch 700V 41A D2PAK-2

auf Bestellung 1004 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPB65R225C7ATMA1

MOSFET N-Ch 700V 41A D2PAK-2

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R225C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R225C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R225C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V

auf Bestellung 868 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.01 EUR
10+	3.92 EUR
100+	2.73 EUR
500+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R225C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R230CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.2 EUR
12000+	2.89 EUR
18000+	2.65 EUR
24000+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R230CFD7AATMA1

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 748 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.31 EUR
10+	4.11 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPB65R230CFD7AATMA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

auf Bestellung 164 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.89 EUR
10+	4.52 EUR
100+	3.17 EUR
500+	2.57 EUR
1000+	2.4 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R230CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R230CFD7AATMA1

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R280C6

MOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS C6

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R280C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R280C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R280E6

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R280E6

MOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS E6

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R280E6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R280E6ATMA1

MOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R280E6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R310CFD

MOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 4895 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.32 EUR
10+	3.44 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	1.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R310CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.24 EUR
10+	4.06 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.12 EUR
2000+	2.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R310CFDAATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)

auf Bestellung 2393 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.63 EUR
10+	4.01 EUR
100+	2.82 EUR
500+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R310CFDAATMA1

MOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

auf Bestellung 2513 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.2 EUR
10+	4.05 EUR
100+	2.81 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.09 EUR
2000+	2.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R310CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R310CFDAATMA1

Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 385 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R310CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.66 EUR
49+	3.51 EUR
50+	3.31 EUR
100+	2.37 EUR
250+	2.31 EUR
500+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R310CFDAATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

auf Bestellung 1000 Stücke:

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IPB65R310CFDAATMA1

Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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IPB65R310CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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IPB65R310CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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198+	0.76 EUR
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IPB65R310CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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IPB65R310CFDATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

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IPB65R310CFDATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.4A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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IPB65R310CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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188+	0.93 EUR
191+	0.89 EUR
194+	0.87 EUR
198+	0.83 EUR
250+	0.81 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.75 EUR

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IPB65R310CFDATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

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IPB65R310CFDATMA1

MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2 CoolMOS CFD2

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IPB65R310CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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239+	2.74 EUR
500+	2.57 EUR
1000+	2.37 EUR
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IPB65R310CFDATMA2

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

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IPB65R310CFDATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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IPB65R310CFDATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263-3
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active

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100+	2.5 EUR
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IPB65R310CFDATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V

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IPB65R380C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk

auf Bestellung 3263 Stücke:

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325+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 325 Stücke

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IPB65R380C6

MOSFET N-Ch 700V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6

auf Bestellung 265 Stücke:

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IPB65R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 11540 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

278+	2.34 EUR
500+	2.08 EUR
1000+	1.88 EUR
10000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 278 Stücke

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IPB65R380C6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB65R380C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)

auf Bestellung 14860 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

222+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 222 Stücke

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IPB65R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3263 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

278+	2.34 EUR
500+	2.08 EUR
1000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 278 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R380C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R420CFD

MOSFETs N-Ch 650V 8.7A D2PAK-2 CoolMOS CFD2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R420CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1666 Stücke:

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402+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 402 Stücke

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IPB65R420CFDATMA1

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB65R420CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1951 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

317+	2.06 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 317 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R420CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

317+	2.06 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 317 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R420CFDATMA1