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Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1148 Stücke:

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124+	5.2 EUR
500+	4.87 EUR
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IPB60R099C7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC

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IPB60R099C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

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IPB60R099CP

MOSFETs N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

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1+	14.74 EUR
10+	10.39 EUR
100+	8.43 EUR
500+	7.47 EUR
1000+	6.68 EUR
2000+	6.66 EUR

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IPB60R099CPA

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

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10+	17.4 EUR
25+	16.36 EUR
50+	15.36 EUR
100+	14.49 EUR
250+	13.83 EUR
500+	13.24 EUR
1000+	12.61 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPB60R099CPA

Infineon

IPB60R099CPA MOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA Транзистори

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IPB60R099CPA

MOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

auf Bestellung 2196 Stücke:

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1+	16.28 EUR
10+	11.47 EUR
100+	9.28 EUR
500+	8.25 EUR
1000+	7.39 EUR

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IPB60R099CPAATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

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IPB60R099CPAATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	8.64 EUR

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IPB60R099CPAATMA1

MOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

auf Bestellung 465 Stücke:

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1+	15.71 EUR
10+	8.6 EUR
100+	8.59 EUR
500+	7.81 EUR
1000+	7.39 EUR

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IPB60R099CPAATMA1

Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm

auf Bestellung 252 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.65 EUR
15+	15.54 EUR
19+	11.84 EUR
50+	10.71 EUR
100+	9.58 EUR
250+	9.38 EUR

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IPB60R099CPAATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 751 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	8.02 EUR
100+	7.5 EUR
500+	6.96 EUR

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IPB60R099CPAATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
Application: automotive industry

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IPB60R099CPAATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 737 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	13.2 EUR
19+	9.17 EUR
25+	8.83 EUR
50+	7.59 EUR
100+	6.41 EUR
250+	5.97 EUR
500+	5.59 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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IPB60R099CPAATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R099CPAATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.06 EUR
10+	10.92 EUR
50+	8.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPB60R099CPAATMA1

Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 255W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm

auf Bestellung 252 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.65 EUR
15+	15.54 EUR
19+	11.84 EUR
50+	10.71 EUR
100+	9.58 EUR
250+	9.38 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPB60R099CPAATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 737 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	13.2 EUR
19+	9.38 EUR
25+	9.17 EUR
50+	8.02 EUR
100+	6.94 EUR
250+	6.64 EUR
500+	6.35 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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IPB60R099CPAATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 241 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	8.02 EUR
100+	7.5 EUR

Mindestbestellmenge: 81 Stücke

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IPB60R099CPATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	6.37 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.69 EUR
24+	7.08 EUR
27+	6.07 EUR
100+	5.37 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	5.87 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.69 EUR
24+	7.25 EUR
27+	6.3 EUR
100+	5.68 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	6.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099CPATMA1

Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm

auf Bestellung 1146 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.77 EUR
20+	11.6 EUR
100+	8.68 EUR
500+	7.71 EUR
1000+	6.83 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 251 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	13.68 EUR
19+	8.91 EUR
50+	7.13 EUR
100+	6.12 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099CPATMA1

MOSFETs N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.92 EUR
10+	9.84 EUR
100+	7.27 EUR
500+	7.08 EUR
1000+	6.68 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

auf Bestellung 2499 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.91 EUR
10+	10.1 EUR
50+	8.06 EUR
100+	7.39 EUR
500+	7.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	13.71 EUR
19+	9.13 EUR
50+	7.41 EUR
100+	6.47 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099CPATMA1

Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm

auf Bestellung 1146 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.77 EUR
20+	11.6 EUR
100+	8.68 EUR
500+	7.71 EUR
1000+	6.83 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.87 EUR
36+	4.71 EUR
100+	3.71 EUR
500+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

auf Bestellung 21133 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.97 EUR
10+	6.59 EUR
50+	5.15 EUR
100+	4.69 EUR
500+	3.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R099P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R099P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2081 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	8.52 EUR
39+	5.96 EUR
100+	4.2 EUR
500+	3.19 EUR
1000+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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IPB60R099P7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1202 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.81 EUR
10+	5.09 EUR
100+	4.61 EUR
500+	3.81 EUR
1000+	3.61 EUR

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IPB60R099P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.87 EUR
36+	4.82 EUR
100+	3.86 EUR
500+	3.28 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

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IPB60R099P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.61 EUR
3000+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R099P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB60R099P7ATMA1

auf Bestellung 2081 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.2 EUR
500+	3.19 EUR
1000+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB60R099P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R105CFD7

Infineon HIGH POWER_NEW

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IPB60R105CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R105CFD7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R105CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V

auf Bestellung 1074 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.34 EUR
10+	6.89 EUR
50+	5.4 EUR
100+	4.93 EUR
500+	4.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPB60R105CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R105CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 106W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	14.82 EUR
21+	11.21 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IPB60R105CFD7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 425 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.09 EUR
10+	6.72 EUR
100+	4.82 EUR
500+	4.36 EUR
1000+	4.11 EUR

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IPB60R105CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R105CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R105CFD7ATMA1

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

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IPB60R120C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB60R120C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

180+	3.59 EUR
500+	3.34 EUR
1000+	3.11 EUR
10000+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 180 Stücke

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IPB60R120C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 29299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

180+	3.59 EUR
500+	3.34 EUR
1000+	3.11 EUR
10000+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 180 Stücke

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IPB60R120C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V

auf Bestellung 50950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

136+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 136 Stücke

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IPB60R120C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

180+	3.59 EUR
500+	3.34 EUR
1000+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 180 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R120C7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.47 EUR
10+	6.2 EUR
100+	4.61 EUR
500+	3.88 EUR
1000+	3.58 EUR
2000+	3.37 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R120C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 7651 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

180+	3.59 EUR
500+	3.34 EUR
1000+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 180 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R120C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R120P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB60R120P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3888 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.71 EUR
44+	3.9 EUR
100+	3.27 EUR
500+	2.8 EUR
1000+	2.56 EUR
2000+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R120P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.87 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R120P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 95W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm

auf Bestellung 453 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	9.95 EUR
39+	6.06 EUR
100+	4.18 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R120P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R120P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R120P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 95W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm

auf Bestellung 453 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.18 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R120P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3888 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.71 EUR
44+	3.82 EUR
100+	3.15 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.37 EUR
2000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R120P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

auf Bestellung 2780 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.1 EUR
10+	5.34 EUR
50+	4.14 EUR
100+	3.76 EUR
500+	3.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R120P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R120P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB60R120P7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 5255 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.98 EUR
10+	4.08 EUR
100+	3.71 EUR
500+	3.14 EUR
1000+	2.95 EUR

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IPB60R125C6
Produktcode: 207837

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R125C6

MOSFETs N-Ch 650V 30A D2PAK-2 CoolMOS C6

auf Bestellung 1072 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.66 EUR
10+	7.12 EUR
100+	5.11 EUR
500+	4.63 EUR
1000+	4.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R125C6

Infineon

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R125C6ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB60R125C6ATMA1

IPB60R125C6ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R125C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R125C6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R125C6ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R125C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 74 Stücke:

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18+	14.07 EUR
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IPB60R125C6ATMA1
Produktcode: 210840

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPB60R125C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V

auf Bestellung 2653 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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50+	5.69 EUR
100+	5.19 EUR
500+	4.7 EUR

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IPB60R125CFD7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IPB60R125CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V

auf Bestellung 6 Stücke:

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3+	8.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPB60R125CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 92W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm

auf Bestellung 307 Stücke:

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100+	5.25 EUR

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IPB60R125CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 211 Stücke:

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200+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

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IPB60R125CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)

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IPB60R125CFD7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 38 Stücke:

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1+	7.77 EUR
10+	5.11 EUR
100+	3.62 EUR
500+	3.31 EUR
1000+	2.81 EUR

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IPB60R125CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1286 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	3.22 EUR
500+	3.01 EUR
1000+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

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IPB60R125CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm

auf Bestellung 307 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	9.27 EUR
33+	7.15 EUR
100+	5.25 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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IPB60R125CP

MOSFETs N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP

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IPB60R125CP

Infineon technologies

auf Bestellung 971 Stücke:

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IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	5.18 EUR
500+	4.86 EUR
1000+	4.47 EUR

Mindestbestellmenge: 125 Stücke

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IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com

auf Bestellung 11000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	5.18 EUR
500+	4.86 EUR
1000+	4.47 EUR
10000+	4.12 EUR

Mindestbestellmenge: 125 Stücke

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IPB60R125CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

auf Bestellung 1158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.25 EUR
10+	7.54 EUR
100+	5.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPB60R125CPATMA1
Produktcode: 172460

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPB60R125CPATMA1

Description: INFINEON - IPB60R125CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm

auf Bestellung 3330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	12.77 EUR
30+	7.94 EUR
100+	5.55 EUR
500+	4.47 EUR
1000+	4.39 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	5.18 EUR
500+	4.86 EUR
1000+	4.47 EUR

Mindestbestellmenge: 125 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R125CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R125CPATMA1