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BUK7M6R3-40EX

Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm

auf Bestellung 668 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	5.47 EUR
72+	3.25 EUR
98+	2.2 EUR
200+	1.88 EUR
500+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M6R3-40EX

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 186000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1500+	0.55 EUR
3000+	0.5 EUR
9000+	0.45 EUR
24000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M6R3-40EX

N-MOSFET 40V 70A 10V 79W AUTOMOTIVE BUK7M6R3-40EX TBUK7m6r3-40ex
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	6.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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BUK7M6R3-40EX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2373 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.98 EUR
12+	1.88 EUR
100+	1.25 EUR
500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M6R3-40EX

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M6R3-40EX

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 319A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 28.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 56.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK33; SOT1210

auf Bestellung 1489 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	1.55 EUR
73+	1.18 EUR
81+	1.06 EUR
100+	0.98 EUR
250+	0.94 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M6R3-40EX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M6R3-40EX

Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5200 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm

auf Bestellung 668 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.2 EUR
200+	1.88 EUR
500+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M6R3-40EX

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 186000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1500+	0.55 EUR
3000+	0.48 EUR
9000+	0.43 EUR
24000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M6R7-40HX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M6R7-40HX

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M6R7-40HX

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 4500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M6R7-40HX

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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BUK7M6R7-40HX

MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A

auf Bestellung 245 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.34 EUR
10+	1.44 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.65 EUR
1500+	0.57 EUR
3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M6R7-40HX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3788 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.4 EUR
13+	1.63 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M6R7-40HX

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M6R7-40HX

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 4500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R0-40EX

Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm

auf Bestellung 3852 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.84 EUR
107+	2.18 EUR
152+	1.42 EUR
200+	1.25 EUR
500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R0-40EX

Trans MOSFET N-CH 40V 69A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R0-40EX

MOSFETs BUK7M8R0-40E/SOT1210/mLFPAK

auf Bestellung 12331 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.98 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.56 EUR
1500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R0-40EX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R0-40EX

Description: NEXPERIA - BUK7M8R0-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm

auf Bestellung 3852 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	4.84 EUR
107+	2.18 EUR
152+	1.42 EUR
200+	1.25 EUR
500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R0-40EX

Trans MOSFET N-CH 40V 69A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R0-40EX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1304 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.83 EUR
12+	1.78 EUR
50+	1.33 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R5-40HX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1309 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1790 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.32 EUR
15+	1.46 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R5-40HX

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R5-40HX

Description: NEXPERIA - BUK7M8R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7400 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 59W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm

auf Bestellung 1455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	3.84 EUR
101+	2.3 EUR
163+	1.32 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 65 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R5-40HX

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R5-40HX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1309 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R5-40HX

Description: NEXPERIA - BUK7M8R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7400 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 59W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm

auf Bestellung 1455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.84 EUR
101+	2.3 EUR
163+	1.32 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R5-40HX

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R5-40HX

MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 40A

auf Bestellung 1353 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.34 EUR
10+	1.48 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.49 EUR
1500+	0.44 EUR
3000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7M8R5-40HX

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

auf Bestellung 33490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

787+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR
10000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 787 Stücke

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BUK7M9R5-40HX

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	1.13 EUR
244+	0.68 EUR
246+	0.65 EUR
249+	0.62 EUR
379+	0.39 EUR
383+	0.37 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 153 Stücke

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BUK7M9R5-40HX

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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BUK7M9R5-40HX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1166 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.74 EUR
20+	1.08 EUR
50+	0.8 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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BUK7M9R5-40HX

MOSFETs N-channel 60 V, 9.9 mohm standard level MOSFET in LFPAK33

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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BUK7M9R5-40HX

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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BUK7M9R5-40HX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1166 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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BUK7M9R5-40HX

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

246+	0.7 EUR
249+	0.68 EUR
379+	0.44 EUR
383+	0.43 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 246 Stücke

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BUK7M9R9-60EX

MOSFETs BUK7M9R9-60E/SOT1210/mLFPAK

auf Bestellung 12180 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.64 EUR
10+	1.24 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.75 EUR
1500+	0.74 EUR
3000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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BUK7M9R9-60EX

Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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BUK7M9R9-60EX

Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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BUK7M9R9-60EX

Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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BUK7M9R9-60EX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 60A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 11017 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.7 EUR
13+	1.69 EUR
50+	1.26 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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BUK7M9R9-60EX

Description: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm

auf Bestellung 878 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	5.09 EUR
94+	2.49 EUR
113+	1.9 EUR
200+	1.52 EUR
500+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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BUK7M9R9-60EX

Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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BUK7M9R9-60EX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 60A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 10500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.76 EUR
4500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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BUK7M9R9-60EX

Description: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm

auf Bestellung 878 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.49 EUR
113+	1.9 EUR
200+	1.52 EUR
500+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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BUK7Q4R9-40H

Description: NEXPERIA - BUK7Q4R9-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 4900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 84W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	3.38 EUR
133+	1.75 EUR
203+	1.06 EUR
500+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 75 Stücke

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BUK7Q4R9-40H

Description: NEXPERIA - BUK7Q4R9-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 4900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.38 EUR
133+	1.75 EUR
203+	1.06 EUR
500+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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BUK7Q4R9-40HJ

MOSFETs BUK7Q4R9-40H/SOT8002/MLPAK33

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.87 EUR
10+	1.17 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.54 EUR
3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7Q6R0-40H

Description: NEXPERIA - BUK7Q6R0-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 6000 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	2.84 EUR
151+	1.54 EUR
232+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

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BUK7Q6R0-40H

Description: NEXPERIA - BUK7Q6R0-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 6000 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.84 EUR
151+	1.54 EUR
232+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7Q6R0-40HJ

MOSFETs BUK7Q6R0-40H/SOT8002/MLPAK33

auf Bestellung 744 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.15 EUR
10+	1.54 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.43 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7Q7R5-40H

Description: NEXPERIA - BUK7Q7R5-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 55 A, 7500 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	2.44 EUR
166+	1.4 EUR
253+	0.84 EUR
500+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 103 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7Q7R5-40H

Description: NEXPERIA - BUK7Q7R5-40H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 55 A, 7500 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	2.44 EUR
166+	1.4 EUR
253+	0.84 EUR
500+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 103 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7Q7R5-40HJ

Nexperia USA Inc.

Description: BUK7Q7R5-40H/SOT8002/MLPAK33
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1669 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7Q7R5-40HJ

Nexperia USA Inc.

Description: BUK7Q7R5-40H/SOT8002/MLPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1669 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.49 EUR
23+	0.93 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7Q7R5-40HJ

MOSFETs BUK7Q7R5-40H/SOT8002 /MLPAK33

auf Bestellung 675 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.92 EUR
10+	1.36 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7Q9R5-40HJ

MOSFETs BUK7Q9R5-40H/SOT8002/MLPAK33

auf Bestellung 385 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.38 EUR
3000+	0.32 EUR
6000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S0R5-40HJ

MOSFETs BUK7S0R5-40H/SOT1235/LFPAK88

auf Bestellung 1146 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.95 EUR
10+	8.48 EUR
100+	6.24 EUR
500+	5.55 EUR
1000+	5.37 EUR
2000+	4.93 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S0R5-40HJ

Nexperia USA Inc.

Description: BUK7S0R5-40H/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S0R5-40HJ

Description: NEXPERIA - BUK7S0R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 470 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm

auf Bestellung 1964 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	22.06 EUR
50+	16.83 EUR
100+	12.91 EUR
500+	11.08 EUR
1000+	10.86 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S0R5-40HJ

Description: NEXPERIA - BUK7S0R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 470 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm

auf Bestellung 1964 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	22.06 EUR
50+	16.83 EUR
100+	12.91 EUR
500+	11.08 EUR
1000+	10.86 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S0R5-40HJ

Nexperia USA Inc.

Description: BUK7S0R5-40H/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1984 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.77 EUR
10+	10.69 EUR
50+	8.52 EUR
100+	7.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S0R7-40HJ

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1122 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.28 EUR
10+	6.84 EUR
50+	5.37 EUR
100+	4.89 EUR
500+	4.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S0R7-40HJ

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
FET Type: N-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S0R7-40HJ

Description: NEXPERIA - BUK7S0R7-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 425 A, 620 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm

auf Bestellung 1467 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	35.26 EUR
11+	22 EUR
100+	13.04 EUR
500+	10.79 EUR
1000+	10.58 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S0R7-40HJ

MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 425A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S0R7-40HJ

Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	7.44 EUR
100+	6.97 EUR
500+	6.45 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S0R7-40HJ

Description: NEXPERIA - BUK7S0R7-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 425 A, 620 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm

auf Bestellung 1467 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	35.26 EUR
11+	22 EUR
100+	13.04 EUR
500+	10.79 EUR
1000+	10.58 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S0R9-40HJ

MOSFET 40V N-CHANNEL STD LEVEL

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S0R9-40HJ

Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	5.09 EUR
35+	4.87 EUR
36+	4.55 EUR
50+	3.93 EUR
100+	3.72 EUR
250+	3.28 EUR
500+	2.93 EUR
1000+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S0R9-40HJ

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 375A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 32 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12888 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R0-40HJ

Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint

auf Bestellung 984 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	3.32 EUR
64+	2.5 EUR
70+	2.21 EUR
100+	1.9 EUR
250+	1.82 EUR
500+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R0-40HJ

Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1606 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	6.12 EUR
53+	4.43 EUR
100+	3.8 EUR
500+	3.77 EUR
1000+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R0-40HJ

Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R0-40HJ

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R0-40HJ

Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	7 EUR
28+	6.12 EUR
29+	5.85 EUR
50+	5.07 EUR
100+	4.7 EUR
250+	4.58 EUR
500+	3.87 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R0-40HJ

Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1606 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.8 EUR
500+	3.77 EUR
1000+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R0-40HJ

MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 325A

auf Bestellung 5420 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.06 EUR
10+	4.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R0-40HJ

Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint

auf Bestellung 984 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	3.32 EUR
64+	2.59 EUR
70+	2.34 EUR
100+	2.06 EUR
250+	2.02 EUR
500+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R0-40HJ

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.97 EUR
10+	4.55 EUR
50+	3.5 EUR
100+	3.15 EUR
500+	2.57 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R2-40HJ

Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

178+	3.63 EUR
500+	3.39 EUR
1000+	3.13 EUR

Mindestbestellmenge: 178 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R2-40HJ

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 4168 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.12 EUR
10+	6.01 EUR
50+	4.69 EUR
100+	4.26 EUR
500+	3.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R2-40HJ

MOSFETs BUK7S1R2-40H/SOT1235/LFPAK88

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.43 EUR
10+	5.55 EUR
100+	3.92 EUR
500+	3.39 EUR
1000+	3.27 EUR
2000+	2.98 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R2-40HJ

Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	3.02 EUR
61+	2.73 EUR
62+	2.48 EUR
100+	2.05 EUR
250+	1.94 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R2-40HJ

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R5-40HJ

Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R5-40HJ

Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R5-40HJ

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6712 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 1846 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.23 EUR
10+	5.41 EUR
50+	4.19 EUR
100+	3.8 EUR
500+	3 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUK7S1R5-40HJ

Description: NEXPERIA - BUK7S1R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 260 A, 0.00124 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 260
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 242
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00124
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00124
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	10.12 EUR
31+	7.54 EUR

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Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6712 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

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