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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI3442VISHAY
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1
auf Bestellung 5010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 2.5-V (G-S)
auf Bestellung 13166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.11 EUR
10+0.98 EUR
100+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
20+1.09 EUR
100+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 24567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
19+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3VISHAYSOT163
auf Bestellung 18610 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V 3A
auf Bestellung 67926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.11 EUR
10+0.96 EUR
100+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-GE3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.2A 1.67W 57mohm @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
auf Bestellung 2314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442CDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 8A 2.7W 27mohm @ 10V
auf Bestellung 3883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
auf Bestellung 2314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442DC-T1VISHAY0010+
auf Bestellung 5098 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442DVFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): 8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
auf Bestellung 32796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1397+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442DVONSEMIDescription: ONSEMI - SI3442DV - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 32796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2466+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442DVVISHAY09+
auf Bestellung 41968 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442DV-TSI
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442DV-T1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.0A 2W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442DV-T1(42UAH)
auf Bestellung 3233 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442DV-T1-E3
auf Bestellung 13320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442DV-T3VishayVishay OBSOLETE - USE Si3442BDV-T1-E3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442DV\42RCVISHAYSOT-163
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443VISHAYSOT163
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443ADV-T1-E3
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDVVISHAY
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-E3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1VISHAY
auf Bestellung 18200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP P CHAN 2.5V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.82 EUR
10+0.81 EUR
100+0.71 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.9 EUR
265+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 4.4A 2W
auf Bestellung 83947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.83 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.9 EUR
267+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.9 EUR
265+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-GE3
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDY-T1-E3
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BPV
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 20V 4.7A
auf Bestellung 135170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+0.77 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
3000+0.39 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
auf Bestellung 5988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.07 EUR
50+0.8 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 23307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+0.77 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-E3VishaySI3443CDV-T1-E3 MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.97A 6-Pin TSOP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
9000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-E3VISHAYSOT26/SOT363
auf Bestellung 3096 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
auf Bestellung 30188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.07 EUR
50+0.8 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
auf Bestellung 9254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.98 EUR
50+0.71 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.97A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 5787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
211+1.11 EUR
326+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-GE3
Produktcode: 160116
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 64206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.54 EUR
10+0.7 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
3000+0.37 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.97A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 5787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
211+1.11 EUR
326+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443CVD-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 4.7A 3.2W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
auf Bestellung 10686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
36+0.6 EUR
50+0.43 EUR
100+0.37 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443DDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 20V 4A
auf Bestellung 5622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443DDV-T1-BE3VishayP-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443DDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 18722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
auf Bestellung 10148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
37+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3443DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.039 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443DDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.7W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3443DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.039 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3443DV
Produktcode: 52304
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443DVInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443DVFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SI3443DVFAIRCHILDTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
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SI3443DVONSEMIDescription: ONSEMI - SI3443DV - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung: 1.6
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI3443DVVishay / SiliconixMOSFET
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SI3443DVonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
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SI3443DVonsemi / FairchildMOSFET SSOT6 SINGLE PCH
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SI3443DVInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3443DVONS/FAIMOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 Транзистори
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SI3443DVON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
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SI3443DVONSEMIDescription: ONSEMI - SI3443DV - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung: 1.6
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI3443DV-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI3443BDV-E3
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SI3443DV-T1 4.4A/30VVISHAY
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