Produkte > CSD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| CSD87588N | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 6W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-XFLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: 5-PTAB (3x2.5) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD87588N | Texas Instruments | Power Block 5-Pin PTAB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD87588N | Texas Instruments | Power Block 5-Pin PTAB T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD87588NEVM-603 | Texas Instruments | High Frequency Synchronous Power Kit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD87588NEVM-603 | Texas Instruments | Description: EVAL BOARD CSD87588N TPS51219 Packaging: Box Voltage - Output: 1V Voltage - Input: 8V ~ 20V Current - Output: 25A Contents: Board(s) Frequency - Switching: 300kHz Regulator Topology: Buck Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: CSD87588N, TPS51219 Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: DC/DC, Step Down Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Active | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD87588NEVM-603 | Texas Instruments | Power Management IC Development Tools CSD87588N EVAL MOD | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD87588NT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-LGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 5-PTAB (5x3.5) Part Status: Active | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD87588NT | Texas Instruments | Power Block 5-Pin PTAB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD87588NT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-LGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 5-PTAB (5x3.5) Part Status: Active | auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD87588NT | Texas Instruments | MOSFETs Sync Buck NexFET Pwr Block II A 595-CSD8 A 595-CSD87588N | auf Bestellung 6991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD87588NT | Texas Instruments | Power Block 5-Pin PTAB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD87588NT | Texas Instruments | Power Block 5-Pin PTAB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD882 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - CSD882 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 10W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 6505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD882H-P | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 3A; 10W; TO126 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 3A Power dissipation: 10W Case: TO126 Current gain: 30...400 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 90MHz | auf Bestellung 1682 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD88537ND | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD88537ND | Texas Instruments | MOSFETs 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-CSD88537NDT | auf Bestellung 12981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD88537ND | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | auf Bestellung 10345 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD88537ND Produktcode: 118288
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD88537ND | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88537ND | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88537ND | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD88537ND | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD88537ND | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88537ND | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88537NDG4 | Texas Instruments | MOSFETs 60-V, N channel NexFET power MOSFET, dual SO-8, 15 mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88537NDT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88537NDT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88537NDT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537NDT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 49 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88537NDT | Texas Instruments | MOSFETs 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD88537ND | auf Bestellung 934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD88537NDT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2.1W | auf Bestellung 1552 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD88537NDT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88537NDT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537NDT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88537NDT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88537NDT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD88539ND | Texas Instruments | Power Block 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88539ND | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD88539ND | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | auf Bestellung 1379 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD88539ND | Texas Instruments | Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 34mOhm; 15A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; CSD88539NDT CSD88539ND TCSD88539nd Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| CSD88539ND | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD88539ND | Texas Instruments | MOSFETs 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT | auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD88539ND | Texas Instruments | Power Block 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88539ND | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88539NDG4 | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET dua | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88539NDT | Texas Instruments | MOSFETs 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD A 595-CSD88539ND | auf Bestellung 1310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD88539NDT | Texas Instruments | Power Block 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88539NDT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD88539NDT | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88539NDT | Texas Instruments | Power Block 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88539NDT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Power dissipation: 2.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD88539NDT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A | auf Bestellung 5853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD88584Q5DC | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD88584Q5DC | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88584Q5DCT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88584Q5DC | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP | auf Bestellung 11671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD88584Q5DCT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88584Q5DCT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 680 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 680µohm Verlustleistung, p-Kanal: 12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: NexFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 680µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD88584Q5DCT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerTFDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 12W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active | auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD88584Q5DCT | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88584Q5DC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88584Q5DCT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerTFDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 12W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88599Q5DC | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP Part Status: Active Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840pF @ 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 12W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 22-PowerTFDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88599Q5DC | Texas Instruments | Power Block 22-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88599Q5DC | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88599Q5DC | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP Part Status: Active Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840pF @ 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 12W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 22-PowerTFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88599Q5DC | Texas Instruments | Power Block 22-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88599Q5DC | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88599Q5DCT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88599Q5DC | Texas Instruments | 2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ptot, Вт = 12, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 4840, Qg, нКл = 27 @ 4,5 В, Rds = 2,1 мОм @ 30 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: PowerTFDFN-22 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88599Q5DC MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP Produktcode: 181909
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| CSD88599Q5DCT | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88599Q5DC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88599Q5DCT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerTFDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 12W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88599Q5DCT | Texas Instruments | Power Block 22-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88599Q5DCT | Texas Instruments | Description: MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerTFDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 12W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD88599Q5DCT | Texas Instruments | Power Block 22-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD92 | RTA | Description: RTA - CSD92 - Schrittmotortreiber, Mikroschritt, Zwei-Phasen, 2.4 A, 24 bis 28V DC Steuerung / Antrieb: Minischrittmotorantrieb Versorgungsspannung, min.: 24 Anzahl der Phasen: Zwei Phasen Ausgangsstrom, max.: 2.4 Versorgungsspannung, max.: 48 Produktpalette: CSD SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD9509AG | SONY | 08+ QFP | auf Bestellung 534 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372AQ5M | Texas Instruments | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12LSON Technology: Power MOSFET Part Status: Active Load Type: Inductive Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO Supplier Device Package: 12-LSON-CLIP (5x6) Voltage - Load: 4.5V ~ 16V Current - Peak Output: 90A Current - Output / Channel: 60A Applications: Synchronous Buck Converters Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Output Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Interface: PWM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 12-PowerLFDFN Features: Bootstrap Circuit, Status Flag Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD95372AQ5M | Texas Instruments | Driver 90A 1-OUT 12-Pin SON EP T/R | auf Bestellung 47500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372AQ5M | Texas Instruments | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12LSON Supplier Device Package: 12-LSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Load Type: Inductive Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO Voltage - Load: 4.5V ~ 16V Technology: Power MOSFET Current - Peak Output: 90A Current - Output / Channel: 60A Applications: Synchronous Buck Converters Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Output Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Interface: PWM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 12-PowerLFDFN Features: Bootstrap Circuit, Status Flag Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 7020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD95372AQ5M | Texas Instruments | Driver 90A 1-OUT 12-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372AQ5M | Texas Instruments | Gate Drivers Sync Buck NexFET Pwr Stage | auf Bestellung 3933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD95372BQ5M | Texas Instruments | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12LSON Technology: Power MOSFET Current - Peak Output: 90A Current - Output / Channel: 60A Applications: Synchronous Buck Converters Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Output Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Interface: PWM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 12-PowerLFDFN Features: Bootstrap Circuit, Status Flag Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Load Type: Inductive Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, Short Circuit, UVLO Supplier Device Package: 12-LSON-CLIP (5x6) Voltage - Load: 4.5V ~ 16V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD95372BQ5M | Texas Instruments | Synchronous Buck FET Smart Power Stage | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372BQ5M | Texas Instruments | Synchronous Buck FET Smart Power Stage | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372BQ5M | Texas Instruments | Gate Drivers 60A Sync Buck Smart Power Stage A 595-CS A 595-CSD95372BQ5MT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372BQ5M | Texas Instruments | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12LSON Features: Bootstrap Circuit, Status Flag Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerLFDFN Mounting Type: Surface Mount Interface: PWM Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Applications: Synchronous Buck Converters Current - Output / Channel: 60A Current - Peak Output: 90A Technology: Power MOSFET Voltage - Load: 4.5V ~ 16V Supplier Device Package: 12-LSON-CLIP (5x6) Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, Short Circuit, UVLO Load Type: Inductive Part Status: Active | auf Bestellung 2877 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD95372BQ5M | Texas Instruments | Synchronous Buck FET Smart Power Stage | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372BQ5MC | Texas Instruments | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12VSON Packaging: Cut Tape (CT) Features: Bootstrap Circuit, Status Flag Package / Case: 12-PowerTFDFN Mounting Type: Surface Mount Interface: PWM Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Applications: Synchronous Buck Converters Current - Output / Channel: 60A Current - Peak Output: 90A Technology: Power MOSFET Voltage - Load: 4.5V ~ 16V Supplier Device Package: 12-VSON (5x6) Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, Short Circuit, UVLO Load Type: Inductive Part Status: Active | auf Bestellung 3757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD95372BQ5MC | Texas Instruments | Driver 90A 1-OUT 12-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372BQ5MC | Texas Instruments | Gate Drivers 60A Sync Buck NexFET SmrtPwr Stage A 595 A 595-CSD95372BQ5MCT | auf Bestellung 1165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD95372BQ5MC | Texas Instruments | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Bootstrap Circuit, Status Flag Package / Case: 12-PowerTFDFN Mounting Type: Surface Mount Interface: PWM Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Applications: Synchronous Buck Converters Current - Output / Channel: 60A Current - Peak Output: 90A Technology: Power MOSFET Voltage - Load: 4.5V ~ 16V Supplier Device Package: 12-VSON (5x6) Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, Short Circuit, UVLO Load Type: Inductive Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372BQ5MC | Texas Instruments | Driver 90A 1-OUT 12-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372BQ5MCT | Texas Instruments | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12VSON Features: Bootstrap Circuit, Status Flag Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerTFDFN Mounting Type: Surface Mount Interface: PWM Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Applications: Synchronous Buck Converters Current - Output / Channel: 60A Current - Peak Output: 90A Technology: Power MOSFET Voltage - Load: 4.5V ~ 16V Supplier Device Package: 12-VSON (5x6) Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, Short Circuit, UVLO Load Type: Inductive Part Status: Active | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD95372BQ5MCT | Texas Instruments | Driver 90A 1-OUT 12-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372BQ5MCT | Texas Instruments | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12VSON Features: Bootstrap Circuit, Status Flag Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerTFDFN Mounting Type: Surface Mount Interface: PWM Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Applications: Synchronous Buck Converters Current - Output / Channel: 60A Current - Peak Output: 90A Technology: Power MOSFET Voltage - Load: 4.5V ~ 16V Supplier Device Package: 12-VSON (5x6) Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, Short Circuit, UVLO Load Type: Inductive Part Status: Active | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD95372BQ5MCT | Texas Instruments | Gate Drivers 60A Sync Buck NexFET SmrtPwr Stage A 595 A 595-CSD95372BQ5MC | auf Bestellung 802 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD95372BQ5MCT | Texas Instruments | CSD95372BQ5MCT CSD95372BQ5MC IC SYNC BUCK NEXFET 12VSON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372BQ5MCT | Texas Instruments | Driver 90A 1-OUT 12-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372BQ5MG4 | Texas Instruments | Gate Drivers 60A Synchronous Buck NexFET™ Smart | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372BQ5MT | Texas Instruments | Smart Power Stage IC 12-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372BQ5MT | Texas Instruments | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12LSON Features: Bootstrap Circuit, Status Flag Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerLFDFN Mounting Type: Surface Mount Interface: PWM Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Applications: Synchronous Buck Converters Current - Output / Channel: 60A Current - Peak Output: 90A Technology: Power MOSFET Voltage - Load: 4.5V ~ 16V Supplier Device Package: 12-LSON-CLIP (5x6) Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, Short Circuit, UVLO Load Type: Inductive Part Status: Active | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD95372BQ5MT | Texas Instruments | Smart Power Stage IC 12-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD95372BQ5MT | Texas Instruments | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12LSON Part Status: Active Load Type: Inductive Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, Short Circuit, UVLO Supplier Device Package: 12-LSON-CLIP (5x6) Voltage - Load: 4.5V ~ 16V Technology: Power MOSFET Current - Peak Output: 90A Current - Output / Channel: 60A Applications: Synchronous Buck Converters Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Output Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Interface: PWM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 12-PowerLFDFN Features: Bootstrap Circuit, Status Flag Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD95372BQ5MT | Texas Instruments | Gate Drivers 60A Sync Buck NexFET Smart Power Stage A A 595-CSD95372BQ5M | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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