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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF5305SPBFInternational RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STR
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLInfineonTranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLInfineonTranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 54400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63, Rds = 60 мОм @ 16 A , 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 10 В, Pb-free,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
auf Bestellung 16665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.74 EUR
10+3.72 EUR
100+2.57 EUR
500+1.98 EUR
800+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.06 EUR
100+2.02 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 27362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.84 EUR
10+3.78 EUR
50+2.9 EUR
100+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 10150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.21 EUR
62+2.81 EUR
100+1.93 EUR
500+1.48 EUR
800+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF
Produktcode: 155127
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInternational RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2 EUR
2400+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 10150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+5.97 EUR
65+3.57 EUR
100+2.33 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
auf Bestellung 1582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.06 EUR
34+2.55 EUR
39+2.23 EUR
56+1.54 EUR
100+1.31 EUR
250+1.14 EUR
500+1.06 EUR
800+1 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 54400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRPBF
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.27 EUR
4000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.89 EUR
100+1.95 EUR
500+1.57 EUR
800+1.4 EUR
2400+1.32 EUR
4800+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530Aonsemi / FairchildMOSFET TO-220 N-Ch A-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530AONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530AonsemiMOSFETs TO-220 N-Ch A-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530AONSEMIDescription: ONSEMI - IRF530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NInfineonN-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530Nonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N
Produktcode: 30162
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FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NInternational RectifierN-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NNXPN-channel TrenchMOS, TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NNXP SemiconductorsMOSFETs RAIL IR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NInternational RectifierN-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NL
Produktcode: 121833
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NLHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NLPBFInternational RectifierN-channel TrenchMOS, TO262 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NLPBFInfineon / IRMOSFET D2PAK
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IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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101+1.73 EUR
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2000+0.64 EUR
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IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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88+2 EUR
249+0.69 EUR
251+0.67 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.61 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF530NPBFInternational RectifierHEXFET Power MOSFET, 100V, 17A, 0,09 Ohm, TO220AB Транзистори
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IRF530NPBF
Produktcode: 50641
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10,5
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37
Montage: THT
auf Bestellung: 442 St.
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IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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264+0.65 EUR
267+0.64 EUR
500+0.62 EUR
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2000+0.58 EUR
5000+0.57 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.15 EUR
90+0.95 EUR
99+0.87 EUR
110+0.77 EUR
129+0.65 EUR
250+0.56 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
297+0.58 EUR
375+0.45 EUR
379+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 297 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 8215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.45 EUR
50+1.07 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 6645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.95 EUR
102+2.28 EUR
138+1.56 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.01 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.77 EUR
2000+0.68 EUR
5000+0.63 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 30383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.44 EUR
261+0.64 EUR
263+0.62 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.52 EUR
5000+0.5 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 920 @ 25, Rds = 90 мОм @ 9 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 14 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRF530NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
auf Bestellung 13590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.33 EUR
100+0.86 EUR
500+0.69 EUR
25000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF530NPBF/IRIR08+;
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF530NS
Produktcode: 117672
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 90 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37
Montage: SMD
auf Bestellung: 28 St.
  • 28 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.52 EUR
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IRF530NSJSMSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSInternational RectifierN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSPBFInternational RectifierHEXFET Power MOSFET, 100V, 17A, 0,09 Ohm, D2PAK (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=100V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.09R, P=70W, T=-55 to 175C).... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 43200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.8 EUR
50+1.74 EUR
70+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
auf Bestellung 18089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.2 EUR
500+1.67 EUR
800+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 2501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
74+3.15 EUR
100+2.23 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.49 EUR
73+2.31 EUR
79+2.06 EUR
104+1.5 EUR
250+1.42 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.7 EUR
2400+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 43200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.62 EUR
76+2.26 EUR
101+1.67 EUR
500+1.21 EUR
800+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF
Produktcode: 144837
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.39 EUR
79+2.19 EUR
104+1.62 EUR
250+1.56 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 2501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFInternational RectifierHEXFET Power MOSFET, 100V, 17A, 0,09 Ohm, D2PAK (SMD) T/R Right Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 6739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.07 EUR
10+3.27 EUR
50+2.5 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.64 EUR
100+1.73 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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IRF530NSTRR
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IRF530NSTRRPBFIR
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
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IRF530NSTRRPBFInternational RectifierHEXFET Power MOSFET, 100V, 17A, 0,09 Ohm, D2PAK (SMD) Транзистори
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IRF530NSTRRPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF530N_R4942onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF530PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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57+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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IRF530PBFIRF530PBF Транзисторы HEXFET
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Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRF530PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 14A N-CH
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1+4.52 EUR
10+2.23 EUR
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1000+1.07 EUR
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IRF530PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.46 EUR
126+1.37 EUR
250+1.24 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.06 EUR
2000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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