Produkte > IRL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRLML6401TR/FBTR3 | auf Bestellung 1760 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TR/TRPBF | auf Bestellung 102050 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 1763 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | auf Bestellung 88339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401TRPBF | TYS | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори | auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401TRPBF | MOSFET 12V 4.3A (34A pulse), P Channel SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | Infineon | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401TRPBF Produktcode: 34344
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V Drain-Strom Id, A: -4,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 830/10 Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung Montage: SMD | auf Bestellung: 10970 St.
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| IRLML6401TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | auf Bestellung 88339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET | auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF-1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 23870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401TRPBF-1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF-1-ML | MOSLEADER | Description: P -12V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF-VB | VBSEMI | IRLML6401TRPBF-VB IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401TRPBFSOT23-F7PB-FREE | IR | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6401TR\1F1A | IRF | SOT-23 | auf Bestellung 3260 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402 | SLKOR | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 SLKOR TIRLML6402 SLK Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6402 | HUASHUO | Transistor P-Channel MOSFET; -20V; -/+12V; 45mOhm; -3,9A; 1,31W; -55°C~150°C; Substitute: IRLML6402; SKML6402; IRLML6402TR; IRLML6402 TIRLML6402 HUA Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1601 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6402 | KEXIN | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 75mOhm; 3,2A; 1,7W; -55°C~150°C; IRLML6402 SOT23 KEXIN TIRLML6402 KEX Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6402 | IR | 10+ SOT-23 | auf Bestellung 110767 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402 | GOODWORK | Description: 20V3.7A80m@2.5VSOT-23 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLML6402 | SLKOR | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 SLKOR TIRLML6402 SLK Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6402 | HUASHUO | Transistor P-Channel MOSFET; -20V; -/+12V; 45mOhm; -3,9A; 1,31W; -55°C~150°C; Substitute: IRLML6402; SKML6402; IRLML6402TR; IRLML6402 TIRLML6402 HUA Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6402 | HXY MOSFET | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 3,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 HXY MOSFET TIRLML6402 HXY Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 880 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6402 | MLCCBASE | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 MLCCBASE TIRLML6402 MLC Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6402 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402 | SLKOR | -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 packa/SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402-(SOT-23) | KLS | IRLML6402-(SOT-23) IRLML6402TRPBF Micro 3 packa/SOT-23, -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET Транзистори | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6402GPBF | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402GPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402GTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402GTRPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402PBF | IR | 09+ | auf Bestellung 500018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402PBF | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402TR | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 13A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402TR JSMICRO TIRLML6402 JSM Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6402TR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 UMW TIRLML6402 UMW Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1790 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6402TR | INTERNATIONAL RECTIFIER | P-Channel HEXFET, -20V, -3.7A, Micro 3 (SOT-23) | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6402TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 UMW TIRLML6402 UMW Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6402TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402TR | VBsemi | P-Channel MOSFET -3A -20V 120m? Substitute: IRLML6402 , SKML6402, IRLML6402TR IRLML6402 VBS TIRLML6402 VBS Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6402TR | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=20V, Id=3.7A@T=25C, Id=2.2A@T=70C, Rds=0.065 R, P=1.3W, -55 to +150C), упр-е логич. уровнем... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402TR SOT23-E | IR | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6402TR SOT23-E | IR | auf Bestellung 2687 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | MOSFET 20V 3.7A (22A pulse), P Channel SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | Infineon | -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 packa/SOT-23 Транзистори | auf Bestellung 3315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6402TRPBF Produktcode: 27968
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Id, A: 3,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 633/8 Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung Montage: SMD ZCODE: 8541 21 00 90 | auf Bestellung: 6469 St.
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| IRLML6402TRPBF | TYS | -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 packa/SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | IRLML6402TRPBF Транзисторы HEXFET | auf Bestellung 5238 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 633 @ 10, Qg, нКл = 12 @ 250 мкА, Rds = 65 мОм @ 3,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 141 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | International Rectifier | -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 packa/SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF-1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF-1-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF/IR | IR | 08+; | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRTBF | IR | 09+ TO-92 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6802TR | IR | 04+ SOT-23-6 | auf Bestellung 6100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML9301 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML9301TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 103mOhm; 3,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML9301TR; SP001568914; IRLML9301TR UMW TIRLML9301 UMW Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML9301TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLML9301TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 30V; 20V; 64mOhm; 3,6A; 1,3W; -55°C~150°C; Substitute: IRLML9301TR; IRLML9301; ZXMP3F30FHTA zamiennik za IRLML9301; IRLML9301 TIRLML9301 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 7959 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML9301TRPBF Produktcode: 34218
4
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Id, A: 3,6 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8 Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung Montage: SMD | erwartet: 3000 St.
auf Bestellung: 394 St.
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| IRLML9301TRPBF | MOSFET 30V 3.6A (15A pulse), P Channel SOT-23-3 | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm | auf Bestellung 23205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 21 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | TYS | SOT-23 Транзистори | auf Bestellung 4503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm | auf Bestellung 2425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLML9301TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm | auf Bestellung 23205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 21 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: -3.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML9301TRPBF Produktcode: 221975
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Lieblingsprodukt
| Infineon | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В Drain-Strom Idd, A: 3,6 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8 Bemerkung: Керування логічним рівнем Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,6 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 388 @ 25, Qg, нКл = 4,8 @ 10 В, Rds = 64 мОм @ 3.6 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 1176 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon | MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML9301TRPBF-(sot-23) | --- | IRLML9301TRPBF-(sot-23) IRLML9301TRPBF SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLML9303 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML9303TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 30V; 20V; 270mOhm; 2,3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML9303TR; IRLML9303TR; IRLML9303; SP001558866; IRLML9303; IRLML9303TR TIRLML9303 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 47045 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML9303TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML9303TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 270mOhm; 2,3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML9303TR; SP001558866; IRLML9303TR UMW TIRLML9303 UMW Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML9303TRPBF | Infineon | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,3А; 1,25Вт; SOT23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | auf Bestellung 1625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML9303TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,3 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 160 @ 25, Qg, нКл = 2 @ 4.5 В, Rds = 165 мОм @ 2,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF Produktcode: 38416
1
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Id, A: 2,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,165 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 160/2,0 Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung Montage: SMD | auf Bestellung: 2306 St.
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| IRLML9303TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V | auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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