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Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3864 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

154+	4.19 EUR
500+	3.92 EUR
1000+	3.61 EUR

Mindestbestellmenge: 154 Stücke

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IPB60R385CPATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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IPB60R520CP

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 12996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

323+	2 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.61 EUR
10000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 323 Stücke

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IPB60R520CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

auf Bestellung 2996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

258+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 258 Stücke

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IPB60R520CP

MOSFET N-Ch 600V 6.8A D2PAK-2 CoolMOS CP

auf Bestellung 132 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPB60R520CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A D2PAK

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IPB60R600C6

MOSFET N-Ch 650V 7.3A D2PAK-2 CoolMOS C6

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IPB60R600C6ATMA1

MOSFET N-Ch 650V 7.3A D2PAK-2 CoolMOS C6

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IPB60R600C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

51+	10.77 EUR

Mindestbestellmenge: 51 Stücke

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IPB60R600C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB60R600CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

295+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 295 Stücke

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IPB60R600CP

MOSFETs N-Ch 600V 6.1A D2PAK-2 CoolMOS CP

auf Bestellung 339 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.21 EUR
10+	3.36 EUR
100+	2.28 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.67 EUR
2000+	1.62 EUR
5000+	1.55 EUR

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IPB60R600CP

Trans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 4970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

370+	1.75 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 370 Stücke

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IPB60R600CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB60R600P6

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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IPB60R600P6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R600P6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R600P6ATMA1

MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM

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IPB60R950C6

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263

auf Bestellung 2373 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPB60R950C6

MOSFET N-Ch 650V 4.4A D2PAK-2 CoolMOS C6

auf Bestellung 3900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R950C6

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R950C6

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263

auf Bestellung 2373 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R950C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB64N25S3-20

MOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB64N25S3-20

Infineon

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB64N25S320ATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 64A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB64N25S320ATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 295 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.08 EUR
10+	10.2 EUR
50+	8.12 EUR
100+	7.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB64N25S320ATMA1

Description: INFINEON - IPB64N25S320ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1164 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	13.29 EUR
25+	9.63 EUR
50+	8.22 EUR
200+	7.54 EUR
500+	7.44 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB64N25S320ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Case: PG-TO263-3-2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB64N25S320ATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 64A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB64N25S320ATMA1

Description: INFINEON - IPB64N25S320ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

auf Bestellung 1090 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	8.31 EUR
200+	7.07 EUR
500+	6.79 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB64N25S320ATMA1

MOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.74 EUR
10+	7.98 EUR
100+	7.33 EUR
500+	6.64 EUR
1000+	6.28 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB64N25S320ATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R041CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	10.97 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R041CFD7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1163 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.59 EUR
10+	13.42 EUR
100+	10.52 EUR
500+	9.32 EUR
1000+	8.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R041CFD7ATMA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R041CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB65R041CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	20.92 EUR
15+	16.56 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R041CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R041CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB65R041CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	20.92 EUR
15+	16.56 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R041CFD7ATMA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V

auf Bestellung 377 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	18.11 EUR
10+	12.42 EUR
100+	9.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7

Infineon

auf Bestellung 167 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 973 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	29.42 EUR
10+	27.89 EUR
20+	26.54 EUR
50+	25.53 EUR
100+	24.6 EUR
250+	23.57 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7

MOSFETs N-Ch 650V 46A D2PAK-2 CoolMOS C7

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 482 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	24.94 EUR
25+	23.44 EUR
50+	22.02 EUR
100+	20.77 EUR
250+	19.81 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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IPB65R045C7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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IPB65R045C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

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IPB65R045C7ATMA1

MOSFETs N-Ch 650V 46A D2PAK-2 CoolMOS C7

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IPB65R045C7ATMA1

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IPB65R045C7ATMA2

Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm

auf Bestellung 789 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	26.87 EUR
11+	21.52 EUR
13+	16.66 EUR
50+	15.27 EUR
100+	13.88 EUR
250+	13.6 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPB65R045C7ATMA2

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 2342 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.4 EUR
10+	13.55 EUR
100+	10.95 EUR
500+	10.83 EUR
1000+	10.25 EUR

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IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 702 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	17.16 EUR
15+	12.01 EUR
25+	11.53 EUR
50+	11.16 EUR
100+	9.9 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

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IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R045C7ATMA2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC
Electrical mounting: SMT

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	10.46 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R045C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

auf Bestellung 2173 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	23.62 EUR
10+	16.37 EUR
50+	13.28 EUR
100+	12.94 EUR
500+	12.21 EUR

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IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 672 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	15.85 EUR
15+	11.25 EUR
25+	10.65 EUR
50+	10.14 EUR
100+	7.88 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

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IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 530 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	11.2 EUR
100+	10.48 EUR
500+	9.72 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

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IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R045C7ATMA2

Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 914 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	26.17 EUR
12+	20.4 EUR
15+	15.21 EUR
50+	13.79 EUR
100+	12.38 EUR
250+	12.13 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPB65R045C7ATMA2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R045C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	9.97 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	9.2 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 710 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	12.22 EUR
50+	11.72 EUR
100+	11.42 EUR
200+	11.22 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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IPB65R045C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	9.17 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R050CFD7AATMA1

Description: INFINEON - IPB65R050CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.84 EUR
14+	16.59 EUR
16+	13.63 EUR
50+	12.32 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPB65R050CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R050CFD7AATMA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

auf Bestellung 568 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.4 EUR
10+	11.19 EUR
100+	8.25 EUR
500+	8.19 EUR
1000+	7.66 EUR

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IPB65R050CFD7AATMA1

Description: INFINEON - IPB65R050CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.84 EUR
14+	16.59 EUR
16+	13.63 EUR
50+	12.32 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPB65R065C7

MOSFETs N-Ch 700V 145A D2PAK-2

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IPB65R065C7

Infineon

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA1

MOSFET N-Ch 700V 145A D2PAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA2

Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.77 EUR
15+	15.71 EUR
17+	12.9 EUR
50+	11.67 EUR
100+	10.44 EUR
250+	10.22 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	8.1 EUR
6000+	7.33 EUR
9000+	6.71 EUR
12000+	6.22 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

auf Bestellung 2829 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.47 EUR
10+	9.12 EUR
100+	6.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	10.89 EUR
24+	7.27 EUR
100+	6.03 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA2

Description: INFINEON - IPB65R065C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.77 EUR
15+	15.71 EUR
17+	12.9 EUR
50+	11.67 EUR
100+	10.44 EUR
250+	10.22 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA2

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1274 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	15.73 EUR
10+	10.7 EUR
100+	7.88 EUR
500+	7.77 EUR
1000+	7.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	11.21 EUR
24+	7.08 EUR
50+	6.89 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R065C7ATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	5.63 EUR

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IPB65R065C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 29000 Stücke:

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1000+	7.45 EUR

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IPB65R065C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB65R075CFD7AATMA1

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

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IPB65R075CFD7AATMA1

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V

auf Bestellung 925 Stücke:

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2+	18.9 EUR
10+	16.2 EUR
100+	13.49 EUR
500+	11.91 EUR

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IPB65R075CFD7AATMA1

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R075CFD7AATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 32A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB65R090CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

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1000+	4.69 EUR

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IPB65R090CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB65R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 84 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 84 Stücke

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IPB65R090CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 980 Stücke:

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21+	8.26 EUR
33+	5.28 EUR
100+	4.36 EUR
500+	4.02 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

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IPB65R090CFD7ATMA1

Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 802 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.92 EUR
10+	6.56 EUR
100+	4.7 EUR
500+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPB65R090CFD7ATMA1

Description: INFINEON - IPB65R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm

auf Bestellung 84 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	13.49 EUR
28+	8.4 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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IPB65R090CFD7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R090CFD7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1015 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.3 EUR
10+	7.58 EUR
100+	5.46 EUR
500+	5.02 EUR
1000+	4.69 EUR

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IPB65R090CFD7ATMA1

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IPB65R095C7

MOSFETs N-Ch 700V 100A D2PAK-2

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IPB65R095C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB65R095C7ATMA1

MOSFETs N-Ch 700V 100A D2PAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB65R095C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	4.69 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB65R095C7ATMA2

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 326 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	6.91 EUR
28+	6.18 EUR
50+	5.43 EUR
100+	5.09 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R095C7ATMA2