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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF530PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.46 EUR
126+1.37 EUR
250+1.24 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.06 EUR
2000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 10253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
10+3.13 EUR
50+2.38 EUR
100+2.13 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.81 EUR
86+0.99 EUR
96+0.89 EUR
102+0.84 EUR
250+0.79 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 14A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+2.03 EUR
100+1.44 EUR
500+1.21 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.76 EUR
10+3.07 EUR
50+2.33 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF530PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF530 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
117+1.99 EUR
142+1.51 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBF-BE3.VISHAYDescription: VISHAY - IRF530PBF-BE3. - MOSFET, N-CH, 100V, 14A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
114+2.03 EUR
121+1.78 EUR
128+1.68 EUR
136+1.58 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530S
Produktcode: 53545
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 670/26
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.04 EUR
10+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SSiliconixN-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.95 EUR
74+2.33 EUR
100+2.12 EUR
250+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 14A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+2.39 EUR
100+2.14 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.82 EUR
100+1.73 EUR
102+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.7 EUR
48+1.78 EUR
60+1.43 EUR
100+1.33 EUR
250+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBFVishayIRF530SPBF 100V, 14A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.82 EUR
100+1.69 EUR
102+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF530SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.07 EUR
87+2.67 EUR
104+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF530STRLPBF - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 14A, TO-263-3
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.93 EUR
57+4.13 EUR
60+3.58 EUR
64+3.37 EUR
100+3.08 EUR
250+2.92 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.94 EUR
78+2.2 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 100V 14 Amp
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+2.81 EUR
100+2.09 EUR
500+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.57 EUR
60+2.83 EUR
78+2.08 EUR
100+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRPBFIR
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.82 EUR
10+3.11 EUR
50+2.36 EUR
100+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF530STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 14A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.74 EUR
10+2.32 EUR
100+2.09 EUR
500+1.54 EUR
800+1.46 EUR
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IRF530STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF530STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF532Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF532HARRISIRF532
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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IRF5340TRIOR07+ MSOP8
auf Bestellung 13650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF540NXPN-кан. MOSFET 100V, 22A, 0.055Ом, 85Вт, -55...+175, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF540STMicroelectronicsN-канальный ПТ (Vds=100V, Id=30A@T=25C, Id=21A@T=100C, Rds=0.05 R@Vgs=10V, P=150W, -55 to 175C).... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF540onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF540ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
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IRF540STMN-кан. MOSFET 100V, 22A, 0.055Ом, 85Вт, -55...+175, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
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IRF540Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF540Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
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IRF540SiliconixN-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF540ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF540 - MOSFET, N TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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IRF540STMicroelectronicsN-канальный ПТ (Vds=100V, Id=30A@T=25C, Id=21A@T=100C, Rds=0.05 R@Vgs=10V, P=150W, -55 to 175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
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IRF540STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF540
Produktcode: 7921
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 28 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Montage: THT
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1+0.55 EUR
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IRF540STMicroelectronicsMOSFETs MOSFET 100V .077 OHM M
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IRF540,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540,127NXPIRF540,127 IRF540/G N-кан. MOSFET 100V, 22A, 0.055Ом, 85Вт, -55...+175, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
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IRF540-321LIR2003 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF540/SNXP SemiconductorsMOSFETs
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IRF5407PBFIOR2007
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF540AONS/FAI(MFET,N-CH,94W,100V,27A,TO-220AB) Транзистори
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IRF540AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540AonsemiMOSFETs TO-220 N-Ch A-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540B
Produktcode: 30163
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 28 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540F1STMMOSFET 100V, 22A, 85Вт, -55...+175, Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540G
Produktcode: 23705
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 28 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540LInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 R@Vgs=10V, P=140W, -55 to 175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 1381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
133+1.75 EUR
149+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N
Produktcode: 1956
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.83 EUR
10+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NInfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N IR
auf Bestellung 37000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N 33A 100V N-ch TO-220
Produktcode: 205784
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 60A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-CN CHIPNOBO TIRF540n CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NLInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NL
Produktcode: 83091
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-262
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 44 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.5 EUR
10+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NLInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF540NLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF540NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF540NLPBFInternational RectifierТранзистори
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IRF540NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 21716 Stücke:
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341+1.92 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
10000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 2853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.88 EUR
50+1.4 EUR
100+1.25 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRF540NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.82 EUR
75+1.13 EUR
94+0.92 EUR
118+0.73 EUR
135+0.63 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRF540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 9647 Stücke:
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116+1.5 EUR
117+1.44 EUR
199+0.81 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.74 EUR
4000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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IRF540NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ptot, Вт = 130, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 60
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
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738+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
10000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 738 Stücke
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IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
  • 26 St. - stock Köln
auf Bestellung: 459 St.
  • 459 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
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IRF540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRF540NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 47385 Stücke:
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50+5.07 EUR
78+3 EUR
115+1.87 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.32 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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738+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 738 Stücke
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IRF540NPBFJSMSEMI(MFET,N-CH,94W,100V,27A,TO-220AB) Транзистори
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IRF540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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116+1.5 EUR
117+1.46 EUR
199+0.84 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.8 EUR
4000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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IRF540NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
auf Bestellung 12808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.31 EUR
100+1.17 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.76 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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