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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMUN2111LT1G
Produktcode: 49208
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 133089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.25 EUR
22+0.15 EUR
100+0.096 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
auf Bestellung 12464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.17 EUR
736+0.12 EUR
1083+0.079 EUR
1289+0.065 EUR
1634+0.052 EUR
1977+0.043 EUR
2393+0.036 EUR
3312+0.026 EUR
6000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 34387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25211+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 25211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GON-SemiconductorPNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2111LT1G TMMUN2111lt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2653+0.065 EUR
3534+0.048 EUR
4017+0.04 EUR
4238+0.037 EUR
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 2653 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 19497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
134+0.15 EUR
216+0.098 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 53920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
747+0.33 EUR
1415+0.17 EUR
2399+0.089 EUR
3040+0.07 EUR
15000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 747 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25211+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 25211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2111LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 560000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 14323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1985+0.088 EUR
2786+0.061 EUR
3691+0.044 EUR
3817+0.04 EUR
5000+0.032 EUR
10000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1985 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 14323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1985+0.088 EUR
2786+0.062 EUR
3691+0.045 EUR
3817+0.043 EUR
5000+0.036 EUR
10000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 1985 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 19584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.069 EUR
2500+0.058 EUR
5000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
134+0.15 EUR
216+0.098 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.062 EUR
2000+0.054 EUR
5000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111RLRC07+ SOT-23
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111RLT1/A6ALRC02+ SOT-23
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111T1On SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111T1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
100000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1
auf Bestellung 639000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2112LT1 - TRANSISTOR, DIGITAL SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.057 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 8395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
725+0.35 EUR
1250+0.19 EUR
1938+0.11 EUR
2703+0.08 EUR
3059+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 82517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2112LT1G TMMUN2112
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3624+0.048 EUR
4855+0.036 EUR
5495+0.031 EUR
5650+0.029 EUR
6000+0.027 EUR
15000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3624 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 16753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 8395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
725+0.35 EUR
1250+0.19 EUR
1938+0.11 EUR
2703+0.08 EUR
3059+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
auf Bestellung 3365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.17 EUR
725+0.12 EUR
848+0.1 EUR
1038+0.082 EUR
1191+0.071 EUR
1558+0.055 EUR
1793+0.048 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1303+0.13 EUR
2170+0.077 EUR
2321+0.069 EUR
3572+0.044 EUR
3624+0.042 EUR
4855+0.03 EUR
5495+0.025 EUR
5650+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 1303 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 49470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
113+0.19 EUR
182+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3876+0.064 EUR
9000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3876 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.054 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.054 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1ON Semicondu2000
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GOn SemiconductorЦифровой транзистор PNP R1=47кОм, R2=47кОм, SOT-23-3 (SC-59) (SMD) Транзистори
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
auf Bestellung 754690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11823+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 11823 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 627000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.032 EUR
100000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.2 EUR
705+0.12 EUR
1191+0.071 EUR
1651+0.051 EUR
1866+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2113LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 714500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
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MMUN2113LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1645+0.11 EUR
2348+0.071 EUR
2748+0.058 EUR
3746+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 1645 Stücke
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MMUN2113LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMUN2113LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2113LT1G TMMUN2113
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 34190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
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MMUN2113LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 44913 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
10+0.36 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.086 EUR
1000+0.075 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1645+0.11 EUR
2348+0.073 EUR
2748+0.061 EUR
3746+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1645 Stücke
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MMUN2113LT1G
Produktcode: 66812
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MMUN2113LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT3onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
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MMUN2113LT3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT3onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40000 Stücke
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MMUN2113LT3GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 5867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
2500+0.069 EUR
5000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MMUN2113LT3G
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 9870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
113+0.19 EUR
182+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
2000+0.064 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23
Packaging: Bulk
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1ON2005 TO223
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2114LT1 - TRANSISTOR, DIGITAL SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13889+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 13889 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 38645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
695+0.36 EUR
1387+0.17 EUR
1839+0.12 EUR
2532+0.084 EUR
3165+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 695 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48000+0.042 EUR
60000+0.04 EUR
75000+0.037 EUR
120000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 48000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
122+0.17 EUR
198+0.11 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
582+0.14 EUR
667+0.13 EUR
973+0.088 EUR
1147+0.074 EUR
1645+0.051 EUR
1712+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1G
Produktcode: 152085
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.32 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 38645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
695+0.36 EUR
1387+0.17 EUR
1839+0.12 EUR
2532+0.084 EUR
3165+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 695 Stücke
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MMUN2114LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2114LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Resistors Included: R1 and R2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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3000+0.052 EUR
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MMUN2114LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2114LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2114LT3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
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MMUN2114LT3GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP 50V SOT23
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13+0.27 EUR
20+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.075 EUR
1000+0.058 EUR
5000+0.05 EUR
10000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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MMUN2114LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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122+0.17 EUR
198+0.11 EUR
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1000+0.068 EUR
2000+0.06 EUR
5000+0.05 EUR
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MMUN2114LT3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2114LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 40000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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MMUN2114LTU1G
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MMUN2114RLT1
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MMUN2115LT1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
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MMUN2115LT1
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MMUN2115LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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MMUN2115LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
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45000+0.036 EUR
75000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 45000 Stücke
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MMUN2115LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57438 Stücke:
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3907+0.044 EUR
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