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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMU0102WE7501BB100Vishay Beyschlag/Draloric/BC ComponentsDescription: MMU 0102-15 0.1% VG03 B1 7K5
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±0.1%
Features: Military
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MELF, 0102
Temperature Coefficient: ±15ppm/°C
Size / Dimension: 0.043" Dia x 0.087" L (1.10mm x 2.20mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0102
Resistance: 7.5 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU0102WE7501BB100Vishay / BeyschlagMELF Resistors MMU 0102-15 0.1% VG03 B1 7K5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU0102WE7501BB300Vishay Beyschlag/Draloric/BC ComponentsDescription: MMU 0102-15 0.1% VG03 BL 7K5
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±0.1%
Features: Military
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MELF, 0102
Temperature Coefficient: ±15ppm/°C
Size / Dimension: 0.043" Dia x 0.087" L (1.10mm x 2.20mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0102
Resistance: 7.5 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU0102WE8250BB100Vishay / BeyschlagMELF Resistors MMU 0102-15 0.1% VG03 B1 825R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU0102WE8250BB100Vishay Beyschlag/Draloric/BC ComponentsDescription: MMU 0102-15 0.1% VG03 B1 825R
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±0.1%
Features: Military
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MELF, 0102
Temperature Coefficient: ±15ppm/°C
Size / Dimension: 0.043" Dia x 0.087" L (1.10mm x 2.20mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0102
Resistance: 825 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU0102WE8251BB100Vishay Beyschlag/Draloric/BC ComponentsDescription: MMU 0102-15 0.1% VG03 B1 8K25
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±0.1%
Features: Military
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MELF, 0102
Temperature Coefficient: ±15ppm/°C
Size / Dimension: 0.043" Dia x 0.087" L (1.10mm x 2.20mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0102
Resistance: 8.25 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU0102WE8451BB100Vishay Beyschlag/Draloric/BC ComponentsDescription: MMU 0102-15 0.1% VG03 B1 8K45
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±0.1%
Features: Military
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MELF, 0102
Temperature Coefficient: ±15ppm/°C
Size / Dimension: 0.043" Dia x 0.087" L (1.10mm x 2.20mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0102
Resistance: 8.45 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU0102WE8981BB100Vishay Beyschlag/Draloric/BC ComponentsDescription: MMU 0102-15 0.1% VG03 B1 8K98
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±0.1%
Features: Military
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MELF, 0102
Temperature Coefficient: ±15ppm/°C
Size / Dimension: 0.043" Dia x 0.087" L (1.10mm x 2.20mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0102
Resistance: 8.98 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU0102WZ0000ZB300VISHAYDescription: VISHAY - MMU0102WZ0000ZB300 - Null-Ohm-Widerstand, Jumper, MELF 0102 [Metrisch 2211], Dünnschichtwiderstand, 200 mW, 2 A
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MELF 0102 [Metrisch 2211]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Widerstandsmontage: Oberflächenmontage
Nennleistung: 200mW
isCanonical: N
Widerstand: 0ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Nennstrom: 2A
Produktlänge: 2.2mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produktpalette: MMU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU0102WZ0000ZB300VISHAYDescription: VISHAY - MMU0102WZ0000ZB300 - Null-Ohm-Widerstand, Jumper, MELF 0102 [Metrisch 2211], Dünnschichtwiderstand, 200 mW, 2 A
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MELF 0102 [Metrisch 2211]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Widerstandsmontage: Oberflächenmontage
Nennleistung: 200mW
isCanonical: Y
Widerstand: 0ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Nennstrom: 2A
Produktlänge: 2.2mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: MMU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU0102WZ0000ZB300Vishay / BeyschlagMELF Resistors Zero Ohm Jumper 0102 MELF 150V
auf Bestellung 16347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.7 EUR
25+0.54 EUR
100+0.48 EUR
250+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU0102WZ0000ZB300VISHAYDescription: VISHAY - MMU0102WZ0000ZB300 - Null-Ohm-Widerstand, Jumper, MELF 0102 [Metrisch 2211], Dünnschichtwiderstand, 200 mW, 2 A
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MELF 0102 [Metrisch 2211]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Widerstandsmontage: Oberflächenmontage
Nennleistung: 200mW
isCanonical: N
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Nennstrom: 2A
Produktlänge: 2.2mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: MMU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU102C898459AFUJI
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU5PBHJ-LFMSTAR06+ PQFP128
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU5PBWHJ-LFMSTAR08+ PQFP128
auf Bestellung 60227 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU5QBWHQ-LFMSTAR08+ PQFP128
auf Bestellung 98548 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU5QWHQ-LFMSTAR06+ QFP128
auf Bestellung 98500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMU5RBWHQ-LFMSTAR08+ PQFP128
auf Bestellung 22851 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUL2-1A01ALCATEL
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUL21A01ALCATEL
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUM2241LT1
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2110RLTILRC07+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111
Produktcode: 4078
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Spannung Uce, V: 50 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 60
Bemerkung: Digitaltransistor
auf Bestellung: 553 St.
  • 553 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.079 EUR
10+0.058 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.036 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111Lonsemi SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1ON07+;
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2111LT1 - TRANSISTOR, DIGITAL SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23
Packaging: Bulk
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 19497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
134+0.15 EUR
216+0.098 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 34387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25211+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 25211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.048 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GON-SemiconductorPNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2111LT1G TMMUN2111lt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
auf Bestellung 12464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.17 EUR
736+0.12 EUR
1083+0.079 EUR
1289+0.065 EUR
1634+0.052 EUR
1977+0.043 EUR
2393+0.036 EUR
3312+0.026 EUR
6000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2653+0.064 EUR
3534+0.046 EUR
4017+0.039 EUR
4238+0.036 EUR
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 2653 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 133089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.25 EUR
22+0.15 EUR
100+0.096 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 53920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
747+0.33 EUR
1415+0.17 EUR
2399+0.089 EUR
3040+0.07 EUR
15000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 747 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25211+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 25211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GOn SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2653+0.064 EUR
3534+0.048 EUR
4017+0.042 EUR
4238+0.038 EUR
6000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 2653 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 53920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
747+0.33 EUR
1415+0.17 EUR
2399+0.089 EUR
3040+0.07 EUR
15000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 747 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1G
Produktcode: 49208
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2111LT3GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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MMUN2111LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2111LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMUN2111LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 10000 Stücke:
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84+0.25 EUR
134+0.15 EUR
216+0.098 EUR
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5000+0.046 EUR
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MMUN2111LT3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1985+0.087 EUR
2786+0.06 EUR
3691+0.043 EUR
3817+0.04 EUR
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10000+0.026 EUR
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MMUN2111LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 10000 Stücke:
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MMUN2111LT3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2111RLRC07+ SOT-23
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MMUN2111RLT1/A6ALRC02+ SOT-23
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MMUN2111T1On SemiconductorТранзистори
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MMUN2111T1
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MMUN2112LT1
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MMUN2112LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2112LT1 - TRANSISTOR, DIGITAL SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 111000 Stücke:
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15000+0.1 EUR
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MMUN2112LT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
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MMUN2112LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
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13275+0.049 EUR
100000+0.04 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 49470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
113+0.19 EUR
182+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3624+0.048 EUR
4855+0.035 EUR
5495+0.03 EUR
5650+0.029 EUR
6000+0.027 EUR
15000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3624 Stücke
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MMUN2112LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 8395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
725+0.35 EUR
1250+0.19 EUR
1938+0.11 EUR
2703+0.08 EUR
3059+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.057 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1303+0.13 EUR
2170+0.076 EUR
2321+0.069 EUR
3572+0.043 EUR
3624+0.04 EUR
4855+0.029 EUR
5495+0.025 EUR
5650+0.024 EUR
6000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 1303 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3876+0.064 EUR
9000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3876 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.052 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2112LT1G TMMUN2112
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.052 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
auf Bestellung 3345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.17 EUR
725+0.12 EUR
848+0.1 EUR
1038+0.082 EUR
1191+0.071 EUR
1558+0.055 EUR
1793+0.048 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 16753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2112LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 8395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
725+0.35 EUR
1250+0.19 EUR
1938+0.11 EUR
2703+0.08 EUR
3059+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1ON Semicondu2000
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 627000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.032 EUR
100000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2113LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 714500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.057 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMUN2113LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1645+0.1 EUR
2348+0.07 EUR
2748+0.058 EUR
3746+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1645 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Current gain: 80...140
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT23; TO236AB
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.2 EUR
705+0.12 EUR
1191+0.071 EUR
1651+0.051 EUR
1770+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
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MMUN2113LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 34190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2113LT1G TMMUN2113
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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MMUN2113LT1G
Produktcode: 66812
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MMUN2113LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1645+0.1 EUR
2348+0.073 EUR
2748+0.061 EUR
3746+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1645 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2113LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
113+0.19 EUR
183+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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MMUN2113LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
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20000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
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MMUN2113LT1GOn SemiconductorЦифровой транзистор PNP R1=47кОм, R2=47кОм, SOT-23-3 (SC-59) (SMD) Транзистори
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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MMUN2113LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 44640 Stücke:
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11+0.31 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MMUN2113LT3
auf Bestellung 10000 Stücke:
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MMUN2113LT3onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 40000 Stücke
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MMUN2113LT3onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10000 Stücke:
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7869+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
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MMUN2113LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 7370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
113+0.19 EUR
183+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.073 EUR
2000+0.064 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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MMUN2113LT3GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 5867 Stücke:
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10+0.36 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
2500+0.069 EUR
5000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MMUN2113LT3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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