Produkte > STD

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 5 10 15 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 40 45 50 53  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STD27GK16SIRECTIFIER05+
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD27GK16И«РВIXYS
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD27GK18SIRECTIFIER05+
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD27N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD27N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
auf Bestellung 1638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD27N3LH5
auf Bestellung 27600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD27N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
auf Bestellung 1638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2805STMicroelectronicsSTMicroelectronics Low voltage fast-switching PNP power transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2805T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
13+1.73 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2805T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.76 EUR
5000+1.68 EUR
10000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2805T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.76 EUR
5000+1.71 EUR
10000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2805T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2805T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2805T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LV fast-switching PNP power trans
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD28NF03L-TR
auf Bestellung 58700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD28NF06-TR
auf Bestellung 58700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD28P3LLH6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD28P3LLH6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD28P3LLH6AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 0.027 Ohm typ -12 A, STripFET H6 Power MOSFET
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+2.2 EUR
100+1.71 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD28P3LLH6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD28P3LLH6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2955T4GonsemiSwitching Controllers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD29NE03L-TR
auf Bestellung 58700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD29NF03LST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD29NF03L-T4
auf Bestellung 58700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2E1-53Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2E1-53Carling TechnologiesToggle Switches 16A 12/24V ON-ON 2P QC No Panel Seal
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+68.57 EUR
10+62.39 EUR
20+59.48 EUR
50+55.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2E1-53/HDW ASSMCarling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2E1-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPDT
Switch Function: On-On
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2E1-58Carling TechnologiesToggle Switches STD2E1-58
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+109.65 EUR
10+69.94 EUR
20+69.91 EUR
200+67.21 EUR
500+67.13 EUR
1000+67.02 EUR
2000+66.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2E1-78Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V
Voltage Rating - DC: 24 V
Part Status: Active
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Actuator Type: Standard Round
Actuator Length: 17.45mm
Illumination: Non-Illuminated
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Switch Function: On-On
Circuit: DPDT
Mounting Type: Panel Mount
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2E1-78Carling TechnologiesToggle Switches STD2E1-78
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2E4-53Carling TechnologiesSwitch Toggle ON None ON DPDT Bat Lever Screw 16A 24VDC Panel Mount with Threads Automotive
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+136.79 EUR
5+115.14 EUR
10+106.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2E4-53Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2E4-53Carling TechnologiesToggle Switches 2-pole, ON - None - ON, 16A 12/24VDC not HP rated, Non-Illuminated, Sealed Dull Nickel Toggle Switch with Screw with Cage Clamps
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.98 EUR
181+0.95 EUR
184+0.92 EUR
250+0.88 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+2.83 EUR
100+1.92 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.3 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60ZSTMN-CH 600V 4.4A 4.8 Om DPAK-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.99 EUR
179+0.94 EUR
181+0.89 EUR
184+0.84 EUR
250+0.8 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 1902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.56 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60Z
Produktcode: 61746
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.58 EUR
80+1.07 EUR
107+0.8 EUR
200+0.76 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
75+1.74 EUR
150+1.57 EUR
525+1.31 EUR
1050+1.2 EUR
2025+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60Z-1
Produktcode: 88433
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60Z-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2HNK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.75 EUR
124+1.88 EUR
184+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2HNK60ZT4
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2LN60K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.44 EUR
138+1.21 EUR
140+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2LN60K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
auf Bestellung 9298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+1.57 EUR
100+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2LN60K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
13+1.73 EUR
100+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2LN60K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2LN60K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2LN60K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.09 EUR
137+1.7 EUR
197+1.09 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.69 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2LN60K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2LN60K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2LN60K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2LN60K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 14994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.93 EUR
148+1.57 EUR
197+1.09 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.71 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N105K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.27 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.78 EUR
68+2.55 EUR
100+2.09 EUR
200+1.95 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.7 EUR
2000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.42 EUR
5000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N105K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.7 EUR
79+2.95 EUR
100+2.27 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N105K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 7392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+3.01 EUR
100+2.39 EUR
250+2.37 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.73 EUR
2500+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N105K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1050V; 0.95A; 60W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8Ω
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 60W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.05kV
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+3.03 EUR
40+2.13 EUR
48+1.78 EUR
55+1.57 EUR
100+1.39 EUR
200+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
auf Bestellung 5765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
10+3.11 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N50ST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N50-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N52
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+0.74 EUR
240+0.7 EUR
244+0.67 EUR
248+0.63 EUR
252+0.6 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N62K3STTransistor N-Channel MOSFET; 620V; 30V; 3,6Ohm; 2,2A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD2N62K3 TSTD2N62K3
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.4 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.07 EUR
5000+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.07 EUR
170+0.99 EUR
250+0.96 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V
auf Bestellung 3841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.81 EUR
10+2.2 EUR
100+1.54 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.12 EUR
161+1 EUR
170+0.92 EUR
250+0.88 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
auf Bestellung 3927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+2.48 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.2 EUR
2500+1.08 EUR
5000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.96 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.34 EUR
91+2.57 EUR
134+1.61 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.02 EUR
183+0.94 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 45W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD2N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 5 10 15 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 40 45 50 53  [ Nächste Seite >> ]