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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N2195B TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 45Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 150mA 20pF
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2N2196
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2N2197MOTOROLA
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2N2198MOTCAN
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2N2199MOTCAN
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2N219AMOTOROLA
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2N22MOTOROLA
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2N220MOTOROLA
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2N2200MOTCAN
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2N2201Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N2201Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
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2N2202MOTCAN
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2N2203MOTCAN
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2N2204MOTOROLA
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2N2205MOTOROLA
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2N2205Central SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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2N2206MOTCAN
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2N2208CAN
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2N2209MOTCAN
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2N220AMOTOROLA
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2N221MOTOROLA
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2N2210
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2N2214CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
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2N2216MOTCAN
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2N2217CAN
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2N2217AMOTCAN
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2N2218Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2218Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
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2N2218MOTOROLA
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2218 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 3 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2218 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.34 EUR
10+4.14 EUR
100+3.25 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.18 EUR
5000+2.15 EUR
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2N2218 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW
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2N2218AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2218AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.76 EUR
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2N2218AMOTOROLA
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2218AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2218AMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2218A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 800 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2N2218A PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 0.8A TO-39
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.57 EUR
10+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2N2218A PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
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2N2218A TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 800mW
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2N2218A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2218AJTXNational SemiconductorDescription: NPN SILICON SWITCHING TRANS, 30V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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2N2218ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2218ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2218AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2219CentralsemiNPN 40V 0.8A TO-39 Транзистори
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2N2219Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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 Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219Renesas / IntersilBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219CDILNPN 800mA 40V 800mW 300MHz 2N2219 T2N2219
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39
Case: TO39
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.8/3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.8A
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1.19 EUR
103+0.83 EUR
170+0.5 EUR
189+0.45 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219MICROSEMITO-39
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219
Produktcode: 190857
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.06 EUR
10+3.93 EUR
100+2.73 EUR
500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
10+3.83 EUR
100+2.75 EUR
500+2.23 EUR
1000+1.92 EUR
5000+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 800MA 800MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219 [A] (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 39848
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-5
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 A
Stromverstärkung h21: 325
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.64 EUR
10+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219ASTMTO-39 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219ACDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39
Case: TO39
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.8/3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 100...300
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.8A
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.77 EUR
25+13.44 EUR
50+13.1 EUR
100+12.05 EUR
250+11.4 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219ACDILBIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219AMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
103+2.27 EUR
127+1.69 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219Aonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219ACDILTO-39 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.64 EUR
100+10.23 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219AMICROSEMITO-39/600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N2219
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
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2+12.21 EUR
100+11.34 EUR
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2N2219AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
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2N2219AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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15+11.64 EUR
100+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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2N2219ACentral Semiconductor Corp.Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,8, Uceo, В = 40, Ic = 800 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 250, hFE = 40 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+200, Аналог КТ630Б,... Транзистори Корпус: TO-39-3
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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2N2219ARectronBipolar Transistors - BJT TO-39
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2N2219A PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Box
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2N2219A PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
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1+6.28 EUR
10+3.94 EUR
100+2.84 EUR
500+2.31 EUR
1000+1.98 EUR
5000+1.95 EUR
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2N2219A PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 0.8A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 2246 Stücke:
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4+6.26 EUR
10+4.07 EUR
100+2.83 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.13 EUR
2000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2N2219A PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Box
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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2N2219A PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8W; TO39
Case: TO39
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: bulk
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.8A
auf Bestellung 421 Stücke:
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15+6.06 EUR
21+4.08 EUR
25+3.51 EUR
100+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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2N2219A TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 800mW
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2N2219A TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 40V 800MA 800MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2N2219A-BMCC2004
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2N2219A-CDI
Produktcode: 181199
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2N2219A-CDICDILBIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2N2219A-O-BSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2219A-O-BSemelab (TT electronics)High Speed Medium Power, Npn Switching Transistor
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 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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2N2219AE3Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
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 Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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2N2219AE3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Lead-Free Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.83 EUR
100+12.82 EUR
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2N2219Ae3/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2219AE4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219AE4Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Lead-Free Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2219AE4Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2219Ae4/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2219AJANMICROSEMITO-39NPN Transistor 2N2219A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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2N2219AJTXVNational SemiconductorDescription: NPN SILICON SWITCHING TRANS, 30V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
66+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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