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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUZ31H3046Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31H3046XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31H3046XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 6539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31H3046XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ31H3046XKSA1 - BUZ31 - 120V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
477+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31H3046XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 14.5A I2PAK-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31H3046XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
auf Bestellung 7239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
337+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 337 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31H3046XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31HXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ31HXKSA1 - BUZ31 - 120V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
auf Bestellung 3411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
341+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31LInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 13.5A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31LINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31L E3044AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31L E3044AINFTO-263
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31L E3044AInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31L HInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 13.5A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31L HInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31LHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31SMDInfineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31SMD
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ32Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 9.5A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32INFTO-220
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32 E3045AInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32 E3045AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32 HInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 9.5A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32 HInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32 H3045AInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 9.5A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32 L3045AINFTO-263
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32 L3045AInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 9.5A TO220FP-3
Produkt ist nicht verfügbar
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BUZ32 SMDInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFETs (20 V to 300 V) OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
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BUZ323Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BUZ323ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ323 - BUZ323 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+7.62 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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BUZ323
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ325INFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ326
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ326 Transistor
Produktcode: 86197
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32H3045AInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
536+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 536 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32H3045AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32HKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+0.83 EUR
256+0.67 EUR
302+0.55 EUR
330+0.48 EUR
359+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32HXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ32HXKSA1 - BUZ32 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9.
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
488+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 488 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
507+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 507 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32INRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32L3045AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32SMD
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ33PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ330INFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ331Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
122+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ331INFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ331ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ331 - BUZ331 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ332ASIEMENS
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ334SIEMENS(MFET,N-CH,600V,12A,TO-218AA) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ334INFENION
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ335
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ338SIEMENS99+ SOT23
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ339
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ34PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ341INF09+
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ341
Produktcode: 77799
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-218AA
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2600/
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ341Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ342
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ344INFINEON
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ345INFINEON07+ QFP
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ346
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ346S2
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BUZ35PHIL\MOT01+ TO-3
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BUZ350Infineon TechnologiesMOSFETs
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BUZ350
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BUZ350SEMINESSSOP30
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BUZ351
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BUZ354
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BUZ355INFINEON09+
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BUZ355ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ355 - BUZ355 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BUZ355Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
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BUZ356
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BUZ357SIEMENS
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BUZ36PHIL\MOT01+ TO-3
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BUZ377
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BUZ380
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BUZ382INFINEON09+
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BUZ383
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BUZ384
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BUZ384
Produktcode: 46009
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BUZ385
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BUZ40BINFINEON09+
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BUZ41
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BUZ41AHARRISBUZ41A
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BUZ41AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
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179+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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BUZ41AINFINEON09+
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BUZ41AHARRISBUZ41A
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237+2.8 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
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BUZ41A /SILInfineon(MFET,N-CH,500V,4.5A,75W,TO-220) Транзистори
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BUZ42Infineon(MFET,N-CH,500V,4A,75W,TO-220) Транзистори
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