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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUZ31H3046XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31H3046XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 6539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31H3046XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ31H3046XKSA1 - BUZ31 - 120V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
477+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
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BUZ31H3046XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 14.5A I2PAK-3
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BUZ31H3046XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
auf Bestellung 7239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
337+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 337 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31H3046XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31HXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ31HXKSA1 - BUZ31 - 120V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
auf Bestellung 3411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
341+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
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BUZ31LInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 13.5A TO220-3
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BUZ31LINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ31LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31L E3044AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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BUZ31L E3044AInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
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BUZ31L E3044AINFTO-263
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ31L HInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 13.5A TO220-3
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BUZ31L HInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ31LHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
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BUZ31SMD
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ31SMDInfineon TechnologiesMOSFET
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BUZ32Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 9.5A TO220-3
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BUZ32INFTO-220
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ32Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32 E3045AInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32 E3045AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
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BUZ32 HInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 9.5A TO220-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32 HInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
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BUZ32 H3045AInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 9.5A TO220-3
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BUZ32 L3045AInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 9.5A TO220FP-3
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BUZ32 L3045AINFTO-263
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ32 SMDInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFETs (20 V to 300 V) OptiMOS
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BUZ323Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BUZ323
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ323ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ323 - BUZ323 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+7.62 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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BUZ325INFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ326
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ326 Transistor
Produktcode: 86197
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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BUZ32H3045AInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
536+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 536 Stücke
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BUZ32H3045AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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BUZ32HKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
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BUZ32HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+0.81 EUR
256+0.65 EUR
302+0.52 EUR
330+0.46 EUR
359+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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BUZ32HXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ32HXKSA1 - BUZ32 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9.
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
488+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 488 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
507+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 507 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32INRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ32L3045AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
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BUZ32SMD
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ33PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ330INFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ331Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
122+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ331INFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ331ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ331 - BUZ331 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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BUZ332ASIEMENS
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ334INFENION
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ334SIEMENS(MFET,N-CH,600V,12A,TO-218AA) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ335
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ338SIEMENS99+ SOT23
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ339
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ34PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ341
Produktcode: 77799
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InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-218AA
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2600/
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.69 EUR
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BUZ341INF09+
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ341Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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BUZ342
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ344INFINEON
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ345INFINEON07+ QFP
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ346
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ346S2
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ347
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ348
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ349
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ35PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ350Infineon TechnologiesMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ350SEMINESSSOP30
auf Bestellung 101000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUZ350
Produktcode: 29268
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BUZ355ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ355 - BUZ355 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BUZ355Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
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BUZ41AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
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BUZ41AHARRISBUZ41A
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BUZ41A /SILInfineon(MFET,N-CH,500V,4.5A,75W,TO-220) Транзистори
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BUZ42SIEMENS
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BUZ42Infineon(MFET,N-CH,500V,4A,75W,TO-220) Транзистори
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