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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMA530PZonsemi / FairchildMOSFETs -30V P-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 14213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.73 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.69 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA530PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA530PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 1238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA530PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
129+1.81 EUR
176+1.23 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA530PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA530PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
929+0.7 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 929 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA530PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
129+1.81 EUR
176+1.23 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA530PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA530PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZTONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 375297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
132+1.76 EUR
185+1.15 EUR
500+0.76 EUR
3000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
auf Bestellung 12063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
565+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 565 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.51 EUR
129+1.3 EUR
132+1.23 EUR
169+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.34 EUR
132+1.31 EUR
169+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZTonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZTONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: µFET
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 375297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
132+1.76 EUR
185+1.15 EUR
500+0.76 EUR
3000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZTONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.6A; 1.4W; MicroFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Gate charge: 17nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.17Ω
Case: MicroFET
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZTonsemi / FairchildMOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.84 EUR
10+1.64 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6676PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6676PZonsemi / FairchildMOSFETs Single P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -11A, 13.5mohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6676PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA710PZFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7628ON Semiconductor / FairchildMOSFET Snlg PT4, N 20/8V in MLP 2.05x2.05
auf Bestellung 4864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7628ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA7628 - FDMA7628, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7628Fairchild SemiconductorDescription: FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 89038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
962+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7630onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+0.39 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7630onsemi / FairchildMOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 22798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.12 EUR
100+1 EUR
24000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7630onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V
auf Bestellung 10130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7632ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 10311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7632ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7632ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7670onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7670onsemi / FairchildMOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA7670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.015 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 208870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7672onsemi / FairchildMOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7672onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
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FDMA7672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7672onsemiMOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.82 EUR
10+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDMA7672ONN
auf Bestellung 2770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7672onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
auf Bestellung 3739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
19+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA7672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R
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FDMA7672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8051LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8051Lonsemi / FairchildMOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22
auf Bestellung 14806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.74 EUR
100+1.4 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.94 EUR
3000+0.84 EUR
6000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8051LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.82 EUR
6000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8051LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8051LON Semiconductor / FairchildMOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22
auf Bestellung 4056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8051LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 15666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
11+1.96 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86108LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 53131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
10+2.23 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86108LZONN
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86108LZonsemi / FairchildMOSFETs Single N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 17402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.8 EUR
100+1.25 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86108LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.94 EUR
6000+0.89 EUR
9000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86108LZON Semiconductor / FairchildMOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP
auf Bestellung 4247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86151LON Semiconductor / FairchildMOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22
auf Bestellung 12428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86151LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
auf Bestellung 3001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
10+2.27 EUR
100+1.77 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86151LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
112+2.07 EUR
166+1.3 EUR
500+1.05 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86151Lonsemi / FairchildMOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+1.14 EUR
100+1.12 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86151LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86151LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
119+1.95 EUR
155+1.39 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86251ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86251onsemi / FairchildMOSFETs 150V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 15788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.44 EUR
100+1.05 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.69 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86251ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.4A; Idm: 12A; 2.4W; MicroFET
Case: MicroFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 2.4A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86251onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86251ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86251onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.7 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
120+1.95 EUR
154+1.4 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.28 EUR
11+2.08 EUR
100+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86265Ponsemi / FairchildMOSFETs -150 P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.87 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.8 EUR
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 1.2 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86551Lonsemi / FairchildMOSFET FET 60V 23.0 MOHM MLP22
auf Bestellung 63647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+2.23 EUR
100+1.73 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.13 EUR
3000+1.05 EUR
6000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86551LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
133+1.75 EUR
169+1.27 EUR
500+1.17 EUR
1500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86551LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.92 EUR
6000+0.88 EUR
9000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86551LonsemiMOSFETs 60V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 12977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.26 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.05 EUR
3000+0.96 EUR
6000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86551LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
133+1.75 EUR
169+1.27 EUR
500+1.17 EUR
1500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA86551LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 41265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
12+1.82 EUR
100+1.42 EUR
500+1.2 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
auf Bestellung 20544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.32 EUR
10+2.76 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8878onsemi / FairchildMOSFETs N-CHAN 30V 9A 2.4W
auf Bestellung 5997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.82 EUR
100+1.44 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8878ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.013 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 11447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
319+0.79 EUR
351+0.67 EUR
372+0.57 EUR
385+0.56 EUR
419+0.51 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.14 EUR
6000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8878ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W
auf Bestellung 4358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8878-F130onsemiDescription: 30V SINGLE N-CHANNEL POWER TRENC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1337705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
926+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 926 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8878-F130ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA8878-F130 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8884ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET
auf Bestellung 234000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8884Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
auf Bestellung 527023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 932 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8884ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8884ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA8884Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 932 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA905PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V
auf Bestellung 54118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA905Ponsemi / FairchildMOSFETs -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.49 EUR
10+1.04 EUR
100+0.71 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA905PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA905PONN
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA905P-SN00294onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 10A
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA908PZonsemi / FairchildMOSFET Single P-Channel PowerTrench MOSFET -12V, -12A, 12.5mohm
auf Bestellung 86094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.58 EUR
10+1.34 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.57 EUR
6000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA908PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0125 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA908PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 23650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
6000+0.6 EUR
9000+0.57 EUR
15000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA908PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0125 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA908PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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