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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FFSB0865AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.03 EUR
2400+2.88 EUR
4800+2.7 EUR
5600+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.57 EUR
10+4.3 EUR
100+3.56 EUR
500+3.45 EUR
800+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.37 EUR
55+3.11 EUR
100+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865AON Semiconductor
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 15.4A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15.4A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 4789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.04 EUR
10+5.99 EUR
100+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.37 EUR
55+3.18 EUR
100+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 15.4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15.4A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.34 EUR
1600+3.13 EUR
2400+3.02 EUR
4000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10.1A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 10.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10.1A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
10+4.53 EUR
100+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865BonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+4.58 EUR
100+3.71 EUR
800+2.81 EUR
2400+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.72 EUR
45+5.27 EUR
100+3.7 EUR
500+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 10.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10.1A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+4.68 EUR
1600+4.01 EUR
2400+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.72 EUR
10+6.03 EUR
100+4.55 EUR
500+3.96 EUR
800+3.62 EUR
2400+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
500+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB0865B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10.1A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.75 EUR
10+6.51 EUR
100+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1OMCDescription: OMC - FFSB1 - LED-Lichtband, 400 mm, 36 LED(s), Blau, 12 VDC
tariffCode: 85414100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IP-Schutzart: -
Eingangsspannung: 12VDC
Länge des Lichtstreifens: 400mm
Farbe der Beleuchtung: Blau
Produktpalette: Front Firing Flexistrip
Eingangsleistung: -
productTraceability: No
Anzahl der LEDs: 36LEDs
usEccn: EAR99
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+68.13 EUR
5+50.52 EUR
10+45.68 EUR
50+44.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB10120AonsemiSiC Schottky Diodes SIC TO263 SBD 10A 1 200V
auf Bestellung 3621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.77 EUR
10+10.06 EUR
100+7.16 EUR
500+6.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB10120AonsemiDescription: DIODE SBD 10A 120V D2PAK-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB10120AON SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB10120A-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB10120A-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+11.67 EUR
1600+10.51 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB10120A-F085ON SemiconductorAutomotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 1200V Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 1200V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.01 EUR
16+10.92 EUR
25+9.47 EUR
100+8.44 EUR
250+7.29 EUR
500+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB10120A-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB10120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 62nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.99 EUR
15+15.68 EUR
19+11.83 EUR
50+10.56 EUR
100+9.27 EUR
250+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB10120A-F085onsemiSiC Schottky Diodes 1200V 10A AUTO SIC SBD
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.05 EUR
10+10.36 EUR
100+8.15 EUR
500+7.38 EUR
800+6.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB10120A-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.52 EUR
10+15.87 EUR
100+13.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB10120A-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB10120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 62nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.99 EUR
15+15.68 EUR
19+11.83 EUR
50+10.56 EUR
100+9.27 EUR
250+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB10120A-F085ON SemiconductorAutomotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 1200V Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1065AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10 EUR
10+6.64 EUR
100+4.69 EUR
500+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1065AON Semiconductor
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.89 EUR
10+6.57 EUR
100+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1065BonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.15 EUR
10+5.36 EUR
100+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB1065B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 27 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+3.97 EUR
70+3.34 EUR
100+3 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1065BON Semiconductor
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1065BonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1065BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC GEN1.5
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+4.55 EUR
100+3.19 EUR
500+3.06 EUR
800+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.04 EUR
10+5.96 EUR
100+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD G EN1.5
auf Bestellung 1449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+4.24 EUR
100+3.8 EUR
500+3 EUR
800+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.68 EUR
53+4.45 EUR
100+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1065B-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1265AonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 12A SIC SBD
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.51 EUR
10+8 EUR
100+6.47 EUR
250+6.26 EUR
500+5.46 EUR
800+4.88 EUR
2400+4.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.61 EUR
10+7.1 EUR
100+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1265AON Semiconductor
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB20120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB20120AON Semiconductor
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB20120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.37 EUR
10+11.21 EUR
100+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB20120AonsemiSiC Schottky Diodes SIC TO263 SBD 20A 1 200V
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.4 EUR
10+11.25 EUR
100+8.96 EUR
500+7.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB20120A-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+14.46 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB20120A-F085onsemiSiC Schottky Diodes 1200V 20A AUTO SIC SBD
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.78 EUR
10+17.78 EUR
100+16.02 EUR
500+14.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB20120A-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB20120A-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.49 EUR
10+17.9 EUR
100+15.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB20120A-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB20120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 120
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.83 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB2065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 22.8A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.01 EUR
10+5.99 EUR
100+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB2065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 22.8A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB2065BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 20A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 1206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.72 EUR
10+6.47 EUR
100+4.61 EUR
500+3.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB2065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB2065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 22.8 A, 51 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.9 EUR
23+10.19 EUR
100+7.13 EUR
500+5.41 EUR
1000+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB2065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.48 EUR
10+9.13 EUR
100+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB2065B-F085ONN
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB2065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.39 EUR
10+9.13 EUR
100+6.91 EUR
500+6.66 EUR
800+6.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB2065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB2065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 22.8 A, 51 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.9 EUR
23+10.19 EUR
100+7.13 EUR
500+5.41 EUR
1000+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB2065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB2065BDN-F085onsemiSiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
auf Bestellung 1156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.43 EUR
10+9.84 EUR
100+7.2 EUR
500+6.45 EUR
800+6.07 EUR
2400+5.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB2065BDN-F085ONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 23.6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 23.6A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward voltage: 1.75V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB2065BDN-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23.6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.65 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB2065BDN-F085ON SemiconductorDiode Schottky 650V 23.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB2065BDN-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23.6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 387 Stücke:
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2+13.48 EUR
10+9.13 EUR
100+6.91 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB2065BDN-F085ONN
auf Bestellung 593 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065BonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.89 EUR
1600+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 73 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 74nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 73A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.4 EUR
21+11.19 EUR
100+7.52 EUR
500+7.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065BON Semiconductor
auf Bestellung 790 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065BonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 1756 Stücke:
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2+14.71 EUR
10+9.97 EUR
100+7.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD GEN1.5
auf Bestellung 1022 Stücke:
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1+13.03 EUR
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100+6.97 EUR
250+6.91 EUR
800+6.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 73 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 74nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 73A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.4 EUR
21+11.19 EUR
100+7.52 EUR
500+7.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065B-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 430 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 465 Stücke:
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11+17.29 EUR
12+14.51 EUR
25+14.05 EUR
100+11.34 EUR
250+11.06 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
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800+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD G EN1.5
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.28 EUR
10+9.47 EUR
100+7.91 EUR
500+7.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+17.29 EUR
12+14.18 EUR
25+13.53 EUR
100+10.75 EUR
250+10.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB3065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK)
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Diodenkonfiguration: Einfach
Kapazitive Blindleistung Qc: 74
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 30
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065B-F085
Produktcode: 198094
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065B-F085ONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 73A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 73A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 73A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.34 EUR
10+11.14 EUR
100+8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSB3065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB3065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK)
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650
Anzahl der Pins: 3 Pins
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kapazitive Blindleistung Qc: 74
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 30
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-02-01Samtec Inc.Description: CONN RCPT 4POS IDC 30AWG GOLD
Features: Feed Through
Packaging: Tube
Connector Type: Receptacle
Contact Finish: Gold
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 30 AWG
Number of Positions: 4
Pitch: 0.050" (1.27mm)
Contact Type: Female Socket
Row Spacing: 0.050" (1.27mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Wire Type: Ribbon Cable
Cable Termination: IDC
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-02-01SamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Low Profile Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-02-01-SSamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Low Profile Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-02-D-02.13-01SamtecRibbon Cables / IDC Cables .050 Low Profile Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-02-D-03.94-01SamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly, Socket
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-02-D-03.94-01Samtec Inc.Description: .050" LOW PROFILE TIGER EYE IDC
Packaging: Bulk
Connector Type: Socket to Socket
Contact Finish: Gold
Color: Gray, Ribbon
Length: 0.328' (100.00mm, 3.94")
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 4
Number of Rows: 2
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Cable Termination: IDC
Pitch - Cable: 0.025" (0.64mm)
Pitch - Connector: 0.050" (1.27mm)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-02-D-04.00-01SamtecRibbon Cables / IDC Cables .050" Tiger Eye IDC Ribbon Cable Assembly, Socket
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-02-D-10.00-01SamtecCable Assembly 0.254m 30AWG 1.27mm 4 to 4POS IDC Connector to IDC Connector F-F TIGER EYE™ Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSD-02-D-10.00-01Samtec Inc.Description: .050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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