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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQA28N50onsemiMOSFETs 500V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA28N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA28N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 3863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.18 EUR
500+4.82 EUR
1000+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA28N50FAIRCHILD
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA28N50-ONonsemiDescription: 28.4A, 500V, 0.16OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 3863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
96+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA28N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA28N50Fonsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel FRFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA28N50_F109onsemi / FairchildMOSFET 500V QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA28N50_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA30N40
Produktcode: 173624
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA30N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA30N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA30N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA30N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 290
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA30N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA30N40onsemi / FairchildMOSFETs 400V N-Channel QFET
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.71 EUR
10+11.41 EUR
25+8.77 EUR
100+8.35 EUR
250+7.98 EUR
450+7.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA30N40_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/400V/30A/0.14OHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA32N20Consemi / FairchildMOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA32N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 32A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA32N20CONSEMIDescription: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 204W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 204W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.72 EUR
34+6.91 EUR
100+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA32N20CFairchildN-MOSFET 32A 200V 204W 0.082Ω FQA32N20C TFQA32n20c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA32N20C
Produktcode: 169364
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA32N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA33N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA33N10LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA34N20
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA34N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 34A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA34N20LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 34A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
217+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA34N25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 34A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 6555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
98+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA35N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 35A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA35N40FSC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA35N40Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 35A TO3P
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
73+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15onsemi / FairchildMOSFETs 150V P-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15
Produktcode: 52210
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15onsemiMOSFETs 150V P-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA36P15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 294
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15onsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+6.08 EUR
18+5 EUR
30+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15_F109onsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA38N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 38.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA38N30ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA38N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1250+10.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA38N30ONS/FAIMOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA38N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 38.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA38N30onsemi / FairchildMOSFETs 300V N-Channel QFET
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.16 EUR
10+10 EUR
100+8.32 EUR
450+7.39 EUR
900+6.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA38N30
Produktcode: 76066
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA38N30FAIRCHILD
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA38N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA40N25onsemiMOSFETs 250V N-Channel QFET
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.12 EUR
10+5.11 EUR
120+4.19 EUR
1020+3.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA40N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.68 EUR
30+4.83 EUR
120+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA40N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA40N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.59 EUR
44+5.36 EUR
100+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA40N25onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel QFET
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.83 EUR
10+4.4 EUR
120+3.92 EUR
510+3.47 EUR
1020+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA40N25PWDSamsung
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA44N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 49.8A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA44N10FSC
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA44N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 48A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA44N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 43.5A TO3PN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 21.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA44N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA44N30ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA44N30 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA44N30onsemi / FairchildMOSFET 300V N-Channel QFET
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.46 EUR
10+13.97 EUR
25+13.34 EUR
100+11.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA44N30Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA46N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA46N15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA46N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.4 EUR
37+6.31 EUR
100+4.56 EUR
500+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA46N15onsemiMOSFETs 150V N-Channel QFET
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.84 EUR
10+6.45 EUR
100+4.82 EUR
450+4.02 EUR
900+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA46N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA46N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.13 EUR
58+2.9 EUR
100+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA46N15_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA47P06FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA47P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 55A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA48N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 48A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA48N20onsemiMOSFETs 200V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA48N20FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA4N90FAIRCHILD2004 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA55N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 61A TO3P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 30.5A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA55N25FSCTO-247 05+
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA55N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA55N25onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA55N25
Produktcode: 145079
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA55N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 55A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA55N25On SemiconductorFQA55N25 Trans MOSFET N-CH 250V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA55N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA55N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 55 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.09 EUR
14+17.15 EUR
15+14.41 EUR
50+14.14 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA58N08onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA5N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA5N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA5N90_F109onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA5N90_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA5N90_NLonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA62N25ConsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 62A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 25 V
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA62N25C
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA62N25Consemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA62N25CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.29 EUR
19+9.1 EUR
25+8.2 EUR
100+6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA62N25CPWDonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA65N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 72A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA65N06FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA65N06onsemi / FairchildMOSFET N-CH/60V/72A/0.016OHM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA65N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA65N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA65N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 65
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FQA65N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
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23+7.62 EUR
25+6.91 EUR
26+6.33 EUR
50+5.78 EUR
100+5.27 EUR
1000+4.68 EUR
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FQA65N20FairchildN-MOSFET 65A 200V 310W 0.032Ω FQA65N20 TFQA65n20
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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