Produkte > PMV
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| PMV20ENR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20ENR | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XN | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| PMV20XN,215 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | auf Bestellung 8397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1563 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNE | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNE-ML | MOSLEADER | Description: N 30V 7.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV20XNE215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | auf Bestellung 212456 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5044 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNEA,215 | Nexperia USA Inc. | Description: 6.3A, 20V, N CHANNEL, SILICON, M | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV20XNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV20XNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV20XNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 20V 6.3A | auf Bestellung 10354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV20XNER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV20XNER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV20XNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.7 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNER | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 5.7A | auf Bestellung 3010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV20XNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV20XNER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV20XNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.7 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV20XNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV213APW | auf Bestellung 5800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| PMV213SN | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV213SN | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| PMV213SN T/R | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE13 PWR-MOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1012 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV213SN,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V | auf Bestellung 156000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV213SN,215 | NXP | N-Channel 100V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23) PMV213SN,215 TPMV213sn Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PMV213SN,215 | Nexperia | MOSFETs SOT23 100V 1.9A | auf Bestellung 199145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV213SN,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V | auf Bestellung 158369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 65831 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV22EN | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| PMV22EN,215 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | auf Bestellung 994810 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2084 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV230ENEA | Nexperia | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV230ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV230ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.222 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 9100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV230ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 60V 1.5A | auf Bestellung 11839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 900mA; Idm: 5.9A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.9A Pulsed drain current: 5.9A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 441mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV230ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV230ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.222 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 9100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV240ENEAR | Nexperia | MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV240ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV240ENEA/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV240SPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 100V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV240SPR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V | auf Bestellung 15547 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV240SPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV240SPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.28 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2033 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV240SPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 100V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV240SPR | Nexperia | MOSFETs SOT23 100V 1.2A | auf Bestellung 962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV240SPR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV240SPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV240SPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.28 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2033 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV250EPEA | Nexperia | NXP Semiconductors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV250EPEA215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV250EPEAR | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -1A; 890mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -1A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.89W Gate-source voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 29214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV250EPEAR | Nexperia | P-MOSFET -40В, -1А, 890мВт, SOT23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV250EPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 29214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia | MOSFETs 40 V, P-channel Trench MOSFET | auf Bestellung 116358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV25ENEA215 | NXP USA Inc. | Description: PMV25E SMALL SIGNAL FET, SOT23 Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV25ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV25ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV25ENEAR | Nexperia | MOSFETs PMV25ENEA/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 19060 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV25ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV25ENEAR | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 22A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 22A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PMV25ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV25ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMV27UPEA,215 | Nexperia USA Inc. | Description: 4.5A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
