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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STF11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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STF11NM60NDSTMN-CH 600V 10A TO-220FP Транзистори
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STF11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
900+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
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STF11NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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STF11NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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STF11NM65N
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STF11NM65NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 650V Pwr Mosfet
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+3.52 EUR
100+2.57 EUR
500+2.32 EUR
1000+1.96 EUR
5000+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF11NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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STF11NM8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF11NM80STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
auf Bestellung 1806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.92 EUR
28+8.47 EUR
100+7.15 EUR
500+6.45 EUR
1000+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF11NM80STTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF11NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.03 EUR
10+7.56 EUR
100+6.94 EUR
500+6.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF11NM80STMN-кан. 800V - 0.35 Ом - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF11NM80STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.02 EUR
17+5.24 EUR
50+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF11NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.27 EUR
10+9.65 EUR
50+7.68 EUR
100+7.04 EUR
500+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF11NM80(Transistor)
Produktcode: 60715
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF11NM80FP
auf Bestellung 54380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STF11NN80
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF120NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 41A TO220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 12A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12100SMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 12A; ITO220AB; Ufmax: 0.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AB
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12A60
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12A80
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.91 EUR
15+11.25 EUR
100+10.1 EUR
500+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N120K5STMN-Channel 1200 V 12A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.46 EUR
15+11.4 EUR
50+10.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N120K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21 EUR
50+11.85 EUR
100+10.96 EUR
500+10.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N120K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+40.53 EUR
9+28.61 EUR
10+23.32 EUR
50+20.24 EUR
100+18.68 EUR
250+17.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N120K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+21.82 EUR
10+20.98 EUR
25+11.84 EUR
100+11.57 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N50DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.35Ω
Pulsed drain current: 44A
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.12 EUR
43+2.02 EUR
48+1.78 EUR
50+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N50DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
50+2.61 EUR
100+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N50DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.19 EUR
10+2.56 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.7 EUR
2000+1.58 EUR
5000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N50DM2
Produktcode: 181822
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N50DM2STMN-Channel 500V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N50M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.04 EUR
55+4.22 EUR
100+2.42 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N50M2STMMOSFET N-CH 500V 10A TO220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N50M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 85W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Pulsed drain current: 40A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N50M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
50+2.13 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.15 EUR
152+1.09 EUR
153+1.05 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N50M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.89 EUR
100+1.95 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.32 EUR
5000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.42 EUR
61+1.39 EUR
65+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.42 EUR
50+1.82 EUR
100+1.63 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 2014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+1.78 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1 EUR
10000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
10+3.14 EUR
50+2.39 EUR
100+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.71 EUR
109+1.54 EUR
126+1.27 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+2.37 EUR
100+1.96 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.39 EUR
5000+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 16.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF12N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.57 EUR
86+2.71 EUR
103+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M2STMMOSFET N-CH 650V 8A TO220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.81 EUR
76+2.24 EUR
100+2.05 EUR
250+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 34A
Gate charge: 20nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF12N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.5 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.02 EUR
60+3.88 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M5
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.38 EUR
10+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M5STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
auf Bestellung 1667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+3.67 EUR
100+2.83 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NK60Z
auf Bestellung 9580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.25 EUR
10+4.21 EUR
100+3.56 EUR
500+3.12 EUR
1000+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
stf12nk65z
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
stf12nk65zSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
stf12nk65zSTMicroelectronicsMOSFET N-ch 650V 0.57 Ohm 10A SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.65 Ohm typ., 10.5 A SuperMESH Power MOSFET in a TO-220 packag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 V 0.33 Ohm 11 A 2nd Gen MDmesh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NM50NSTM
auf Bestellung 67000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NM50NSTMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NM50NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NM50NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NM60N
Produktcode: 132476
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.35 Ohm 10A Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12NM65STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V TO220FP
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12PF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 8A TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF12PF06
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF130N10F3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 8mOhm 46A STripFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF130N10F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 46A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF13N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 812 Stücke:
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1+5.24 EUR
10+2.62 EUR
100+2.31 EUR
500+1.95 EUR
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2000+1.62 EUR
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STF13N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
auf Bestellung 279 Stücke:
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4+5.37 EUR
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STF13N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 44 Stücke:
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24+3.56 EUR
40+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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