Produkte > FDM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| FDMS8050 | onsemi | MOSFETs PT8 N 30/20 in Powerclip 56 Single | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8050 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 156W Case: Power56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 400A Gate charge: 285nC Drain current: 200A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8050 | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8050 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8050 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8050 | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V | auf Bestellung 3017 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8050ET30 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V | auf Bestellung 8225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8050ET30 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8050ET30 | onsemi | MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 8549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8050ET30 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 299A; Idm: 1914A; 180W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 180W Case: Power56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 1914A Gate charge: 285nC Drain current: 299A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8050ET30 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8090 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 2335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8090 | onsemi | MOSFETs 100V Sym Dual NCh MOSFET PowerTrench | auf Bestellung 3496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8090 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 | auf Bestellung 946 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8090 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8 On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 59W Polarisation: unipolar Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: WDFN8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8090 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8090 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8090 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8090 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 2335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8090 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8095AC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS8095AC - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8095AC | ON Semiconductor | FDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8095AC | ON Semiconductor | FDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8095AC | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A 8MLP Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 75V, 230pF @ 75V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 1A Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Power - Max: 2.3W | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8095AC | ON Semiconductor | FDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8095AC | ON Semiconductor | FDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 2948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8095AC | onsemi / Fairchild | MOSFETs PT5 150V Dual N & P-Channel Power | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8095AC | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A 8MLP Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 75V, 230pF @ 75V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 1A Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Power - Max: 2.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8095AC | ON Semiconductor | FDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 2948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8320L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320L | ON Semiconductor | auf Bestellung 1862 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDMS8320L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm | auf Bestellung 4284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8320L | onsemi | MOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 3037 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8320L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8320L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active | auf Bestellung 12114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8320L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm | auf Bestellung 4284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8320L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8320L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 248A; Idm: 943A; 104W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 248A Pulsed drain current: 943A Power dissipation: 104W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 121nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8320L | onsemi / Fairchild | MOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 3181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8320LDC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320LDC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8320LDC | onsemi / Fairchild | MOSFETs 40V 130A Dual Cool PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8320LDC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11635 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8320LDC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320LDC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320LDC | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL DUAL COOLTM 56 POWER T Packaging: Bulk | auf Bestellung 41418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8320LDC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 74113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320LDC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8320LDC | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 192A; Idm: 300A; 125W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 192A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 125W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 170nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8320LDC | onsemi | MOSFETs 40V 130A Dual Cool PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8320LDC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 117962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320LDC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 27512 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320LDC | ONN | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDMS8320LDC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11635 pF @ 20 V | auf Bestellung 4414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8320LDC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320LDC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320LDC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS8320LDC - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 212255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8320LDC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8333L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 76A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 250A Gate charge: 64nC | auf Bestellung 2982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8333L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8333L | onsemi / Fairchild | MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 34079 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8333L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8333L | onsemi | Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) | auf Bestellung 2189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8333L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8333L | onsemi | MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 26045 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8333L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 2736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8333L | onsemi | Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8333L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8333LN | onsemi | Description: FET 40V 3.1 MOHM PQFN56 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8333LN | onsemi | Description: FET 40V 3.1 MOHM PQFN56 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8333LN | onsemi | MOSFETs FET 40V 3.1 MOHM PQFN56 | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8350L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8350L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17500 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8350L | ONN | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDMS8350L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8350L | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 290A, 0.85mohm | auf Bestellung 2723 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8350L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17500 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8350LET40 | onsemi / Fairchild | MOSFET PT8 40V/20V NchPower Trench MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8350LET40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 3.33W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16590 pF @ 20 V | auf Bestellung 1098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8350LET40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 3.33W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16590 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8460 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8460 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8460 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8460 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm | auf Bestellung 2794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8460 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8460 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8460 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8460 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 40V N-Channel Power Trench | auf Bestellung 5538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8460 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 19761 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS8460 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS8460 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8460 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS8460 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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