Produkte > FDM

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMS8090onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.52 EUR
10+9.83 EUR
100+7.18 EUR
500+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8090ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.61 EUR
24+7.18 EUR
100+5.74 EUR
500+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8090ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.62 EUR
30+5.55 EUR
100+5.31 EUR
250+5.07 EUR
500+4.84 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8090onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8090ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8090ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8090onsemiMOSFETs 100V Sym Dual NCh MOSFET PowerTrench
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.24 EUR
10+9.65 EUR
100+7.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8090ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8095AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A 8MLP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 75V, 230pF @ 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Power - Max: 2.3W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8095AConsemi / FairchildMOSFETs PT5 150V Dual N & P-Channel Power
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8095AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A 8MLP
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 75V, 230pF @ 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8095ACON SemiconductorFDMS8095AC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 62A/1A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8095ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8095AC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LonsemiMOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+4 EUR
100+2.83 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.23 EUR
3000+2.03 EUR
6000+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 4284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 248A; Idm: 943A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 248A
Pulsed drain current: 943A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+2.84 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 12114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.95 EUR
10+4.46 EUR
100+3.83 EUR
500+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LON Semiconductor
auf Bestellung 1862 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 4284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.18 EUR
65+3.57 EUR
100+3.11 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
100+2.98 EUR
1000+2.81 EUR
3000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11635 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDCONN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.39 EUR
6000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDConsemiMOSFETs 40V 130A Dual Cool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+4.08 EUR
100+2.87 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDCFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL DUAL COOLTM 56 POWER T
Packaging: Bulk
auf Bestellung 41418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
190+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.95 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11635 pF @ 20 V
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.83 EUR
10+5.15 EUR
100+3.62 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 74113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.95 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.56 EUR
10000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8320LDC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 212255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDConsemi / FairchildMOSFETs 40V 130A Dual Cool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
10+3.96 EUR
100+3.01 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.24 EUR
3000+2.09 EUR
9000+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 192A; Idm: 300A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 192A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 117962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.95 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.56 EUR
10000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8320LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 27512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.95 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.56 EUR
10000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333LonsemiMOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 26045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.83 EUR
100+1.23 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.86 EUR
6000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333LonsemiDescription: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 2189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.06 EUR
90+0.95 EUR
100+0.86 EUR
112+0.76 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
424+1.54 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 424 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333LonsemiDescription: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333Lonsemi / FairchildMOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 34079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.86 EUR
100+0.81 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333LNonsemiMOSFETs FET 40V 3.1 MOHM PQFN56
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333LNonsemiDescription: FET 40V 3.1 MOHM PQFN56
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333LNonsemiDescription: FET 40V 3.1 MOHM PQFN56
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.93 EUR
6000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8350LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17500 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8350Lonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 290A, 0.85mohm
auf Bestellung 2723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.51 EUR
10+7.14 EUR
25+6.75 EUR
100+5.76 EUR
250+5.45 EUR
500+5.13 EUR
1000+4.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8350LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8350LONN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8350LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17500 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8350LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8350LET40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.33W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16590 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8350LET40onsemi / FairchildMOSFET PT8 40V/20V NchPower Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8350LET40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.33W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16590 pF @ 20 V
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.89 EUR
10+6.59 EUR
100+4.72 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.62 EUR
40+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 2899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.19 EUR
500+2.73 EUR
1500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 19761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
10+3.84 EUR
100+2.95 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.39 EUR
126+1.37 EUR
140+1.2 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.52 EUR
125+1.34 EUR
126+1.3 EUR
140+1.12 EUR
250+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460onsemiMOSFETs 40V N-Channel Power Trench
auf Bestellung 3296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+2.45 EUR
100+1.67 EUR
500+1.33 EUR
6000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 2899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
61+3.81 EUR
100+3.19 EUR
500+2.73 EUR
1500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.51 EUR
116+1.48 EUR
118+1.43 EUR
250+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460onsemi / FairchildMOSFETs 40V N-Channel Power Trench
auf Bestellung 5538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+2.34 EUR
100+2.32 EUR
3000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8558SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/90A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5118 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40  [ Nächste Seite >> ]