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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMC4028SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.5/-4.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.028/0.05Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4028SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.5A/4.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 32263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
13+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4028SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 7.2A/5.2A Automotive 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4028SSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; automotive industry
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: N/P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4028SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604pF @ 20V, 674pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V, 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4028SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.3A/6.1A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SK4-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: TO252-4
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.7/-4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.032/0.055Ω
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.31 EUR
86+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SK4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SK4-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4029SK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.3 A, 8.3 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.69 EUR
194+1.2 EUR
273+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SK4-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+1.02 EUR
100+0.7 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.3A/6.1A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SK4-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4029SK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.3 A, 8.3 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.69 EUR
194+1.2 EUR
273+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SK4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.3A/6.1A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4029SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.5/-9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.024/0.045Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSD-13
Produktcode: 107557
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4029SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
auf Bestellung 1528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.75 EUR
25+1.48 EUR
50+1.3 EUR
100+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4029SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.12 EUR
153+1.52 EUR
220+0.98 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.88 EUR
25+1.58 EUR
50+1.4 EUR
100+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
auf Bestellung 5187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.4 EUR
10+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4029SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.12 EUR
153+1.52 EUR
220+0.98 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSDQ-13Diodes Inc./ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4029SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4040SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET COMP NPN
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.73 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4040SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
139+1.68 EUR
244+0.88 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4040SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.75 EUR
25+1.48 EUR
50+1.3 EUR
100+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4040SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.3/-7.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.04/0.045Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4040SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4040SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.58 EUR
184+1.26 EUR
266+0.81 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4040SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4040SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.68 EUR
106+2.2 EUR
170+1.26 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4040SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
13+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4040SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.67 EUR
10+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4040SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4040SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4040SSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.14W
Gate charge: 37.6/33.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5/-7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Application: automotive industry
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25/25mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4040SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4040SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
128+1.82 EUR
191+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4047LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.45 EUR
5000+0.42 EUR
7500+0.39 EUR
12500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4047LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs FET BVDSS 31V 40V 1.3W 1180pF 21.3nC
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.23 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4047LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4047LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.3/-6.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.024/0.04Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4047LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
auf Bestellung 37734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
19+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSDDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.39 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.8/-5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45/45mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4050SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+1.23 EUR
235+0.99 EUR
343+0.63 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 177500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
auf Bestellung 1171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.39 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4050SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+1.31 EUR
194+1.2 EUR
293+0.74 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 5248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.67 EUR
10+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.01 EUR
152+1.54 EUR
205+1.05 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.14W
Gate charge: 37.56/33.66nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.8/-5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45/45mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.01 EUR
152+1.54 EUR
205+1.05 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC4050SSDQ-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC42C1008-012
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC42C1008-15
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC42C2008-104
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC42C3008-001
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC42C4008-002
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC42C4008-003
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC42C4404-002
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC42P4008
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC501010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V 100MA SMINI5-F3-B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SMini5-F3-B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC501010RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
auf Bestellung 2570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC501010RPANASONICSOT353
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 30 W
Isolation: 16dB
VSWR: 1.4
Insertion Loss: 0.9dB
Type: Circulator
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011DITOM Microwave INC.5.0 - 10.7GHz SMA Circulator
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1046.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011DITOM Microwave INC.5.0 - 10.7GHz SMA Circulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011-1DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 30 W
Isolation: 16dB
VSWR: 1.4
Insertion Loss: 0.9dB
Type: Circulator
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011-1DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011-2DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Packaging: Bag
Package / Case: Module, SMA Connectors
Connector Type: SMA-FEMALE
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Type: Circulator
Insertion Loss: 0.9dB
VSWR: 1.4
Isolation: 16dB
Power - Average Forward: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011-2DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011-3DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 30 W
Isolation: 16dB
VSWR: 1.4
Insertion Loss: 0.9dB
Type: Circulator
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011-3DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011-4DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Packaging: Bag
Package / Case: Module, SMA Connectors
Connector Type: SMA-FEMALE
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Type: Circulator
Insertion Loss: 0.9dB
VSWR: 1.4
Isolation: 16dB
Power - Average Forward: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011-4DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011-5DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 30 W
Isolation: 16dB
VSWR: 1.4
Insertion Loss: 0.9dB
Type: Circulator
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011-5DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011-6DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 30 W
Isolation: 16dB
VSWR: 1.4
Insertion Loss: 0.9dB
Type: Circulator
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011-6DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011-7DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Packaging: Bag
Package / Case: Module, SMA Connectors
Connector Type: SMA-FEMALE
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Type: Circulator
Insertion Loss: 0.9dB
VSWR: 1.4
Isolation: 16dB
Power - Average Forward: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC5011-7DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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