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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMS8558SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/90A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5118 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8558SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/90A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5118 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8558SDConsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8558SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8560SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8560SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8560S - FDMS8560S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8560SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 8785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8560SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8560SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8570SFairchild SemiconductorDescription: 28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
544+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 544 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8570SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8570S - FDMS8570S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8570SonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
544+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 544 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8570SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8570SDCFairchild SemiconductorDescription: 28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Dual Cool™56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 59W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 11046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8570SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101onsemiMOSFETs 100/20V Nch Power Trench
auf Bestellung 29412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.51 EUR
10+3.58 EUR
100+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.21 EUR
250+2.01 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.82 EUR
3000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ONS/FAIMOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.14 EUR
58+2.98 EUR
100+1.89 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 11375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.62 EUR
60+3.88 EUR
100+2.62 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.88 EUR
73+2.32 EUR
74+2.2 EUR
100+1.73 EUR
250+1.63 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101
Produktcode: 198273
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1087+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1087 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101onsemi / FairchildMOSFETs 100/20V Nch Power Trench
auf Bestellung 35915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.44 EUR
100+2.09 EUR
500+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 14974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
10000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ONN
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.8 EUR
74+2.33 EUR
100+2.26 EUR
200+1.73 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.52 EUR
2000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.14 EUR
58+2.92 EUR
100+1.82 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.88 EUR
73+2.37 EUR
74+2.3 EUR
100+1.82 EUR
250+1.77 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101-SN00155onsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.32 EUR
50+3.38 EUR
100+2.74 EUR
250+2.67 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101Aonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 13199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+4.55 EUR
100+3.33 EUR
500+3.27 EUR
3000+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.32 EUR
50+3.26 EUR
100+2.59 EUR
250+2.46 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+3.21 EUR
500+3 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 50 V
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.23 EUR
10+5.43 EUR
100+3.83 EUR
500+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDMS86101AonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.5 EUR
10+4.57 EUR
100+3.56 EUR
500+3.14 EUR
1000+3.01 EUR
3000+2.78 EUR
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FDMS86101AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+3.21 EUR
500+3 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
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FDMS86101AONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86101A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.4 EUR
500+4.61 EUR
1500+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+6.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+4.26 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.67 EUR
10000+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
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FDMS86101DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101DConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.46 EUR
37+4.56 EUR
38+4.27 EUR
100+3.65 EUR
250+3.45 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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FDMS86101DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.52 EUR
50+6.71 EUR
100+5.4 EUR
500+4.61 EUR
1500+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101DConsemi / FairchildMOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.1 EUR
10+5.05 EUR
100+4.33 EUR
500+4.32 EUR
1000+4.25 EUR
3000+3.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.46 EUR
37+4.66 EUR
38+4.44 EUR
100+3.86 EUR
250+3.74 EUR
500+3.61 EUR
1000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86101DCONS/FAIMOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101DConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V
auf Bestellung 25042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.33 EUR
10+6.87 EUR
100+4.9 EUR
500+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101DConsemiMOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.08 EUR
10+6.37 EUR
100+4.77 EUR
500+4.32 EUR
1000+4.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101EON SemiconductorMOSFET FET 100V 8.0 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101_F065onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86101_SN00155onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.02 EUR
60+2.9 EUR
100+2.05 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.02 EUR
60+2.83 EUR
100+1.96 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.83 EUR
72+2.4 EUR
100+1.89 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.4 EUR
2000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86102LZONS/FAIMOSFET N-CH 100V 7A/22A PQFN-8 Транзистори
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+7.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.52 EUR
65+2.58 EUR
100+1.96 EUR
250+1.9 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.5 EUR
3000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.36 EUR
62+2.78 EUR
63+2.69 EUR
100+2.08 EUR
250+1.99 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
auf Bestellung 31360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.84 EUR
100+2.65 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.52 EUR
65+2.49 EUR
100+1.86 EUR
250+1.76 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 69W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 69W
Drain current: 22A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+3.22 EUR
100+2.26 EUR
500+1.86 EUR
3000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86103LON Semiconductor
auf Bestellung 10410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.33 EUR
76+2.26 EUR
100+2.13 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.95 EUR
2000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86103Lonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 35503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+2.45 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.28 EUR
3000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86103LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.08 EUR
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FDMS86103LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.08 EUR
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FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2670 Stücke:
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26+6.77 EUR
40+4.27 EUR
100+2.87 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2670 Stücke:
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75+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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FDMS86103LonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.16 EUR
10+4.66 EUR
100+3.42 EUR
500+3.28 EUR
1000+2.64 EUR
3000+2.48 EUR
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FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
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3000+2.01 EUR
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FDMS86103LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
auf Bestellung 332 Stücke:
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30+8.54 EUR
45+5.2 EUR
100+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
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3000+1.99 EUR
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FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86103LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 6565 Stücke:
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