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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.82 EUR
245+0.68 EUR
282+0.57 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.24 EUR
525+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 2651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
138+1.69 EUR
186+1.15 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRLR110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+1.95 EUR
100+1.59 EUR
500+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110PBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.54Ω
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRLIR
auf Bestellung 11475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRLVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 760mΩ
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRLPBFТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRLPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs LOGIC MOSFET N-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.54Ω
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRPBFMOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
auf Bestellung 2258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.16 EUR
10+2.01 EUR
100+1.8 EUR
500+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 4472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.64 EUR
50+2 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRPBF
Produktcode: 61266
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8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.92 EUR
10+2.49 EUR
50+1.88 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRPBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
auf Bestellung 2801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.21 EUR
10+5.38 EUR
100+4.02 EUR
500+3.37 EUR
1000+3.27 EUR
3000+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120#TRPBFIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120AFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120ATFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4.2A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 30174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
308+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120ATFFAIRCHILDIRLR120ATF
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.34 EUR
10000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120ATFONSEMIDescription: ONSEMI - IRLR120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.4 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120ATFFAIRCHILDIRLR120ATF
auf Bestellung 4174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120ATFFAIRCHILDIRLR120ATF
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.34 EUR
10000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NIRTO-252
auf Bestellung 37200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NPBF
Produktcode: 32182
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 454 St.
  • 454 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+0.7 EUR
10+0.62 EUR
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 10 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 5 В, Rds = 185 мОм @ 6 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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IRLR120NPBFIRLR120NPBF Транзисторы HEXFET
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IRLR120NPBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Транзистори
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IRLR120NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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IRLR120NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
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IRLR120NTRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR120N; IRLR120NTRL; IRLR120NTR; SP001577026; SP001568906; SP001574026; IRLR120NTR UMW TIRLR120n UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR120NTRInfineonTranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR120NTR; IRLR120N; IRLR120N-GURT; IRLR120NTRL; IRLR120N SMD; IRLR120NTR TIRLR120n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRLR120NTRUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.4 EUR
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IRLR120NTRHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 17W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR120N; IRLR120NTRL; IRLR120NTR; SP001577026; SP001568906; SP001574026; IRLR120NTR HXY MOSFET TIRLR120n HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IRLR120NTRHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 17W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR120N; IRLR120NTRL; IRLR120NTR; SP001577026; SP001568906; SP001574026; IRLR120NTR HXY MOSFET TIRLR120n HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRLR120NTR-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 36W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR120N; IRLR120NTRL; IRLR120NTR; SP001577026; SP001568906; SP001574026; IRLR120NTR-CN CHIPNOBO TIRLR120n CNB
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR120NTRLInfineonTranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR120NTR; IRLR120N; IRLR120N-GURT; IRLR120NTRL; IRLR120N SMD; IRLR120NTR TIRLR120n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
599+1.08 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 599 Stücke
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IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLR120NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.86 EUR
100+1.32 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.86 EUR
6000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
599+1.08 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 599 Stücke
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IRLR120NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
599+1.08 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 599 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 4785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
138+1.69 EUR
210+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
auf Bestellung 49074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+0.99 EUR
100+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.51 EUR
4000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 11185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.56 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.55 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.64 EUR
152+1.12 EUR
199+0.83 EUR
223+0.73 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR120NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 5919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR120NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 4785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
138+1.69 EUR
210+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR120NTRPBF
Produktcode: 22353
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
2+0.63 EUR
10+0.57 EUR
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
135+1.23 EUR
183+0.88 EUR
206+0.75 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 11305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.33 EUR
50+0.99 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.64 EUR
152+1.09 EUR
199+0.81 EUR
223+0.69 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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IRLR120NTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 11, Ptot, Вт = 39, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Rds = 185 @ 10 В, 6 А мОм, Tексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 473 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR120PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.68 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.09 EUR
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IRLR120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR120TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR120TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRLVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLR120TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLR120TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
auf Bestellung 6468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+2.28 EUR
100+1.74 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.19 EUR
9000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLR120TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.68 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.09 EUR
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IRLR120TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 31A
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR120TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
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