Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| DMN53D0LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Application: automotive industry | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 370mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 878836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R | auf Bestellung 2364000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 350mA; 300mW; SOT523 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.35A Power dissipation: 0.3W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0LT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0LT-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V | auf Bestellung 4776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT523 T&R 3K | auf Bestellung 7090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 170000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0LTQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0LTQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0LTQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 486000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0LV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; 430mW; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.35A Power dissipation: 0.43W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0LV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 350 mA, 350 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 430mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 430mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LV-7 | Diodes Zetex | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0LV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 430mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT563 T&R 3K | auf Bestellung 12661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 350 mA, 350 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 430mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 430mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.35A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 430mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 82000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF | auf Bestellung 17768 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 160000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 160000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LW-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.7A; 420mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.7A Power dissipation: 0.42W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.2nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0LW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1430 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0LW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.7A; 420mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.7A Power dissipation: 0.42W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.2nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0LW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 320mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm | auf Bestellung 6025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p | auf Bestellung 51044 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1430 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V | auf Bestellung 35436 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0LW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 320mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm | auf Bestellung 6025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0LW-7 | Diodes Inc./Zetex | MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0U-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-CHANNEL MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 140000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 140000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 777000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 915261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN53D0U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 209 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs | auf Bestellung 9541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN53D0U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V | auf Bestellung 909000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN53D0U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN53D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN55D0UT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 200mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN55D0UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET .2W 50V .16A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 199 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN55D0UT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN55D0UTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 50Vdss 12Vgss 160mA | auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN55D0UTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN55D0UTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06-7 | DIODES, INC. | MOSFET N-CHAN 50V 350MW SOT-23 | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN5L06DMK | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN5L06DMK | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Channel | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06DMK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT26 Supplier Device Package: SOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 400mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06DMK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06DMK-7 | Diodes | MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06DMK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-26 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06DMKQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN5L06DMKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN5L06DMKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06DMKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 50Vdss 20Vgss 400mW | auf Bestellung 56536 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06DMKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06DMKQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN5L06DMKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN5L06DW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT363 Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 200mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06DWK | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN5L06DWK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Channel | auf Bestellung 32269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06DWK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN5L06DWK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT363 Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 250mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06DWK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN5L06DWK-7-01 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT363 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06K | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06K | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DMN5L06K-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN5L06K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | auf Bestellung 89563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN5L06K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Channel | auf Bestellung 266928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06K-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN5L06K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | auf Bestellung 89563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN5L06KQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN5L06KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN5L06KQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN5L06KQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN5L06KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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