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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS43DR86400D-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400D-3DBLIISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400D-3DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IS43DR86400D-3DBLI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-25DBLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 12.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...85°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TWBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-25DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Memory Organization: 64M x 8
Access Time: 400 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
10+4.25 EUR
25+4.16 EUR
40+4.14 EUR
80+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-25DBLISSIDRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.95 EUR
10+12.04 EUR
25+11.69 EUR
50+11.14 EUR
100+10.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-25DBL-TRISSIDRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-25DBLIISSIDRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.09 EUR
10+13.14 EUR
25+12.73 EUR
50+12.15 EUR
100+11.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-25DBLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 12.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TWBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-25DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
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 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-25DBLI-TRISSIDRAM 512M, 18V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz a. CL5, 60 ball BGA (8mmx105mm) RoHS, IT, T&R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-25DBLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 12.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Kind of package: reel; tape
Case: TWBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-3DBLISSIDRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.95 EUR
10+12.04 EUR
25+11.69 EUR
50+11.14 EUR
100+10.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-3DBLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 15ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...85°C
Clock frequency: 333MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TWBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-3DBL-TRISSIDRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-3DBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR86400E-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 512MBIT, BGA-60
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 333MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8bit
directShipCharge: 25
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.79 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-3DBLIISSIDRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.38 EUR
10+10.6 EUR
25+10.28 EUR
50+10.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-3DBLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 15ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 333MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TWBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 450 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.71 EUR
10+10.89 EUR
25+10.57 EUR
50+10.32 EUR
242+9.76 EUR
484+9.51 EUR
726+9.38 EUR
1210+9.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-3DBLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 15ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 333MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Kind of package: reel; tape
Case: TWBGA60
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-3DBLI-TRISSIDRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-18BLISSIDRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-18BL-TRISSIDRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-18BLIISSIDRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16 IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-18BLI-TRISSIDRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16 IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-25BLISSIDRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-25BL-TRISSIDRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-25BLIISSIDRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16 IT
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.45 EUR
10+24.5 EUR
25+23.95 EUR
50+23.81 EUR
100+22.21 EUR
171+20.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-25BLI-TRISSIDRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16 IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128C-18BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 134-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 533 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.51 EUR
10+20.9 EUR
25+20.24 EUR
40+19.91 EUR
171+18.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128C-18BLIINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16128C-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.01 EUR
25+15.68 EUR
50+15.48 EUR
100+15.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16160B-25BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 134TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 134-TFBGA
Packaging: Tray
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.32 EUR
10+7.72 EUR
25+7.49 EUR
40+7.37 EUR
171+7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16160B-25BLIISSIDRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16160B-25BLI-TRISSIDRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16256C-18BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16256C-18BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 256MX16, 5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16320A-25BLIISSIDRAM 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16320A-25BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 134-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.09 EUR
10+13.1 EUR
25+12.7 EUR
40+12.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16320A-25BLI-TRISSIDRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16320A-25BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16640A-25BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16640A-25BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16640A-25BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16640A-25BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16640A-3BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16640A-3BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16640A-3BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16640A-3BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16640C-18BLIISSIDRAM 1G 64Mx16 533MHz LPDDR2 1.2/1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16640C-18BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16640C-18BLI-TRISSIDRAM 1G 64Mx16 533MHz LPDDR2 1.2/1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16640C-25BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 134-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.23 EUR
10+18.79 EUR
25+18.21 EUR
50+17.77 EUR
171+17.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16640C-25BLIINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16640C-25BLI - SDRAM, 64M x 16 Bit, parallele Schnittstelle, FBGA-134
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
DRAM-Dichte: 1
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.2
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
Seitengröße: -
Anzahl der Pins: 134
Produktpalette: IS43LD
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 16 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16640C-25BLIISSIDRAM 1G 64Mx16 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
auf Bestellung 296 Stücke:
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1+25.36 EUR
10+23.56 EUR
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IS43LD16640C-25BLI-TRISSIDRAM 1G 64Mx16 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
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IS43LD16640D-18BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
Memory Organization: 64M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: HSUL_12
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 134-VFBGA (10x11.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 533 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 134-VFBGA
Packaging: Tray
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.8 EUR
10+16.54 EUR
25+16.04 EUR
40+15.78 EUR
171+14.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IS43LD16640D-18BLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LD16640D-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+22.94 EUR
12+19.81 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128A-25BPLIISSIDRAM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128A-25BPLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 168-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-18BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: HSUL_12
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 533 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 134-TFBGA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-18BLIISSIDRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
auf Bestellung 902 Stücke:
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1+61.13 EUR
10+56.61 EUR
25+54.84 EUR
50+53.47 EUR
100+51.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-18BLI-TRISSIDRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-18BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 134-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 533 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-18BPLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 168-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 533 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-18BPL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 168-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 533 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-18BPLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: HSUL_12
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 533 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 168-VFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-18BPLIISSIDRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.91 EUR
10+65.59 EUR
25+63.5 EUR
50+61.92 EUR
100+59.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-18BPLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 168-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 533 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-18BPLI-TRISSIDRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-18BPLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 168-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 533 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-25BLIISSIDRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-25BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: HSUL_12
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 134-TFBGA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-25BLI-TRISSIDRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-25BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 134-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-25BPLISSIDRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-25BPLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 168-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-25BPL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: HSUL_12
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 168-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-25BPL-TRISSIDRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-25BPLIISSIDRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-25BPLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168VFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 32
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 168-VFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-25BPLI-TRISSIDRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-25BPLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 168-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128B-25BPLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 168-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128C-18BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 134-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 533 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 128M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128C-18BLIISSIDRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128C-18BLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LD32128C-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+100.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128C-18BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128MX32, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 134-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 533 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 128M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128C-18BLI-TRISSIDRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128C-18BPLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 168VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 168-VFBGA
Memory Size: 4Gbit
Clock Frequency: 533 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12)
Memory Interface: HSUL_12
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128C-18BPLIISSIDRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.47 EUR
10+67.1 EUR
25+64.97 EUR
50+63.38 EUR
100+61.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32128C-18BPLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT HSUL 168VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 168-VFBGA
Memory Size: 4Gbit
Clock Frequency: 533 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12)
Memory Interface: HSUL_12
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43LD32128C-18BPLI-TRISSIDRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
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IS43LD32160A-18BLIISSIDRAM LPDDR2 512Mb 533MHz 64Mx32 IT
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IS43LD32160A-25BLIISSIDRAM LPDDR2,512M,RoHs 400MHz,16Mx32,IT
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IS43LD32160A-25BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
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IS43LD32160A-25BLI-TRISSIDRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
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IS43LD32160A-25BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
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IS43LD32320A-25BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA
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IS43LD32320A-25BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA
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