Produkte > IS4
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IS43DR86400C-3DBI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBI-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz DDR2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 242 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBL | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBL-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 242 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBLI | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43DR86400C-3DBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBLI-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-25DBLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60 DRAM-Ausführung: DDR2 Bauform - Speicherbaustein: BGA DRAM-Dichte: 512 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 400 Versorgungsspannung, nom.: 1.8 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 400 Anzahl der Pins: 60 Produktpalette: IS43DR Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 242 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-25DBLI | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2 | auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43DR86400D-25DBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-25DBLI-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz a. CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBI | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512MB 333MHZ CL5 60BGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 242 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512MB 333MHZ CL5 60BGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBI-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBL | ISSI | DRAM 512M, 1.8V 64Mx8 DDR2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBL-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V 64Mx8 DDR2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 242 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBLI | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2 | auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBLI-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400D-3DBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-25DBL | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Kind of memory: DDR2; SDRAM Mounting: SMD Supply voltage: 1.7...1.9V DC Access time: 12.5ns Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...85°C Clock frequency: 400MHz Memory: 512Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx8bitx4 Kind of package: in-tray; tube Case: TWBGA60 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 242 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-25DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA Packaging: Tray Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43DR86400E-25DBL | ISSI | DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43DR86400E-25DBL-TR | ISSI | DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-25DBLI | ISSI | DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V | auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43DR86400E-25DBLI | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Kind of memory: DDR2; SDRAM Mounting: SMD Supply voltage: 1.7...1.9V DC Access time: 12.5ns Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 400MHz Memory: 512Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx8bitx4 Kind of package: in-tray; tube Case: TWBGA60 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 242 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 242 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-25DBLI-TR | ISSI | DRAM 512M, 18V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz a. CL5, 60 ball BGA (8mmx105mm) RoHS, IT, T&R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-25DBLI-TR | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Kind of memory: DDR2; SDRAM Mounting: SMD Supply voltage: 1.7...1.9V DC Access time: 12.5ns Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 400MHz Memory: 512Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx8bitx4 Kind of package: reel; tape Case: TWBGA60 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-3DBL | ISSI | DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V | auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43DR86400E-3DBL | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60 Kind of memory: DDR2; SDRAM Mounting: SMD Supply voltage: 1.7...1.9V DC Access time: 15ns Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...85°C Clock frequency: 333MHz Memory: 512Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx8bitx4 Kind of package: in-tray; tube Case: TWBGA60 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 242 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-3DBL-TR | ISSI | DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-3DBLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR86400E-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 512MBIT, BGA-60 tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 512Mbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 333MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8bit directShipCharge: 25 | auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IS43DR86400E-3DBLI | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT | auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43DR86400E-3DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA Packaging: Tray Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 333 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 450 ps Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2633 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43DR86400E-3DBLI | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60 Kind of memory: DDR2; SDRAM Mounting: SMD Supply voltage: 1.7...1.9V DC Access time: 15ns Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 333MHz Memory: 512Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx8bitx4 Kind of package: in-tray; tube Case: TWBGA60 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 242 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-3DBLI-TR | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60 Kind of memory: DDR2; SDRAM Mounting: SMD Supply voltage: 1.7...1.9V DC Access time: 15ns Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 333MHz Memory: 512Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx8bitx4 Kind of package: reel; tape Case: TWBGA60 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-3DBLI-TR | ISSI | DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16128B-18BL | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16128B-18BL-TR | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16128B-18BLI | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16 IT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16128B-18BLI-TR | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16 IT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16128B-25BL | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16128B-25BL-TR | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16128B-25BLI | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16 IT | auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43LD16128B-25BLI-TR | ISSI | DRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16 IT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16128C-18BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 134-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 533 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43LD16128C-18BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16128C-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 533MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 134Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IS43LD16160B-25BLI | ISSI | DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 171 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16160B-25BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 134TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 134-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43LD16160B-25BLI-TR | ISSI | DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16256C-18BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16256C-18BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 256MX16, 5 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16320A-25BLI | ISSI | DRAM 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43LD16320A-25BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 134-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43LD16320A-25BLI | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 400MHz; 18ns; TFBGA134 Type of integrated circuit: DRAM memory Case: TFBGA134 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Clock frequency: 400MHz Memory: 512Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 8Mx16bitx4 Kind of memory: LPDDR2; SDRAM Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC Access time: 18ns | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 171 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16320A-25BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16320A-25BLI-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-25BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-25BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-25BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-25BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-3BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 171 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-3BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-3BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 171 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640A-3BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-18BLI | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 533MHz; 18ns; TFBGA134 Type of integrated circuit: DRAM memory Case: TFBGA134 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Clock frequency: 533MHz Memory: 1Gb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 8Mx16bitx8 Kind of memory: LPDDR2; SDRAM Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC Access time: 18ns | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 171 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-18BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 171 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-18BLI | ISSI | DRAM 1G 64Mx16 533MHz LPDDR2 1.2/1.8V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-18BLI-TR | ISSI | DRAM 1G 64Mx16 533MHz LPDDR2 1.2/1.8V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-25BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 134-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43LD16640C-25BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16640C-25BLI - SDRAM, 64M x 16 Bit, parallele Schnittstelle, FBGA-134 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4 Bauform - Speicherbaustein: FBGA DRAM-Dichte: 1 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.2 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 400 Seitengröße: - Anzahl der Pins: 134 Produktpalette: IS43LD Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 16 bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-25BLI | ISSI | DRAM 1G 64Mx16 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43LD16640C-25BLI | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 400MHz; 18ns; TFBGA134 Type of integrated circuit: DRAM memory Case: TFBGA134 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Clock frequency: 400MHz Memory: 1Gb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 8Mx16bitx8 Kind of memory: LPDDR2; SDRAM Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC Access time: 18ns | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 171 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-25BLI-TR | ISSI | DRAM 1G 64Mx16 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640C-25BLI-TR | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 400MHz; 18ns; TFBGA134 Type of integrated circuit: DRAM memory Case: TFBGA134 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Clock frequency: 400MHz Memory: 1Gb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 8Mx16bitx8 Kind of memory: LPDDR2; SDRAM Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC Access time: 18ns | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD16640D-18BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 134-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 533 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-VFBGA (10x11.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 64M x 16 | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43LD16640D-18BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LD16640D-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 533MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 134Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IS43LD32128A-25BPLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 168-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD32128A-25BPLI | ISSI | DRAM | auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BLI | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT | auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43LD32128B-18BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA Packaging: Bulk Package / Case: 134-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 533 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 171 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BLI-TR | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 134-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 533 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BPL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 168-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 533 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BPL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 168-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 533 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BPLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 168-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 533 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 168 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BPLI | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT | auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IS43LD32128B-18BPLI-TR | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BPLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 168-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 533 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-18BPLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 168-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 533 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 168-VFBGA (12x12) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BLI | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 171 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA Packaging: Bulk Package / Case: 134-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 171 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BLI-TR | ISSI | DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IS43LD32128B-25BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 134-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |