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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Produktcode: 156293
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SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
JHGF: THT
auf Bestellung 36 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.08 EUR
100+0.85 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.59 EUR
2000+0.52 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF610PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF610 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 5505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.22 EUR
50+1.56 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.95 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610PBF-BE3.VISHAYDescription: VISHAY - IRF610PBF-BE3. - MOSFET, N-CH, 200V, 3.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610SSiliconixN-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610S TIRF610s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF610SPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610S2497Harris CorporationDescription: 3.3A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1050+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1050 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF610SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 3.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.98 EUR
10+1.95 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.27 EUR
5000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 2785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.73 EUR
50+1.82 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.21 EUR
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF610SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 3.3 Amp
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.98 EUR
10+2.57 EUR
100+1.76 EUR
500+1.33 EUR
800+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.73 EUR
10+2.4 EUR
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF610ZTSTU
auf Bestellung 14973 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF611Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF612Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF613Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
919+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 919 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF613HARRISIRF613
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1124+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614
Produktcode: 7922
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263
Uds,V: 250
Idd,A: 02.08.2015
Rds(on), Ohm: 2
Ciss, pF/Qg, nC: 05.08.180
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614Harris CorporationDescription: ADVANCED POWER MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
695+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 695 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614HARRISIRF614
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
583+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 583 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614-005PBFIOR2006
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614BFP001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220F-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614PBFIR
auf Bestellung 30088 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614PBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 250V
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.55 EUR
10+2.11 EUR
100+1.63 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.12 EUR
10000+1.11 EUR
25000+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF614PBF - N CHANNEL MOSFET, 250V, 2.7A TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 2.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 36
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4 EUR
10+2.57 EUR
100+1.76 EUR
500+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614SPBFVishay SemiconductorsMOSFET 250V N-CH HEXFET D2-PA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614STRPBFIR
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 2.7 Amp
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 94-98 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+2.27 EUR
100+1.81 EUR
250+1.67 EUR
500+1.42 EUR
800+1.29 EUR
2400+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF614STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6150Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 16-FlipFet™
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6150Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 16-FlipFet™
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6156Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET
Supplier Device Package: 6-FlipFet™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-FlipFet™
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF620
Produktcode: 7923
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
JHGF: THT
verfügbar: 12 St.
    1+0.48 EUR
    10+0.37 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 6 Amp
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620STMN-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; IRF620 TIRF620
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    auf Bestellung 250 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+1.4 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: TO-220
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-220-3
    Packaging: Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620(MFET,N-CH,50W,200V,5A,TO-220AB) Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6201
    Produktcode: 46582
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6201Infineon Technologies
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6201PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.45mOhms 130nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6201PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 27A 8SO
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8555 pF @ 16 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 4.5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
    Vgs (Max): ±12V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 27A, 4.5V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6201TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 27A 2.5mOhm 2.5V cpbl
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6201TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 27 A, 0.0019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6201TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 27A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 27A, 4.5V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    Vgs (Max): ±12V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 4.5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8555 pF @ 16 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6201TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 27 A, 0.0019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 20
    Dauer-Drainstrom Id: 27
    Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Verlustleistung Pd: 2.5
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8
    Produktpalette: HEXFET
    Wandlerpolarität: n-Kanal
    Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019
    Betriebstemperatur, max.: 150
    Schwellenspannung Vgs: 1.1
    SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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    IRF6201TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 27A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 8000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4000+0.65 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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    IRF620BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Vgs (Max): ±30V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Active
    Supplier Device Package: TO-220
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-220-3
    Packaging: Bulk
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    IRF620B_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 5A TO220-3
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Vgs (Max): ±30V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: TO-220-3
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-220-3
    Packaging: Tube
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    IRF620LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A I2PAK
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Active
    Supplier Device Package: I2PAK
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Packaging: Tube
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    IRF620N
    Produktcode: 30164
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    		FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Uds,V: 200
    Idd,A: 5
    Rds(on), Ohm: 01.08.2000
    JHGF: THT
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    IRF620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 2948 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    54+2.72 EUR
    110+1.29 EUR
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    500+0.75 EUR
    1000+0.62 EUR
    2000+0.55 EUR
    Mindestbestellmenge: 54 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620PBFVishay SiliconixN-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори
    auf Bestellung 20 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    3+2.31 EUR
    Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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    IRF620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 2948 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    206+0.71 EUR
    Mindestbestellmenge: 206 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 334 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    325+0.43 EUR
    Mindestbestellmenge: 325 Stücke
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    IRF620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 334 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    325+0.44 EUR
    Mindestbestellmenge: 325 Stücke
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    IRF620PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 5.2A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 1475 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+2.96 EUR
    10+1.41 EUR
    100+0.99 EUR
    500+0.89 EUR
    1000+0.77 EUR
    2000+0.68 EUR
    10000+0.67 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Active
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-220-3
    Packaging: Tube
    auf Bestellung 1174 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    7+2.76 EUR
    50+1.33 EUR
    100+1.19 EUR
    500+0.94 EUR
    1000+0.86 EUR
    Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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    IRF620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 798 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    108+1.36 EUR
    133+1.09 EUR
    250+0.92 EUR
    500+0.8 EUR
    Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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    IRF620PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 200V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 50W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
    auf Bestellung 1346 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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    IRF620PBFSTMN-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори
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    IRF620PBF
    Produktcode: 102083
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    		Transistoren > MOSFET N-CH
    ZCODE: 8541290010
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    IRF620PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 200V
    Drain current: 5.2A
    Pulsed drain current: 18A
    Power dissipation: 50W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 0.8Ω
    Mounting: THT
    Kind of channel: enhancement
    Gate charge: 14nC
    Kind of package: tube
    auf Bestellung 798 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    47+1.54 EUR
    82+0.87 EUR
    93+0.77 EUR
    101+0.71 EUR
    250+0.64 EUR
    500+0.59 EUR
    Mindestbestellmenge: 47 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 5.2A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 2887 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+2.96 EUR
    10+1.41 EUR
    100+1.03 EUR
    500+0.86 EUR
    1000+0.77 EUR
    2000+0.72 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1801 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    7+2.76 EUR
    50+1.33 EUR
    100+1.19 EUR
    500+0.94 EUR
    1000+0.86 EUR
    Mindestbestellmenge: 7 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF620PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 200V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 50W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
    auf Bestellung 900 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF620PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRF620PBF. - N CHANNEL MOSFET, 200V, 5.2A TO-220
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Through Hole
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 200V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: TBA
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
    Verlustleistung: 50W
    Bauform - Transistor: TO-220
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: N Channel
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
    directShipCharge: 25
    auf Bestellung 779 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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