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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STD3NK60Z1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZD
Produktcode: 83422
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms 2.4A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZFPST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 4905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.4 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 125000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.68 EUR
5000+0.63 EUR
7500+0.6 EUR
12500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
92+2.53 EUR
137+1.57 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZT4Microchip / Microsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZT4STMMOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 125000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.68 EUR
5000+0.61 EUR
7500+0.57 EUR
12500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.45 EUR
50+1.84 EUR
100+1.65 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZT4 (Transistor)
Produktcode: 51607
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60ZT4*******
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZSTMicroelectronics N-CHANNEL 800V - 3.8 Ohm - 2.5A DPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80Z-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NK80Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.25 A, 3.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.72 EUR
109+2.13 EUR
116+1.86 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 11730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.83 EUR
101+1.68 EUR
150+1.5 EUR
525+1.29 EUR
1050+1.21 EUR
2025+1.14 EUR
5025+1.04 EUR
10050+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80Z-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
auf Bestellung 3402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.15 EUR
10+2.26 EUR
100+2.09 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.59 EUR
3000+1.52 EUR
6000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80Z-1STTransistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80Z-1
Produktcode: 114732
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: IPAK
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 В
Drain-Strom Idd, A: 2,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 485/19
Montage: THT
auf Bestellung: 89 St.
  • 89 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.7 EUR
10+0.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80Z-1STTransistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
75+2.46 EUR
150+2.23 EUR
525+1.88 EUR
1050+1.74 EUR
2025+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 11723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.83 EUR
101+1.7 EUR
150+1.55 EUR
525+1.34 EUR
1050+1.31 EUR
2025+1.27 EUR
5025+1.17 EUR
10050+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80Z-1STTransistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80Z-1STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.15 EUR
37+2.31 EUR
44+1.98 EUR
53+1.62 EUR
60+1.43 EUR
75+1.31 EUR
150+1.19 EUR
525+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80Z-HSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZT4STMMOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
auf Bestellung 8473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.39 EUR
101+2.14 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 3630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.09 EUR
35+2.46 EUR
40+2.17 EUR
54+1.58 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
auf Bestellung 8473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.68 EUR
69+3.39 EUR
101+2.14 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZT4STTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80ZT4 TSTD3NK80zt-4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 4576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.05 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK80ZT4 (Transistor bipolar NPN)
Produktcode: 45476
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK90ZST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK90Z-1ST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK90ZFPST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+3.8 EUR
100+2.64 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.05 EUR
2500+1.78 EUR
5000+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 590 @ 25, Qg, нКл = 22,7 @ 10 В, Rds = 4.8 Ом @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 50 мкА, Р, Вт = 90, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 12W
Technology: SuperMesh™
auf Bestellung 5468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.68 EUR
31+2.76 EUR
36+2.42 EUR
100+1.62 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.23 EUR
2500+1.12 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK90ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK90ZT4
Produktcode: 88372
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK90ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK90ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.86 EUR
50+2.95 EUR
100+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM50ST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM50-1ST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM50T4STMMOSFET N-CH 550V 3A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM50T4
auf Bestellung 25200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM60ST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM60-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM60-1STMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM60-1STTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.3 A, 1.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
113+2.07 EUR
160+1.34 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.3 A, 1.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.95 EUR
113+2.07 EUR
160+1.34 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
auf Bestellung 2098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+1.86 EUR
100+1.33 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.92 EUR
5000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.3A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM60T4
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3PK50ZSTMMOSFET P-CH 550V 2.8A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3PK50ZSTMicroelectronicsMOSFET P-Ch 500V 3 Ohm 2.8A Zener SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3PK50Z
Produktcode: 105618
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3PK50Z
auf Bestellung 27600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3PK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3PS25ST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3PS25-1STTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3PS25T4
auf Bestellung 25200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD4Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CARTRIDGE 4A 240VAC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 0.476" Dia x 0.945" L (12.10mm x 24.00mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 4A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Electrical, Industrial
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 33kA
Voltage Rating - AC: 240 VAC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD4EATON BUSSMANNDescription: EATON BUSSMANN - STD4 - HH-Sicherung, STD Series, 4 A, Schrauböse, 240 V
tariffCode: 85361090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennspannung V AC: 240V
Nennspannung, V DC: -
Sicherungsstrom: 4A
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bauform - HH-Sicherung: Schrauböse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: STD Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD4Bussmann / EatonSpecialty Fuses 4A 240VAC IND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD40N2LH5
auf Bestellung 27600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD40N2LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 25V 40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD40NE03
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD40NE03LST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD40NE03LT4
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD40NF02
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD40NF02LST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD40NF02LT4
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD40NF03
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD40NF03LSTLogic N-MOSFET 40A 30V 80W 0.011Ω STD40NF03LT4 TSTD40nf03lt4
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD40NF03L-T4
auf Bestellung 58700 Stücke:
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STD40NF03L-TR
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STD40NF03LT
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STD40NF03LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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STD40NF03LT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 40 Amp
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