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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7941DP-T1
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7941DP-T1Vishay / SiliconixMOSFET 30V 9.0A 1.4W
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Si7941DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 9.0A 1.4W
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Si7941DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI7941DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SI7942AG
auf Bestellung 10 Stücke:
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SI7942DPVISHAY05+
auf Bestellung 118 Stücke:
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SI7942DP-T1
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7942DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 3438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.57 EUR
100+3.47 EUR
500+2.89 EUR
3000+2.76 EUR
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SI7942DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7942DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7942DP-T1-E3 - MOSFET, DUAL N-CH, 100V, 3.8A, 150DEG C
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 3.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.4
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7942DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI7942DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.09 EUR
10+5.49 EUR
100+4.49 EUR
500+3.82 EUR
1000+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI7942DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.43 EUR
10+3.8 EUR
100+3.27 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.78 EUR
3000+2.73 EUR
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SI7942DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
auf Bestellung 4991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI7942DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI7943DP-T1SI03/01+
auf Bestellung 6358 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Si7943DP-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7945DPVISHAY05+
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7945DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
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SI7945DP-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7945DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
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SI7945DP-T1-E3
Produktcode: 106236
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VishayTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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SI7945DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
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SI7945DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
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SI7946ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 7.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 19.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 7.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SI7946ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SI7946DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
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SI7946DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
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SI7946DP-T1-E3
auf Bestellung 2296 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7946DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7946DP-T1-GE3
auf Bestellung 13200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7946DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
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SI7946DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7946DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
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SI7948DPVISHAY05+
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7948DP-T1
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7948DP-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7948DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
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SI7948DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7948DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
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SI7949DPVISHAY09+
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7949DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
103+2.08 EUR
500+1.7 EUR
1500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; 0.94W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 4047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.24 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.52 EUR
3000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.4 EUR
91+2.57 EUR
103+2.08 EUR
500+1.7 EUR
1500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 5329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.55 EUR
10+2.92 EUR
50+2.21 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.12 EUR
75+3.13 EUR
101+2.12 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
auf Bestellung 16869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 3930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.13 EUR
101+2.12 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
auf Bestellung 16869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 6821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.24 EUR
100+2 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.63 EUR
3000+1.44 EUR
6000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7956DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7956DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7956DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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1+7.83 EUR
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3000+2.87 EUR
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SI7956DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7956DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
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3+8.32 EUR
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SI7956DP-T1-E3 Transistor
Produktcode: 208669
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SI7956DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7956DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 2750 Stücke:
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4+6.89 EUR
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SI7956DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7956DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7956DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.088 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 150V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.088ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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31+8.18 EUR
42+5.59 EUR
100+3.86 EUR
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SI7956DP-T1-GE3MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 Транзистори
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SI7956DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7956DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7956DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7956DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7956DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.088 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 150V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.088ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1057 Stücke:
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100+3.86 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.94 EUR
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SI7956DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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1+8.02 EUR
10+4.11 EUR
100+3.72 EUR
500+3.17 EUR
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SI7958DPVISHAY09+
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Si7958DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
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Si7958DP-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Si7958DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
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Si7958DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
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SI7958DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
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SI7958DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7958DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
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SI7960SI06+
auf Bestellung 1206 Stücke:
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SI7960DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7960DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7960DP-T1-E3 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 9.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 20
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.4
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7960DP-T1-E3VishayMOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7960DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7960DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7960DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7962DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7962DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7962DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7962DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7962DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7964DFFRVishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7964DP-T1-E3
auf Bestellung 6010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7964DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI7252DP-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7964DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7964DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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