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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTY2P50PALittelfuseMOSFET Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
1+7.9 EUR
10+6.64 EUR
25+6.26 EUR
70+4.24 EUR
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IXTY2R4N50PIXYSMOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds
auf Bestellung 60 Stücke:
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IXTY2R4N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252
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 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IXTY32P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 32A TO-252
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 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IXTY32P05TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
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IXTY32P05T-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY32P05T TRL
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IXTY3N50PIXYSMOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY3N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
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 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY3N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK
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 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY3N60PIXYSMOSFET 3 Amps 600V 3 Rds
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V
auf Bestellung 3448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
70+2.83 EUR
140+2.59 EUR
560+2.21 EUR
1050+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY44N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 44A, TO-252
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 130
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: To Be Advised
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10TIXYSMOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.64 EUR
10+3.42 EUR
70+2.84 EUR
560+2.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 60ns
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.11 EUR
26+3.28 EUR
34+2.55 EUR
50+2.06 EUR
70+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10T-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 44A; 130W; DPAK,TO252AA; 60ns
Case: DPAK; TO252AA
Mounting: SMD
Power dissipation: 130W
Gate charge: 33nC
Technology: Trench
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 60ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10T-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY44N10T TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY48P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO252
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.09 EUR
70+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXTY48P05TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
auf Bestellung 10366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.79 EUR
10+5.45 EUR
70+4.96 EUR
560+4.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY48P05TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Gate charge: 53nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 30ns
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTY48P05T-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY48P05T TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY48P05T-TRLIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 50V; 48A; 150W; DPAK,TO252AA
Case: DPAK; TO252AA
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 30mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY48P05T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO252
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N60PIXYSMOSFET PolarHV Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTY4N65X2IXYSMOSFETs TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 80W
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 650V; 4A; 80W; DPAK,TO252AA; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 80W
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXTY4N65X2 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY50N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 50A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY55N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 55A TO252
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY55N075Tвариант замены STD30NF06LT4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY5N50PIXYSMOSFET 5 Amps 500V 1.3 Ohms Rds
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY5N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY64N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 64A TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY64N055T-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY64N055T TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2IXYSMOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.96 EUR
10+4.58 EUR
70+4 EUR
560+3.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N70X2IXYSMOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.97 EUR
10+5.45 EUR
70+4.13 EUR
560+3.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY90N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
70+2.68 EUR
140+2.42 EUR
560+2.03 EUR
1050+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY90N055T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 55V; 90A; 150W; DPAK,TO252AA; 37ns
On-state resistance: 8.4mΩ
Reverse recovery time: 37ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 42nC
Polarisation: N
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK; TO252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY90N055T2IXYSMOSFETs TO252 N-CH 55V 90A
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+2.73 EUR
70+2.48 EUR
560+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY90N055T2-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 90A; 150W; DPAK,TO252AA; 37ns
Reverse recovery time: 37ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 42nC
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK; TO252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY90N055T2-TRLIXYSMOSFETs IXTY90N055T2 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY90N055T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTZ550N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 550A DE475
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DE475
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTZ550N055T2IXYSMOSFET 550Amps 55V
Produkt ist nicht verfügbar
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