Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| DMN6066SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6066SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6066SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6066SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6066SSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6066SSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6068LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V | auf Bestellung 22400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6068LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6068LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85364190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 4.12W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.12W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 235000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHANNEL | auf Bestellung 67211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6068LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6068LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85364190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.12W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6068LK3-13-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6068LK3Q-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252, 2.5K Automotive AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6068LK3Q-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252, 2.5K Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6068LK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6068LK3Q-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252, 2.5K Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 155000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068LK3Q-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252, 2.5K Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068LK3Q-13-52 | Diodes Zetex | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6068SE | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6068SE | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6068SE - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 16W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 6727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068SE | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6068SE - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 16W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 6727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068SE-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 4083 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068SE-13 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 60V 4.1A 68mΩ 2W DMN6068SE-13 Diodes TDMN6068se Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3948 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6068SE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm | auf Bestellung 852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 TUBE 4K | auf Bestellung 41251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6068SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V | auf Bestellung 41514 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6068SE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm | auf Bestellung 3852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068SEQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6068SEQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6068SEQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068SEQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6068SEQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6068SEQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6068SEQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6068SEQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068SEQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 20.8A; 3.7W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 20.8A Power dissipation: 3.7W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.3nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6069SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 1927 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6069SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6069SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 350000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6069SE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-223-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 228699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6069SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6069SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 1927 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6069SE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 227500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6069SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6069SE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 2.5K | auf Bestellung 12567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6069SEQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R 2.5K | auf Bestellung 1417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6069SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vgss 25A Idm | auf Bestellung 401 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6069SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6069SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 930mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 38230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6069SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 930mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6069SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vgss 25A Idm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6069SFG-7 | Diodes | DMN6069SFG-7 MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6069SFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.4W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6069SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 3442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6069SFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6069SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V | auf Bestellung 118000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6069SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V | auf Bestellung 118000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6069SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6069SFVW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 14A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6069SFVW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6069SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6069SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6069SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6069SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6070LCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V-60V X2-TSN1510-6 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6070SFCL-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF | auf Bestellung 4610 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6070SFCL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6070SFCL-7 Produktcode: 143691
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DMN6070SFCL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V | auf Bestellung 56754 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6070SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6070SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 1725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6070SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6070SSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Drain current: 3.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω | auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6070SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6070SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 65000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6070SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss | auf Bestellung 36099 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6070SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6070SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6070SY-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6070SY-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-89-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 173665 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6070SY-13 | Diodes | MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6070SY-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-89-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 172500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6070SY-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 4065 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6075S | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN6075S-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF | auf Bestellung 9470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6075S-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6075S-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 9519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6075S-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6075S-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1000000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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