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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLR3410TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.07 EUR
174+0.98 EUR
176+0.93 EUR
221+0.71 EUR
250+0.68 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRLPBF (Transistor)
Produktcode: 89552
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
1+16.66 EUR
10+14.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 7782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
132+1.76 EUR
183+1.18 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.93 EUR
135+1.26 EUR
190+0.87 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.65 EUR
4000+0.61 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 17A TO-252AA (DPAK) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.65 EUR
4000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 7782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
132+1.76 EUR
183+1.18 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.93 EUR
135+1.29 EUR
190+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.58 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
auf Bestellung 15624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.83 EUR
100+1.18 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.82 EUR
4000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 79, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.65 EUR
4000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 8146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 15A DPAK (аналог 19N10L) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.68 EUR
110+1.58 EUR
250+1.49 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.3 EUR
97+0.88 EUR
129+0.65 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
618+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 618 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
530+0.33 EUR
539+0.31 EUR
547+0.3 EUR
556+0.29 EUR
565+0.26 EUR
575+0.25 EUR
585+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 530 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
618+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
10000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 618 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
547+0.32 EUR
556+0.31 EUR
565+0.3 EUR
575+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 547 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3412
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3412PBF
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 80A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3636; IRLR3636TRL; IRLR3636TR; SP001553190; SP001569134; SP001574002; IRLR3636 HXY MOSFET TIRLR3636 HXY
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636PbFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636PBF
Produktcode: 105188
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,054 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3779/33
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 75 St.
  • 75 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.33 EUR
10+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636PbFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR3636PBF - IRLR3636 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636PbFInternational Rectifier(MFET,N-CH,60V,50A,DPAK) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRInfineonN-MOSFET 50A 60V 143W 0.068Ω IRLR3636 IRLR3636TR (2000/T&R) IRLR3636TRL (3K/RL) IRLR3636-GURT IRLR3636 IRLR3636-GURT TIRLR3636
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBFInfineonIRLR3636TRLPBF IRLR3636TRPBF (MFET,N-CH,60V,50A,TO-252AA (DPAK) SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.46 EUR
75+2.28 EUR
107+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.46 EUR
75+2.33 EUR
107+1.59 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
77+3.03 EUR
112+1.92 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.12 EUR
159+1.09 EUR
160+1.06 EUR
250+1.04 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1.13 EUR
158+1.08 EUR
159+1.04 EUR
160+0.99 EUR
250+0.94 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.03 EUR
112+1.92 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
auf Bestellung 2542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.43 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
394+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 394 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 2673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.19 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.17 EUR
4000+1.07 EUR
6000+1.01 EUR
10000+0.95 EUR
14000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.98 EUR
35+2.49 EUR
39+2.19 EUR
48+1.78 EUR
56+1.54 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.17 EUR
4000+1.05 EUR
6000+0.98 EUR
10000+0.89 EUR
14000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.34 EUR
76+2.24 EUR
107+1.54 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.07 EUR
2000+0.92 EUR
4000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.2 EUR
6000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.27 EUR
78+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 2673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.68 EUR
72+3.22 EUR
100+2.19 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC
auf Bestellung 8299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.59 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 A, Ptot, Вт = 143, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3779 @ 50, Qg, нКл = 49 @ 4,5 В, Rds = 6,8 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 5 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.34 EUR
76+2.28 EUR
107+1.59 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.15 EUR
2000+1.01 EUR
4000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 10715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.63 EUR
50+1.99 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF Transistor
Produktcode: 196330
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705IR07+
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZIR
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 44nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZPBFInternational RectifierTO252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZPBF
Produktcode: 41262
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2900/44
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.73 EUR
10+1.55 EUR
100+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRInfineonN-MOSFET HEXFET 55V 42A 130W 0.008Ω IRLR3705Z TIRLR3705z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.13 EUR
83+2.05 EUR
120+1.37 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
434+1.52 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 434 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBF
Produktcode: 190163
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
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IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 19858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.83 EUR
10+2.45 EUR
100+1.65 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.9 EUR
4000+0.79 EUR
6000+0.75 EUR
10000+0.71 EUR
14000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR3705ZTRPBFInternational RectifierTO252 Транзистори
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IRLR3705ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.22 EUR
76+3.06 EUR
112+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl
auf Bestellung 9197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.4 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
2000+1.08 EUR
4000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.11 EUR
4000+1.04 EUR
6000+0.99 EUR
10000+0.95 EUR
14000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.43 EUR
43+2.02 EUR
49+1.77 EUR
64+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.13 EUR
83+2.09 EUR
120+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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IRLR3711ZIR05+
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3714IR07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3714Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3714PBFIR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR3714PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3714PBFТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3714TRIOR03+
auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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