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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFX90N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX90N30IXYSMOSFET 300V 90A
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.28 EUR
10+30.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX90N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 90A PLUS247-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX90N60XIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX90N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX94N50P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.77 EUR
10+29.11 EUR
120+28.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX94N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX94N50P2Power MOSFET 500V, 94A, PLUS247 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX94N50P2(Transistor)
Produktcode: 48319
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX98N50P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 98A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX98N50P3IXYSMOSFETs 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX98N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.46 EUR
30+28.25 EUR
120+24.7 EUR
510+24.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX98N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX98N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 98A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX98N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 98A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY12N65X3LittelfuseMOSFETs TO252 650V 12A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY12N65X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 12A 650V X3 TO25
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY13N60X3LittelfuseMOSFETs TO252 600V 13A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY13N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 13A 600V X3 TO25
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY26N30X3IXYSMOSFETs TO252 300V 26A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.15 EUR
10+8.6 EUR
70+5.34 EUR
560+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY26N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 26A TO252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.81 EUR
10+8.81 EUR
100+7.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY26N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFY26N30X3 - MOSFET, N-CH, 300V, 26A, TO-252
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 26
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY30N25X3IXYSMOSFETs TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+8.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY30N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
auf Bestellung 6203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.22 EUR
70+7.39 EUR
140+6.81 EUR
560+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY30N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY36N20X3IXYSMOSFETs TO252 200V 36A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.53 EUR
10+6.01 EUR
70+5.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY36N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.26 EUR
70+5.77 EUR
140+5.45 EUR
560+5.01 EUR
1050+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY36N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY36N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFY36N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.038 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 8A
Gate charge: 6.9nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N60P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N85XIXYSMOSFET 850V/3.5A Ultra Junction X-Class HiPerFET Power MOSFET, TO-252
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY4N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.96 EUR
70+4.44 EUR
140+4.06 EUR
560+3.46 EUR
1050+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY5N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY5N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2IXYSMOSFET 650V/8A TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ140N25TIXYSMOSFETs DiscMSFT NChTrenchGate-Gen1 DE475
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ140N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 100A DE475
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 445W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: DE475
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ520N075T2IXYSMOSFET TrenchT2 HiperFETs Gate TrenchT2 MOSFET
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 325-329 Tag (e)
1+86.01 EUR
10+80.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFZ520N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 465A DE475
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 465A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: DE475
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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