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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STD5NK40ZT4
Produktcode: 118094
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,8 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 305/11,7
Montage: SMD
auf Bestellung: 524 St.
  • 524 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.98 EUR
10+0.84 EUR
100+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK40ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.79 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK40ZT4-E
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZSTMSOT-252
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50Z-1STMSOT-252
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50Z-T4
auf Bestellung 6030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.19 EUR
5000+1.08 EUR
7500+1 EUR
12500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.4 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.14 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.12 EUR
156+1.08 EUR
157+1.04 EUR
158+0.99 EUR
250+0.94 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4
Produktcode: 84994
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8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STD5NK50ZT4 Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.12 EUR
157+1.09 EUR
158+1.06 EUR
250+1.04 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.4 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STMMOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.84 EUR
100+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 4.4 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.16 EUR
10+2.84 EUR
100+1.82 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.2 EUR
5000+1.11 EUR
7500+1.05 EUR
12500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK50ZT4STD5NK50ZT4 Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK52ZDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 520V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 520 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK52ZD-1
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK52ZD-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 520 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK60ZST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK60ZT4STMMOSFET N-CH 600V 5A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp Zener SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK60ZT4
Produktcode: 191547
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VBsemiTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 4,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,1 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1417/48
Montage: SMD
auf Bestellung: 33 St.
  • 33 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.03 EUR
10+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.9 EUR
10+3.15 EUR
100+2.15 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1 EUR
5000+0.95 EUR
7500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 20A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK60ZT4
Produktcode: 39383
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,6 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Montage: SMD
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.55 EUR
10+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.99 EUR
5000+0.92 EUR
7500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50ST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50STMicroelectronicsMOSFET N-Channel 500V - 0.7 Ohm - 7.5A DPAK MDmesh(TM) PO, POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50-1ST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 7.5 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50AG
Produktcode: 176283
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a
auf Bestellung 5579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5NM50AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.5 A, 0.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
62+3.78 EUR
100+2.49 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.34 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5NM50AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.5 A, 0.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.83 EUR
10+3.07 EUR
100+2.2 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.15 EUR
87+1.99 EUR
114+1.48 EUR
200+1.37 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.36 EUR
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50T4
Produktcode: 32698
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Strom Idd, A: 7,5 А
Montage: SMD
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 7.5 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM50Z
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60STTO-252/D-PAK
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.24 EUR
89+1.94 EUR
150+1.74 EUR
525+1.67 EUR
1050+1.62 EUR
2025+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60-1STM(TO252) DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+3.12 EUR
100+2.98 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.26 EUR
3000+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60-1STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 18nC
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.82 EUR
75+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.24 EUR
89+1.9 EUR
150+1.67 EUR
525+1.58 EUR
1050+1.49 EUR
2025+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STTransistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; STD5NM60T4 TSTD5NM60t4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.81 EUR
5000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.62 EUR
10000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STMMOSFET N-CH 600V 5A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.62 EUR
10000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.83 EUR
97+1.77 EUR
99+1.71 EUR
100+1.64 EUR
250+1.59 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 6652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.9 EUR
10+3.83 EUR
100+2.65 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.83 EUR
97+1.74 EUR
99+1.64 EUR
100+1.56 EUR
250+1.48 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 275 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.74 EUR
10+2.92 EUR
100+2.15 EUR
500+1.93 EUR
2500+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.18 EUR
89+2.62 EUR
100+2.23 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5P06VT4onsemiDescription: PFET DPAK SPCL 60V TR
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1374+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1374 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5P06VT4
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6EatonFuse HRC 6A 240V Stud Mount Lug 12 X 47mm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6EATON BUSSMANNDescription: EATON BUSSMANN - STD6 - HH-Sicherung, STD Series, 6 A, Schrauböse, 240 V
tariffCode: 85361090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennspannung V AC: 240V
Nennspannung, V DC: -
Sicherungsstrom: 6A
euEccn: NLR
Bauform - HH-Sicherung: Schrauböse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: STD Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STD6EatonFuse HRC 6A 240V Stud Mount Lug 12 X 47mm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+27.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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STD6EatonFuse HRC 6A 240V Stud Mount Lug 12 X 47mm
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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STD6Bussmann / EatonSpecialty Fuses 6A 240VAC INDUSTRIAL
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STD6EatonFuse HRC 6A 240V Stud Mount Lug 12 X 47mm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+19.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STD6Eaton BussmannDescription: FUSE CARTRIDGE 6A 240VAC CYLINDR
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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STD6025NLST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6025NLSSTTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STD60GK08SIRECTIFIERCategory: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 60A; 21MM; Ufmax: 1.57V; Ifsm: 1.5kA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 60A
Case: 21MM
Max. forward voltage: 1.57V
Threshold on-voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 1.5kA
Gate current: 100mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: glass passivated
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
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STD60GK14SIRECTIFIERCategory: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 60A; 21MM; Ufmax: 1.57V; Ifsm: 1.5kA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 60A
Case: 21MM
Max. forward voltage: 1.57V
Max. forward impulse current: 1.5kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: glass passivated
Gate current: 100mA
Threshold on-voltage: 0.85V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STD60GK16SIRECTIFIERCategory: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 60A; 21MM; Ufmax: 1.57V; Ifsm: 1.5kA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 60A
Case: 21MM
Max. forward voltage: 1.57V
Max. forward impulse current: 1.5kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: glass passivated
Gate current: 100mA
Threshold on-voltage: 0.85V
auf Bestellung 11 Stücke:
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5+17.89 EUR
10+15.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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