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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N2219ALMicrosemiTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-5 Tray
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N2219ALMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2N2219ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2219ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
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2N2219APMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2219APMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN PinD Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2219E3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Lead-Free Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2219E3Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2219NMOT95+
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N221AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N222MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2220ST
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2220AST
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2221onsemi
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2N2221onsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N2221STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2221ST
auf Bestellung 89500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2221 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2221 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 500mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2221 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 500mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2221Aonsemi
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2221AST
auf Bestellung 85000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2221AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
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2N2221ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N2221AonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2221AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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2N2221A PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2N2221A PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.8 W
Produkt ist nicht verfügbar
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2N2221A TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N2221A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2221ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Long-Lead Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2221ALMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2221AUAMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 650mW 4-Pin UA Waffle
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+23.62 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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2N2221AUAMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2221AUAMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 650mW 4-Pin UA Waffle
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2221AUAMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2221AUAMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 650mW 4-Pin UA Waffle
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+23.62 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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2N2221AUA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2221AUA/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2221AUBMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A 3-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 3-SMD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2221AUBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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2N2221AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2221AUB/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222onsemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222CDILNPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222 T2N2222
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222CDILТранзистор: NPN; биполярный; 30В; 0,8А; 0,5/1,2Вт; TO18; 4дБ Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2222 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 1.2 W, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 12046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.45 EUR
190+1.23 EUR
256+0.84 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 0.6A TO-18
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222CDILNPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222 T2N2222
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 13053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1 EUR
121+0.7 EUR
200+0.43 EUR
223+0.38 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222onsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222 (CDIL)
Produktcode: 199089
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 4035
6 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 250 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: THT
verfügbar: 4 St.
  • 4 St. - stock Köln
auf Bestellung: 5456 St.
  • 5456 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.079 EUR
10+0.051 EUR
100+0.039 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 1343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.18 EUR
10+4.02 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Silicon
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
10+3.81 EUR
100+2.75 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.05 EUR
2000+1.92 EUR
4000+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 800MA 400MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
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2N2222 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW
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2N2222/2907??08+
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2N2222/2N2907FSC08+
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2N22222N2907
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2N2222AonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
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2N2222AMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
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108+2.33 EUR
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2N2222ACentralsemiNPN, 40V 0.8A TO-18 Транзистори
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2N2222ALumimax Optoelectronic TechnologyDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
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148+0.14 EUR
254+0.082 EUR
500+0.064 EUR
1000+0.055 EUR
2000+0.05 EUR
3000+0.046 EUR
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2N2222AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
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2N2222ASTMicroelectronicsТранзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.3A, P=0.5W, B=100-300@Ic=150mA, Ft=250 MHz, -65 to +200C)... Транзистори Корпус: TO-18 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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2N2222A
Produktcode: 217018
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2N2222ACDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Current gain: 40...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
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84+1.02 EUR
118+0.73 EUR
198+0.43 EUR
220+0.39 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
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2N2222AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
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36+4.91 EUR
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2N2222ADiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
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21+1 EUR
34+0.63 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
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2N2222ACDILNPN 40V 0,6A 0,5W B:100-300 TO18 Транзистори
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2N2222ACDILNPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
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2N2222ADiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
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63+0.33 EUR
105+0.2 EUR
170+0.12 EUR
500+0.089 EUR
1000+0.079 EUR
2000+0.069 EUR
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2N2222ASemicoa SemiconductorsTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
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2N2222AGood-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
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10+3.19 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
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2N2222ADiotecNPN, Uкэ=40V, Iк=0.6A (0.8 имп.), h21=35...300, 0.5Вт, 300МГц, TO-18 (круглый) Транзистори
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2N2222AShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 40V 600MA NPN TO-92
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100+0.21 EUR
170+0.12 EUR
277+0.076 EUR
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1000+0.048 EUR
2000+0.042 EUR
5000+0.036 EUR
10000+0.031 EUR
50000+0.024 EUR
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2N2222ADiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN
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13+0.27 EUR
18+0.19 EUR
100+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
4000+0.083 EUR
8000+0.057 EUR
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2N2222ADIOTECTransistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.074 EUR
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2N2222A
Produktcode: 213005
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SemtechTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 А
Stromverstärkung h21: 300
Montage: THT
auf Bestellung: 3763 St.
  • 3763 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.12 EUR
10+0.098 EUR
100+0.086 EUR
1000+0.075 EUR
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2N2222ADIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 20275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
834+0.1 EUR
863+0.099 EUR
910+0.094 EUR
1090+0.079 EUR
1573+0.054 EUR
1806+0.048 EUR
4000+0.038 EUR
8000+0.035 EUR
12000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 834 Stücke
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2N2222ADiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 22395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2218+0.079 EUR
4000+0.06 EUR
8000+0.052 EUR
12000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 2218 Stücke
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2N2222ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO-18
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N2222ASTMNPN, Uкэ=40V, Iк=0.6A (0.8 имп.), h21=35...300, 0.5Вт, 300МГц, TO-18 (круглый) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222ADiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.23 EUR
8000+0.21 EUR
12000+0.2 EUR
20000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222ARectronBipolar Transistors - BJT TO-18
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222ACDILТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 0,8 А, ft, МГц = 300, Icutoff-max = 10 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -65...+200,... Транзистори Корпус: TO-18 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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2N2222AMICROSEMITO-18NPN Transistor 2N2222A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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2N2222AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
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 Mindestbestellmenge: 307 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
auf Bestellung 3212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.32 EUR
100+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2N2222AOn SemiconductorТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222ACDILNPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222ADiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.062 EUR
8000+0.055 EUR
12000+0.051 EUR
20000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222ACentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222A LEADCentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222A (TO-18) (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 105921
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STTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-18
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 А
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.69 EUR
10+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222A (TO-92) (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 26080
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FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: THT
verfügbar: 120 St.
  • 120 St. - stock Köln
1+0.098 EUR
10+0.082 EUR
100+0.07 EUR
1000+0.055 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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