Produkte > BC6
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BC638 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC638 - BC638, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638 | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK DLT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638 Produktcode: 79924
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Lieblingsprodukt
| Fairchild | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-92 Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz Spannung Uce, V: 60 V Strom Ic, A: 1 A Stromverstärkung h21, max: 160 | verfügbar: 49 St.
auf Bestellung: 33 St.
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| BC638 | ONS/FAI | (PNP,60V,1.0A,1.0W,100MHZ,TO-92) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638 | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC638 (LEGACY FAIRCHILD) | onsemi | PNP/60V/1A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638,112 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 830 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638,116 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 830 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 830 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638-10 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 0.83W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 100MHz Current gain: 63...160 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638-16 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 0.83W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 100MHz Current gain: 100...250 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 830 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638BU | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC638G - BC638G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 13666 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 13626 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC638G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk | auf Bestellung 12166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638TA | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 50MHz Current gain: 100...250 | auf Bestellung 1725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638TA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP | auf Bestellung 7384 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC638TA | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC638TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638TA | ONS/FAI | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638TA | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 0.8W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 50MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638TA | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC638TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC638 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638TA | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC638TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638TA | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 8816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC638TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638TF | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638TFR | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638ZL1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC638ZL1 - BC638ZL1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638ZL1 | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC638ZL1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638ZL1 | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.5A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC638ZL1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638ZL1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC638ZL1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC638ZL1G - BC638ZL1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC638ZL1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.5A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639 | ONS/FAI | NPN, 80V, 1A,0.8W, 100MHZ, TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639 | MIC | NPN 1A 80V 800mW 150MHz Replacement for: BC637 BC639 TBC639 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2322 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC639 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639 | NXP | TO92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639 | Infineon | 1500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639 | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK DLT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639 | CDIL | Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 200, hFE = 40...250, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | verfügbar 244 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639 | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 800mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 100MHz Power: 0.8W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639 | Philips | 1500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 1158
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Lieblingsprodukt
| Fairchild | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-92 Transitfrequenz fT: 100 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V Kollektorstrom Ic, A: 1 A Stromverstärkung h21: 250 Montage: THT | verfügbar: 50 St.
auf Bestellung: 1222 St.
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| BC639 AMO | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639,112 | NXP | (NPN,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639,112 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 830 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639,116 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 830 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 830 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639-10 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 63...160 Mounting: THT Frequency: 100MHz | auf Bestellung 6120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC639-10,126 | NXP | (NPN,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639-10-AP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Ammo | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639-10-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639-10-AP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Ammo | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639-10-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639-16 | JSMicro Semiconductor | Transistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC639-16ZL1G; BC639-16-BP; BC639-16-LGE; BC639-16-CDI; BC639-16 JSMICRO TBC63916 JSM Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC639-16 | LGE | BC639-16 BC639 NPN, 80V, 1A,0.8W, 100MHZ, TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639-16 | LGE | Transistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC639-16-LGE; BC63916_D27Z; BC639-16ZL1G; BC639-16-CDI; BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC639-16TA-CDI; TBC639.16TA; BC639-16 TO92(AMMO) LGE TBC63916 Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 805 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC639-16 | LGE | BC639-16 BC63916 Транзистори | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC639-16 | LGE | Transistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC639-16-LGE; BC63916_D27Z; BC639-16ZL1G; BC639-16-CDI; BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC639-16TA-CDI; TBC639.16TA; BC639-16 TO92(AMMO) LGE TBC63916 Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC639-16 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 100...250 Mounting: THT Frequency: 100MHz | auf Bestellung 1540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC639-16-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639-16-AP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Ammo | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639-16-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639-16ZL1 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639-16ZL1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC639-16ZL1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639-16ZL1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639-16ZL1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC639-16ZL1G - TRANSISTOR, NPN, 80V, 1A, TO-92-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC639-16ZL1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BC639-16ZL1G | On Semiconductor | (NPN,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639-16ZL1G (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 40047
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BC639/D75Z | auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC63916 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63916 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN GP AMP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63916-D27Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 10382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63916-D27Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63916-D27Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R | auf Bestellung 2144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63916-D27Z | ON-Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Substitute: BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI TBC63916-D27Z Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC63916-D27Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC63916-D27Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63916-D27Z | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power | auf Bestellung 3256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC63916-D27Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R | auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63916-D27Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63916-D27Z | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz | auf Bestellung 3441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63916-D27Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R | auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63916-D27Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R | auf Bestellung 2144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63916-D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke | verfügbar 1 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63916-D27Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 2433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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