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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BC638ONS/FAI(PNP,60V,1.0A,1.0W,100MHZ,TO-92) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638NXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK DLT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638onsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638CDILТранзистор: PNP; биполярный; 60В; 1А; 0,8/2,75Вт; TO92 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638ONSEMIDescription: ONSEMI - BC638 - BC638, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638
Produktcode: 79924
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FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 60 V
Strom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21, max: 160
verfügbar: 49 St.
  • 49 St. - stock Köln
auf Bestellung: 33 St.
  • 33 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.15 EUR
10+0.13 EUR
100+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638onsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 60V PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638 (LEGACY FAIRCHILD)onsemi PNP/60V/1A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638,112NXP USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 830 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638,116NXP USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 830 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638,126NXP USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 830 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638-10LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 0.83W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
Current gain: 63...160
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638-16LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 0.83W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
Current gain: 100...250
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 60V 1A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 830 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638BUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 13626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3030+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3030 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638GONSEMIDescription: ONSEMI - BC638G - BC638G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 12166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4567+0.14 EUR
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 14000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TAonsemiBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
auf Bestellung 4234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
294+0.58 EUR
476+0.35 EUR
802+0.2 EUR
1020+0.15 EUR
1149+0.13 EUR
2000+0.1 EUR
3947+0.099 EUR
4000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 294 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.11 EUR
4000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TAonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
830+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 830 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TAONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
Current gain: 100...250
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.43 EUR
258+0.33 EUR
300+0.29 EUR
512+0.17 EUR
596+0.14 EUR
715+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 14000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TAONS/FAIBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TAonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
828+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 828 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.11 EUR
4000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TAONSEMIDescription: ONSEMI - BC638TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC638
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+0.73 EUR
553+0.42 EUR
878+0.25 EUR
1187+0.18 EUR
1337+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 8816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3947+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3947 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TAONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 0.8W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638TFRonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638ZL1onsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3620+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3620 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638ZL1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5455+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638ZL1ONSEMIDescription: ONSEMI - BC638ZL1 - BC638ZL1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638ZL1onsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638ZL1GONSEMIDescription: ONSEMI - BC638ZL1G - BC638ZL1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638ZL1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3030+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3030 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638ZL1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC638ZL1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4567+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639onsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639Infineon1500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 800mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
Power: 0.8W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639MICNPN 1A 80V 800mW 150MHz Replacement for: BC637 BC639 TBC639
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639CDILТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 200, hFE = 40...250, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 244 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639NXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK DLT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639Philips1500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639ONS/FAINPN, 80V, 1A,0.8W, 100MHZ, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639NXPTO92 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639onsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 1158
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FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V
Kollektorstrom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 50 St.
  • 50 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1195 St.
  • 1195 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.13 EUR
10+0.12 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.075 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639 AMOonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639,112NXP USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 830 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639,112NXP(NPN,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639,116NXP USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 830 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639,126NXP USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 830 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-10LUGUANG ELECTRONICCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 5956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1740+0.049 EUR
2120+0.04 EUR
2360+0.036 EUR
2660+0.032 EUR
5000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1740 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-10,126NXP(NPN,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-10-APMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-10-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-10-APMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-10-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC639-16ZL1G; BC639-16-BP; BC639-16-LGE; BC639-16-CDI; BC639-16 JSMICRO TBC63916 JSM
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16LGEBC639-16 BC63916 Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16LGETransistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC639-16-LGE; BC63916_D27Z; BC639-16ZL1G; BC639-16-CDI; BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC639-16TA-CDI; TBC639.16TA; BC639-16 TO92(AMMO) LGE TBC63916
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 805 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16LUGUANG ELECTRONICCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1160+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 1160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16LGETransistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC639-16-LGE; BC63916_D27Z; BC639-16ZL1G; BC639-16-CDI; BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC639-16TA-CDI; TBC639.16TA; BC639-16 TO92(AMMO) LGE TBC63916
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16LGEBC639-16 BC639 NPN, 80V, 1A,0.8W, 100MHZ, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16LGETransistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC639-16-LGE; BC63916_D27Z; BC639-16ZL1G; BC639-16-CDI; BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC639-16TA-CDI; TBC639.16TA; BC639-16 TO92(AMMO) LGE TBC63916
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16-APMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16ZL1onsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16ZL1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
275+2 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16ZL1GON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16ZL1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16ZL1GON Semiconductor
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16ZL1GONSEMIDescription: ONSEMI - BC639-16ZL1G - TRANSISTOR, NPN, 80V, 1A, TO-92-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16ZL1GOn Semiconductor(NPN,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639-16ZL1G (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 40047
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639/D75Z
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC63916onsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC63916onsemiBipolar Transistors - BJT TO-92 NPN GP AMP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC63916-D27ZFairchild/ON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC63916-D27ZON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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BC63916-D27ZonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
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BC63916-D27ZonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
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BC63916-D27ZONSEMIDescription: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10651 Stücke:
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192+1.31 EUR
324+0.71 EUR
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879+0.19 EUR
912+0.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 849 Stücke
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BC63916-D27ZON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Substitute: BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI TBC63916-D27Z
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BC63916-D27ZON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
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2000+0.19 EUR
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BC63916-D27ZonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
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31+0.69 EUR
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