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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSP135H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.12A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
auf Bestellung 1612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
62+1.38 EUR
79+1.08 EUR
100+0.98 EUR
200+0.88 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6433XTMA1Infineon
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.97 EUR
10+2.53 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.25 EUR
2000+1.17 EUR
4000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+1.62 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
auf Bestellung 6023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 26655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+1.62 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.3 EUR
10000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.06 EUR
10+2.59 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
auf Bestellung 6023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.75 EUR
83+2.81 EUR
122+1.76 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 116000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.69 EUR
2000+1.57 EUR
3000+1.5 EUR
5000+1.44 EUR
7000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 116000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.3 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6906XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3
auf Bestellung 7555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+3.31 EUR
100+2.26 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.55 EUR
5000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.32 EUR
100+2.27 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.76 EUR
229+1.01 EUR
278+0.77 EUR
355+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1930+0.33 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1930 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 120mA; 1.8W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.12A
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 30Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 3.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
auf Bestellung 4412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.33 EUR
204+0.84 EUR
206+0.82 EUR
208+0.79 EUR
293+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.39 EUR
2000+0.35 EUR
3000+0.31 EUR
5000+0.29 EUR
7000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 2917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.07 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.38 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
3000+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
7000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.76 EUR
229+1.01 EUR
278+0.77 EUR
355+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.39 EUR
2000+0.35 EUR
3000+0.32 EUR
5000+0.3 EUR
7000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.33 EUR
204+0.82 EUR
206+0.79 EUR
208+0.75 EUR
293+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.4 EUR
2000+0.35 EUR
3000+0.32 EUR
5000+0.29 EUR
7000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135L6433Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135L6906Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135L6906INF
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP14-3KPanduitTerminals Butt Splice, premium nylon insulated, 18 - 14 AWG
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP14-3KPanduitSplice Terminal 14-18AWG Copper Blue 24.4mm T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP14-3KPanduit CorpDescription: CONN SPLICE 14-18 AWG CRIMP
Number of Wire Entries: 2
Termination: Crimp
Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings
Insulation: Fully Insulated
Wire Gauge: 14-18 AWG
Color: Blue
Features: Brazed Seam
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
18+1.23 EUR
25+1.19 EUR
50+1.17 EUR
100+1.13 EUR
250+1.11 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP14-3KPanduitSplice Terminal 14-18AWG Copper Blue 24.4mm T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP14-3KPanduit CorpDescription: CONN SPLICE 14-18 AWG CRIMP
Number of Wire Entries: 2
Termination: Crimp
Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings
Insulation: Fully Insulated
Wire Gauge: 14-18 AWG
Color: Blue
Features: Brazed Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP145PH09+
auf Bestellung 12618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149Infineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Depletion MOSFETs (60 V to 600 V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149TECH PUBLICMOSFET N-CH 200V 1,0A SOT-223-4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 E6906Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 E6906Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 H6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 140mA SOT-223-3
auf Bestellung 1679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.26 EUR
100+1.56 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.02 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 53751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
757+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
10000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 757 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 L6327Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Id = 660 мА, Ptot, Вт = 1,8, Udss, В = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 5, Rds = 1,8 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 400 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
757+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 757 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 L6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 L6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149E6327
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149E6327InfineonТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327InfineonBSP149H6327 BSP149 H6327 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223-4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.65 EUR
104+1.62 EUR
156+1.04 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.77 EUR
2000+0.68 EUR
3000+0.64 EUR
5000+0.61 EUR
7000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
95+2.46 EUR
114+1.88 EUR
200+1.5 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1InfineonBSP149H6327XTSA1 BSP149 H6327 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223-4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1
Produktcode: 218518
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.68 EUR
156+1.09 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.94 EUR
115+1.5 EUR
160+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.9 EUR
2000+0.83 EUR
3000+0.8 EUR
5000+0.75 EUR
7000+0.73 EUR
10000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.53A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 660 мА, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 5 В, Rds = 1,8 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 400 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.94 EUR
115+1.46 EUR
160+1.01 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.3 EUR
200+1.67 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.77 EUR
2000+0.67 EUR
3000+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
7000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1InfineonBSP149H6327XTSA1 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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434+1.5 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.2 EUR
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BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
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BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 140mA SOT-223-3
auf Bestellung 8 Stücke:
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10+2.26 EUR
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500+1.32 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.05 EUR
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BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP149H6906XTSA1
Produktcode: 218935
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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434+1.5 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.2 EUR
10000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 434 Stücke
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BSP149L6327InfineonMOSFET N-Ch 200V 0.66A, TO-261AA Транзистори
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BSP149L6327ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP149L6327 - BSP149 60V-600V N-CHANNEL DEPLETION MOD
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1910 Stücke:
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667+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 667 Stücke
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BSP149L6327Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
545+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 545 Stücke
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BSP149L6327BSP149L6327 Транзисторы MOS FET Small Signal
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BSP149L6327
Produktcode: 36908
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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BSP149L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP149L6327HTSA1InfineonТранзистори
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BSP149L6327XTInfineonТранзистори
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BSP149L6906Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 34268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
770+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
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BSP149L6906HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP149L6906HTSA1 - BSP149 60V-600V N-CHANNEL DEPLETION MOD
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 117202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149L6906HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 122202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
729+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
10000+0.71 EUR
100000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 729 Stücke
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BSP149L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 122202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
525+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 525 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP15PHILIPS07+ SOT223
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP152PH09+
auf Bestellung 15018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP15AEQUATOR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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