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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.48 EUR
30+9.06 EUR
120+7.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+15.55 EUR
50+10.15 EUR
100+9 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA75R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 13.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 500 V
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.39 EUR
30+10.17 EUR
60+9.32 EUR
120+8.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.09 EUR
10+9.17 EUR
100+8.46 EUR
480+8.44 EUR
1200+8.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.2 EUR
10+8.19 EUR
100+6.89 EUR
480+6.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.97 EUR
17+14.16 EUR
100+7.39 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.32 EUR
30+7.08 EUR
120+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.2 EUR
30+5.78 EUR
120+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.73 EUR
10+6.66 EUR
100+5.55 EUR
480+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA75R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.97 EUR
32+7.4 EUR
100+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.65 EUR
10+56.77 EUR
100+52.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R012M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 129A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 57A, 18V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.89 EUR
30+31.32 EUR
120+27.48 EUR
510+27.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R012M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.96 EUR
10+31.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R017M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 97A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 382W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.77 EUR
30+22.36 EUR
120+19.42 EUR
510+18.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R017M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.62 EUR
10+27.17 EUR
100+23.61 EUR
480+22.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.38 EUR
10+22.98 EUR
100+19.85 EUR
480+18.49 EUR
1200+17.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R022M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZC120R022M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+46.91 EUR
7+38.45 EUR
10+30.71 EUR
50+27.5 EUR
100+24.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 18V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.85 EUR
30+22.1 EUR
120+19.09 EUR
510+16.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R026M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 289W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+38.39 EUR
8+30.65 EUR
10+24.1 EUR
50+22.75 EUR
100+21.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.76 EUR
10+19.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R034M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R034M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 55A TO247
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.01 EUR
30+13.8 EUR
120+11.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.18 EUR
30+13.84 EUR
60+12.73 EUR
120+11.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.5 EUR
10+11.65 EUR
100+10.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R053M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.3 EUR
10+10.78 EUR
100+9.13 EUR
480+9.12 EUR
1200+8.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R053M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 38A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.89 EUR
30+9.95 EUR
120+8.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R078M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.57 EUR
10+9.48 EUR
100+8 EUR
480+7.98 EUR
1200+7.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC140R011M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R011M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 69.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 21.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 1000 V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.22 EUR
30+32.26 EUR
60+30.13 EUR
120+28.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC140R011M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.11 EUR
10+41.72 EUR
100+34.58 EUR
480+33.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC140R019M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.32 EUR
10+20 EUR
100+17.3 EUR
480+16.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC140R019M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R019M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 1000 V
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.86 EUR
30+20.33 EUR
60+18.84 EUR
120+17.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC140R024M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R024M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 1000 V
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.42 EUR
30+17.36 EUR
60+16.04 EUR
120+14.93 EUR
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IMZC140R024M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.96 EUR
10+17.06 EUR
100+15.37 EUR
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IMZC140R029M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.16 EUR
10+15.24 EUR
100+13.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC140R038M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R038M2HXKSA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20.4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.68 EUR
30+13.58 EUR
120+11.59 EUR
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IMZC140R038M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.62 EUR
10+15.12 EUR
100+12.73 EUR
480+11.63 EUR
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IMZC9851BTSOP
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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