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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IMZA75R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.97 EUR
32+7.4 EUR
100+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+81.6 EUR
10+69.59 EUR
100+57.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+85.13 EUR
30+56.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R012M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 129A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 57A, 18V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.89 EUR
30+31.32 EUR
120+27.48 EUR
510+27.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R012M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.96 EUR
10+31.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R017M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 97A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 382W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.77 EUR
30+22.36 EUR
120+19.42 EUR
510+18.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R017M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.85 EUR
10+27.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R022M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZC120R022M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+46.91 EUR
7+38.45 EUR
10+30.71 EUR
50+27.5 EUR
100+24.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 18V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.85 EUR
30+22.1 EUR
120+19.09 EUR
510+16.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.06 EUR
10+19.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R026M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 289W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+38.39 EUR
8+30.65 EUR
10+24.1 EUR
50+22.75 EUR
100+21.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.76 EUR
10+19.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R034M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 55A TO247
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.01 EUR
30+13.8 EUR
120+11.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R034M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.5 EUR
10+11.65 EUR
100+10.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.25 EUR
30+12.69 EUR
120+10.82 EUR
510+9.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R053M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.3 EUR
10+10.78 EUR
100+9.13 EUR
480+9.12 EUR
1200+8.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R053M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 38A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.89 EUR
30+9.95 EUR
120+8.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC120R078M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.57 EUR
10+9.48 EUR
100+8 EUR
480+7.98 EUR
1200+7.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC140R011M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R011M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 69.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 21.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC140R019M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.19 EUR
10+23.35 EUR
100+20.21 EUR
480+18.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC140R019M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R019M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 1000 V
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.33 EUR
30+20 EUR
120+17.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC140R024M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R024M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 1000 V
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.98 EUR
30+17.09 EUR
120+14.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC140R024M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.2 EUR
10+19.96 EUR
100+17.17 EUR
480+15.12 EUR
1200+14.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC140R029M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.7 EUR
10+17.8 EUR
100+15.24 EUR
480+13.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC140R038M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.78 EUR
10+15.62 EUR
100+13.32 EUR
480+11.63 EUR
1200+10.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC140R038M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R038M2HXKSA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20.4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.98 EUR
30+11.94 EUR
120+10.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZC9851BTSOP
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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