Produkte > MJD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| MJD127T4G | HXY MOSFET | Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MJD127T4G | onsemi | Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP | auf Bestellung 8927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD127T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD127T4G************* | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD127T4G-JSM | JSMicro Semiconductor | Transistor Darlington PNP; 12000; 20W; 100V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G JSMICRO TMJD127 JSM Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MJD127T4G-JSM | JSMicro Semiconductor | Transistor Darlington PNP; 12000; 20W; 100V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G JSMICRO TMJD127 JSM Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MJD127T4GOS | onsemi | Darlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD127TF | ON Semiconductor / Fairchild | Darlington Transistors PNP Si Transistor Darlington | auf Bestellung 7163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD127TF | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD127TF | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD127Т4 Produktcode: 26825
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MJD128 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD128 | onsemi | Darlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 120V TR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD128T4 | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1.75 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD128T4 | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD128T4G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1.75 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 5mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD128T4G | onsemi | Darlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR | auf Bestellung 3496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD128T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD128T4G | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD128T4G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK Power - Max: 1.75 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 5mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 9990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD128T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD13003 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD13003A | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD13003C | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD13005 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD13005T4G | auf Bestellung 52900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD148 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD148-QJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD148-QJ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK Qualification: AEC-Q100 Power - Max: 1.6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Grade: Automotive Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD148-QJ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD148-QJ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT428 45V 4A NPN HI PWR BJT | auf Bestellung 1994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD148-QJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD148-QJ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK Qualification: AEC-Q100 Power - Max: 1.6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Grade: Automotive Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2082 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD148J | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD148J | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD148J | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1.6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK | auf Bestellung 6049 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD148J | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT428 45V 4A NPN HI PWR BJT | auf Bestellung 1964 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD148J | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4A Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD148J | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK Power - Max: 1.6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD148T4 | onsemi | Description: TRANS POWER NPN 4A 45V DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 20 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD148T4 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD148T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD148T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.75 W | auf Bestellung 277500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD148T4G | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD148T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN | auf Bestellung 2295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD148T4G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 4A; 20W; DPAK Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 85...375 Kind of package: reel; tape Case: DPAK Frequency: 3MHz Collector current: 4A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 45V Power dissipation: 20W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD148T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD148T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK Power - Max: 1.75 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 278962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD148T4G************* | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD18002D2 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD18002D2T4 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD18002D2T4 | On Semiconductor | NPN, Uкэ=1000V, Iк=2A, h21=4...25, 13МГц, 50Вт, DPAK (SMD) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD18002D2T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 2A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD18002D2T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 2A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD18002D2T4G | auf Bestellung 52900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD18004D2T4G | auf Bestellung 52900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD20 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD200 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD200 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD200 | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD200 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD200-001 | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD200-1 | auf Bestellung 1782 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD200G | ON | 07+; | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD200G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W | auf Bestellung 23020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD200G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN | auf Bestellung 7909 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD200G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD200G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD200RLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD200RLG | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1.4 W Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 65MHz | auf Bestellung 4539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD200RLG | ON | TO252 | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD200RLG | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W | auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD200RLG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN | auf Bestellung 6225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD200T4 | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD200T4 | STM | TO-252 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD200T4 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD200T4 | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD200T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN | auf Bestellung 7172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD200T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD200T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK Power - Max: 1.4 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 65MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD200T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD200T4G Produktcode: 132801
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MJD200T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD200T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD200T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK Power - Max: 1.4 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 65MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD200T4G | ON Semiconductor | auf Bestellung 6030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MJD200T4G************* | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD200T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD2055T4 | auf Bestellung 6200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD210 | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD210 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD210 | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD210-1 | auf Bestellung 2072 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD210-TF | SAMSUNG | SOT-252 | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD210G Produktcode: 62981
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MJD210G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP | auf Bestellung 1124 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD210G | On Semiconductor | TRANS POWER PNP 5A 25V DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD210G | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W | auf Bestellung 16280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD210G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD210G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
