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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MJD127T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Power dissipation: 20W
Type of transistor: PNP
Case: DPAK
Collector current: 8A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+1.54 EUR
74+1.17 EUR
87+0.99 EUR
103+0.83 EUR
128+0.67 EUR
147+0.58 EUR
200+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G
Produktcode: 180192
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 3058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2 EUR
87+1.84 EUR
100+1.77 EUR
250+1.69 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G*************
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G-JSMJSMicro SemiconductorTransistor Darlington PNP; 12000; 20W; 100V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G JSMICRO TMJD127 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G-JSMJSMicro SemiconductorTransistor Darlington PNP; 12000; 20W; 100V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G JSMICRO TMJD127 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GOSonsemiDarlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors PNP Si Transistor Darlington
auf Bestellung 7163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127Т4
Produktcode: 26825
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128onsemiDarlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 120V TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.89 EUR
100+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
12+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.76 EUR
5000+0.71 EUR
7500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4G
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD13003
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD13003A
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD13003C
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD13005
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD13005T4G
auf Bestellung 52900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+1.33 EUR
227+1.02 EUR
350+0.61 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Qualification: AEC-Q100
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
24+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNexperiaTrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 45V 4A NPN HI PWR BJT
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.35 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+1.33 EUR
227+1.02 EUR
350+0.61 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Qualification: AEC-Q100
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNexperiaTrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 45V 4A NPN HI PWR BJT
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.29 EUR
274+0.84 EUR
400+0.54 EUR
513+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
auf Bestellung 6049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
244+0.95 EUR
367+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4onsemiDescription: TRANS POWER NPN 4A 45V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 278962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
16+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 4A; 20W; DPAK
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 85...375
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 3MHz
Collector current: 4A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 20W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD148T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN
auf Bestellung 2295 Stücke:
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2+2.2 EUR
10+1.37 EUR
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500+0.7 EUR
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2500+0.54 EUR
5000+0.51 EUR
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MJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 277500 Stücke:
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2500+0.57 EUR
5000+0.52 EUR
7500+0.5 EUR
12500+0.48 EUR
17500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD148T4G
auf Bestellung 4500 Stücke:
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MJD148T4G*************
auf Bestellung 17500 Stücke:
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MJD18002D2
auf Bestellung 18000 Stücke:
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MJD18002D2T4On SemiconductorNPN, Uкэ=1000V, Iк=2A, h21=4...25, 13МГц, 50Вт, DPAK (SMD) Транзистори
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MJD18002D2T4
auf Bestellung 1000 Stücke:
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MJD18002D2T4GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A DPAK
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MJD18002D2T4GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A DPAK
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MJD18002D2T4G
auf Bestellung 52900 Stücke:
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MJD18004D2T4G
auf Bestellung 52900 Stücke:
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MJD20
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MJD200Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJD200ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
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MJD200onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
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MJD200
auf Bestellung 30000 Stücke:
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MJD200-001
auf Bestellung 99 Stücke:
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MJD200-1
auf Bestellung 1782 Stücke:
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MJD200GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
auf Bestellung 7909 Stücke:
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5+0.77 EUR
10+0.76 EUR
75+0.52 EUR
525+0.48 EUR
1050+0.43 EUR
2700+0.4 EUR
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MJD200GON07+;
auf Bestellung 215 Stücke:
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MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD200GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 23020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
5000+0.44 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.2 EUR
163+1.02 EUR
212+0.75 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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MJD200RLGONTO252
auf Bestellung 118 Stücke:
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MJD200RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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MJD200RLGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.52 EUR
3600+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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MJD200RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
auf Bestellung 17220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.52 EUR
1800+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD200RLGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.4 W
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
auf Bestellung 4539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MJD200T4ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1202+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1202 Stücke
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MJD200T4onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
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MJD200T4ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
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MJD200T4STMTO-252
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD200T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.8 EUR
218+1.07 EUR
379+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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MJD200T4GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
21+1.01 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
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MJD200T4GON Semiconductor
auf Bestellung 6030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD200T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.8 EUR
218+1.07 EUR
379+0.57 EUR
500+0.48 EUR
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Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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MJD200T4GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD200T4G
Produktcode: 132801
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MJD200T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
auf Bestellung 7919 Stücke:
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2+1.73 EUR
10+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD200T4G*************
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD200T5GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
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MJD2055T4
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD210FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD210onsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
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MJD210onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
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MJD210-1
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD210-TFSAMSUNGSOT-252
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD210GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 5812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
75+0.76 EUR
150+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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MJD210GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
auf Bestellung 2051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.98 EUR
10+0.76 EUR
75+0.68 EUR
525+0.63 EUR
1050+0.56 EUR
2700+0.5 EUR
5400+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD210GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.39 EUR
272+0.86 EUR
307+0.7 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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MJD210G
Produktcode: 62981
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