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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTTFS4985NFTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.2 EUR
172+0.98 EUR
174+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
340+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 340 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTWGON Semiconductor
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C025NTAGonsemiDescription: NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
10+2.32 EUR
100+1.81 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C025NTAGonsemiDescription: NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C025NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02Nonsemionsemi AFSM T6 30V NCH U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.51 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 30V NCH U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1285+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
auf Bestellung 4164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAG
Produktcode: 222056
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1285+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 164A; Idm: 663A; 2.5W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 663A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 4559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.63 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET 30V 75A 3.6 mOhm Single N-Channel u8FL
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.86 EUR
100+0.6 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.48 EUR
1500+0.37 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
21+1.01 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTWGON Semiconductor
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTWGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 75A 3.6 mOhm Single N-Channel u8FL
auf Bestellung 19964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+2.2 EUR
100+1.71 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.08 EUR
2500+1.05 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.06 EUR
10000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
10+2.34 EUR
100+1.82 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 166A; 31W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 166A
Power dissipation: 31W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.56 EUR
204+1.14 EUR
301+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 2641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.65 EUR
10+1.04 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.4 EUR
1500+0.37 EUR
24000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.56 EUR
204+1.14 EUR
301+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTWGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 2622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+1.73 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+1 EUR
100+0.73 EUR
500+0.61 EUR
1500+0.51 EUR
3000+0.43 EUR
9000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C08NTAG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.81 EUR
235+0.71 EUR
236+0.69 EUR
245+0.63 EUR
254+0.58 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
auf Bestellung 5133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.74 EUR
236+0.73 EUR
245+0.69 EUR
254+0.64 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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NTTFS4C08NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.37 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
auf Bestellung 3168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.5 EUR
100+0.95 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.43 EUR
1500+0.38 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 35127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2317+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2317+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTWGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 44A 7.4 mOhm Single N-Channel u8FL
auf Bestellung 4995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.77 EUR
10+1.45 EUR
100+1.13 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.74 EUR
5000+0.7 EUR
10000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+1.07 EUR
100+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1500+0.52 EUR
3000+0.44 EUR
9000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.62 EUR
21+1.01 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTWGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.42 EUR
10+1.21 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1444 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTWGON Semiconductor
auf Bestellung 4360 Stücke:
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NTTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
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NTTFS4C13NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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NTTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
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NTTFS4C25NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
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NTTFS4C25NTAGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 27A 17 mOhm Single N-Channel u8FL
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NTTFS4C25NTWGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 27A 17 mOhm Single N-Channel u8FL
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NTTFS4C25NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4C50NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4C50NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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NTTFS4C50NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
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NTTFS4C50NTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
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NTTFS4C50NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
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NTTFS4C53NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8WDFN
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NTTFS4C53NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 35A 9.4MOH
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NTTFS4C53NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C53NTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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1500+0.95 EUR
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NTTFS4C53NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A U8FL
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NTTFS4C53NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 35A 9.4MOH
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NTTFS4C55NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
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NTTFS4C55NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOH
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NTTFS4C55NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
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353+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
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NTTFS4C55NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
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NTTFS4C55NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOH
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