Produkte > NTT

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTTFS4965NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 11782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
159+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4965NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4965NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4965NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.19 EUR
172+0.96 EUR
174+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 124330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
340+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 340 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
340+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 340 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTWGON Semiconductor
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4985NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C025NTAGonsemiDescription: NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 345000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C025NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02Nonsemionsemi AFSM T6 30V NCH U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1285+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
50+0.96 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 164A; Idm: 663A; 2.5W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 663A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1285+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAG
Produktcode: 222056
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.51 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 30V NCH U8FL
auf Bestellung 5132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+0.92 EUR
100+0.71 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
1500+0.46 EUR
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 4559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.62 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
auf Bestellung 6095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+0.77 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.4 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
auf Bestellung 3042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
50+0.79 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.42 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 174A; 33W; WDFN8
Pulsed drain current: 174A
Power dissipation: 33W
Gate charge: 14.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTWGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 75A 3.6 mOhm Single N-Channel u8FL
auf Bestellung 19964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+2.2 EUR
100+1.71 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.08 EUR
2500+1.05 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.06 EUR
10000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
10+2.34 EUR
100+1.82 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C05NTWGON Semiconductor
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.56 EUR
204+1.14 EUR
301+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 166A; 31W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 166A
Power dissipation: 31W
Gate charge: 11.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 67A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+0.79 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.4 EUR
1500+0.37 EUR
24000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.56 EUR
204+1.14 EUR
301+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
50+0.8 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTWGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 2622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+1.73 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 52A; Idm: 144A; 25.5W; WDFN8
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 25.5W
Gate charge: 18.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.55 EUR
232+0.37 EUR
265+0.32 EUR
500+0.26 EUR
1500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
auf Bestellung 5133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C08NTAG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.37 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.81 EUR
235+0.71 EUR
236+0.68 EUR
245+0.63 EUR
254+0.58 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 3220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.57 EUR
10+0.71 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
1500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.74 EUR
236+0.71 EUR
245+0.68 EUR
254+0.64 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C08NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2317+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 35127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2317+0.27 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 44A; Idm: 128A; 23.6W; WDFN8
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 23.6W
Gate charge: 18.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
auf Bestellung 2511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.61 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTWGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 44A 7.4 mOhm Single N-Channel u8FL
auf Bestellung 4995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.77 EUR
10+1.45 EUR
100+1.13 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.74 EUR
5000+0.7 EUR
10000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C10NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 10019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+0.77 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.4 EUR
1500+0.37 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 68A; 21.5W; WDFN8
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 21.5W
Gate charge: 15.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.62 EUR
21+1.01 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1444 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTWGON Semiconductor
auf Bestellung 4360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTWGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.42 EUR
10+1.21 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
20+1.06 EUR
100+0.79 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 27A 17 mOhm Single N-Channel u8FL
auf Bestellung 4839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C25NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C25NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C25NTWGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 27A 17 mOhm Single N-Channel u8FL
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C50NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.06 EUR
100+2.09 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C50NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+3.17 EUR
100+2.18 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C50NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C50NTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 558 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C50NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C53NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8WDFN
auf Bestellung 46500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
568+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 568 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS4C53NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 35A 9.4MOH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Nächste Seite >> ]