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Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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89+	2.14 EUR

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R6006KND3TL1

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 70W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 70W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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R6006KND3TL1

Description: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 70
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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R6006KND4TL1

Description: ROHM - R6006KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.8 A, 0.87 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 12.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.87ohm

auf Bestellung 3180 Stücke:

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62+	4.05 EUR
116+	2.01 EUR
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500+	0.89 EUR
1000+	0.82 EUR

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R6006KND4TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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93+	1.89 EUR
125+	1.38 EUR
164+	1.02 EUR
500+	0.82 EUR

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R6006KND4TL1

Description: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 3886 Stücke:

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7+	3.12 EUR
11+	1.98 EUR
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1000+	0.95 EUR
2000+	0.87 EUR

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R6006KND4TL1

Description: ROHM - R6006KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.8 A, 0.87 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 12.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.87ohm

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116+	2.01 EUR
174+	1.24 EUR
500+	0.89 EUR
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R6006KND4TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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R6006KND4TL1

Description: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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R6006KND4TL1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

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93+	1.89 EUR
125+	1.34 EUR
164+	0.99 EUR
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R6006KND4TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Switch

auf Bestellung 7655 Stücke:

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2+	3.06 EUR
10+	1.95 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.93 EUR
2000+	0.84 EUR
4000+	0.82 EUR

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R6006KNX

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

auf Bestellung 226 Stücke:

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98+	1.8 EUR
102+	1.69 EUR

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R6006KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

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83+	2.99 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 83 Stücke

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R6006KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 55 Stücke:

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R6006KNXC7G

MOSFETs TO220 600V 6A N-CH MOSFET

auf Bestellung 1963 Stücke:

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1+	4.96 EUR
10+	2.75 EUR
100+	2.48 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	2.05 EUR
2000+	2 EUR
5000+	1.94 EUR

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R6006KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 55 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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R6006KNXC7G

Description: ROHM - R6006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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R6006KNXC7G

Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 762 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.45 EUR
50+	3.22 EUR
100+	2.92 EUR
500+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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R6006PND3FRATL

MOSFETs TO252 600V 6A N-CH MOSFET

auf Bestellung 3765 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.9 EUR
10+	3.83 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	2.07 EUR
2500+	1.87 EUR
5000+	1.75 EUR

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R6006PND3FRATL

Description: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel

auf Bestellung 2359 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.01 EUR
10+	3.92 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.19 EUR
1000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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R6006PND3FRATL

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	4.2 EUR
56+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6006PND3FRATL

Description: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6006PND3FRATL

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	5.59 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6006PND3FRATL

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	4.2 EUR
56+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007

W.H. Brady

Black Printer Ribbon, 4.33 in W x 984 ft L, For Use with 81 Label Printer, Thermal Transfer Printers

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	593.73 EUR
3+	569.7 EUR
5+	546.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007

Brady Corporation

Description: R6000 HALO FREE RIB 1"DIA 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 4.33" x 984'

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	444.68 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007END3TL1

Description: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007END3TL1

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007END3TL1

MOSFETs Nch 600V 7A Power MOSFET. Power MOSFET R6007END3 is suitable for switching power supply.

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007END3TL1

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007END3TL1

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.49 EUR
10+	3.72 EUR
100+	2.96 EUR
500+	2.5 EUR
1000+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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R6007ENJ

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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R6007ENJTL

Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 54 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 54 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007ENJTL

Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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R6007ENJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	1.4 EUR
127+	1.36 EUR
133+	1.26 EUR
200+	1.21 EUR
1000+	1.17 EUR
2000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 125 Stücke

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R6007ENJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	3.45 EUR
69+	2.52 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 51 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007ENJTL

auf Bestellung 54 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007ENJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	3.44 EUR
69+	2.45 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 51 Stücke

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R6007ENJTL

Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS

auf Bestellung 176 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.28 EUR
10+	3.42 EUR
100+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007ENJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	4.91 EUR

Mindestbestellmenge: 64 Stücke

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R6007ENJTL
Produktcode: 190145

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R6007ENJTL

MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 297 Stücke:

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1+	5.19 EUR
10+	3.37 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.71 EUR
2000+	1.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007ENJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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R6007ENX

MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 325 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.12 EUR
10+	4 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	2.05 EUR

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R6007ENX

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

auf Bestellung 146 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.86 EUR
10+	4.36 EUR
100+	3.51 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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R6007ENXC7G

MOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET

auf Bestellung 4998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.22 EUR
10+	3.14 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.31 EUR
2000+	2.15 EUR
5000+	2.07 EUR

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R6007ENXC7G

Description: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

auf Bestellung 1996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.81 EUR
50+	2.84 EUR
100+	2.74 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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R6007JND3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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R6007JND3TL1

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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R6007JNJGTL

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	4.51 EUR
50+	3.44 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

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R6007JNJGTL

Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.78 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm

auf Bestellung 94 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 94 Stücke

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R6007JNJGTL

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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R6007JNJGTL

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	2.69 EUR
100+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 65 Stücke

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R6007JNJGTL

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 96W
Gate charge: 17.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

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R6007JNJGTL

Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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R6007JNJGTL

Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.78 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm

auf Bestellung 94 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	9.59 EUR
43+	5.47 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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R6007JNJGTL

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	2.69 EUR
100+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 65 Stücke

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R6007JNJGTL

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	4.49 EUR
51+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

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R6007JNXC7G

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

auf Bestellung 2036 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.9 EUR
10+	5.3 EUR
100+	4.34 EUR
500+	3.69 EUR
1000+	3.12 EUR
2000+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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R6007JNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	5.93 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

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R6007JNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007JNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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R6007JNXC7G

Description: ROHM - R6007JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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R6007JNXC7G

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover

auf Bestellung 1855 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.68 EUR
10+	3.39 EUR
100+	3.06 EUR
500+	2.53 EUR

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R6007KND3TL1

Description: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KND3TL1

Description: ROHM - R6007KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.62 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

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R6007KND3TL1

MOSFETs TO252 600V 7A N-CH MOSFET

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.44 EUR
10+	2.87 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.43 EUR
2500+	1.39 EUR
5000+	1.33 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KND3TL1

Description: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KND3TL1

Description: ROHM - R6007KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.62 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	5.02 EUR
78+	3 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNJTL

MOSFETs Nch 600V 7A Si MOSFET

auf Bestellung 998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.18 EUR
10+	3.28 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.75 EUR
2000+	1.74 EUR
5000+	1.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	4.91 EUR

Mindestbestellmenge: 73 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNJTL

Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS

auf Bestellung 592 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.96 EUR
10+	3.56 EUR
100+	2.86 EUR
500+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNJTL

Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNJTL

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNX

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

auf Bestellung 442 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNX

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

auf Bestellung 94 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	2.01 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNX

MOSFETs Nch 600V 7A Si MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNX

ROHM - Japan

MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6007KNX Rohm Semiconductor TR6007knx
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	8.28 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNX

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNXC7G

MOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET

auf Bestellung 1966 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.21 EUR
10+	3.36 EUR
100+	2.84 EUR
500+	2.48 EUR
1000+	2.37 EUR
2000+	2.12 EUR
5000+	2.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNXC7G

Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

auf Bestellung 945 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.56 EUR
50+	2.06 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 184 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	3.2 EUR
94+	1.84 EUR
95+	1.78 EUR
100+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 184 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	3.36 EUR
95+	1.82 EUR
100+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

auf Bestellung 184 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	3.19 EUR
94+	1.78 EUR
95+	1.7 EUR
100+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007PC

Brady Corporation

Description: R6007PC HALOGEN FREE, 4.33" X 98
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007RND3TL1

Description: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V

auf Bestellung 3012 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.59 EUR
12+	1.89 EUR
25+	1.71 EUR
100+	1.52 EUR
250+	1.43 EUR
500+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007RND3TL1

Description: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.94 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
Verlustleistung: 96W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

R6007RND3TL1

Description: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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R6007RND3TL1

Description: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.94 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
Verlustleistung: 96W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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R6007RND3TL1

MOSFETs TO252 650V 21A N-CH MOSFET

auf Bestellung 5390 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.7 EUR
10+	1.73 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.44 EUR
2500+	1.38 EUR
5000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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R6008

Brady Corporation

Description: R-6008HF 174MMX300M /O
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Printers
Accessory Type: Ribbon
Specifications: Black

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R6008-00

Harwin Inc.

Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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R6008-00

Harwin

Standoffs & Spacers 8.0 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER

auf Bestellung 1044 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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R6008ANJ

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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R6008ANJTL

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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R6008ANX

Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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R6008ANX

Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	2.2 EUR
100+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 79 Stücke

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R6008ANX

Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

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4+	5.68 EUR
10+	5.11 EUR
100+	4.11 EUR
500+	3.37 EUR
1000+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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R6008ANX