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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RN1101,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 8939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
81+0.26 EUR
121+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101,LXHF(CT
Produktcode: 191959
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101/XA
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101FTOS10 SOT-523
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101FSTOSHIBA09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101FTTOS10 SOT-723
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101FT 4000TOS04+ SOT523
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
auf Bestellung 2408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101MFV,L3F(CTToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
auf Bestellung 13851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3732+0.046 EUR
3760+0.045 EUR
8000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3732 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1101MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
725+0.35 EUR
1124+0.2 EUR
1938+0.11 EUR
2942+0.073 EUR
3718+0.057 EUR
5000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 15250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
113+0.19 EUR
182+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
2000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101MFV,L3F(CTToshibaDigital Transistors 4.7kohm/4.7kohm 0.1A SOT-723 50V
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.065 EUR
5000+0.05 EUR
8000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1101MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
725+0.35 EUR
1124+0.2 EUR
1938+0.11 EUR
2942+0.073 EUR
3718+0.057 EUR
5000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
69+0.31 EUR
111+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.088 EUR
16000+0.08 EUR
24000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1101TE85L(XA)
auf Bestellung 375000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102ToshibaDigital Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102TOSHIBASOT-523
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102(TE85L,F)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102,LF(CBToshibaRN1102,LF(CB
auf Bestellung 4170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2977+0.058 EUR
3068+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 2977 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102,LF(CBToshibaRN1102,LF(CB
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 17201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
13+0.27 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.09 EUR
6000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 48445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
622+0.4 EUR
953+0.24 EUR
1924+0.11 EUR
2273+0.094 EUR
3704+0.058 EUR
5000+0.049 EUR
10000+0.037 EUR
25000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 622 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 48445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
491+0.51 EUR
820+0.29 EUR
1493+0.14 EUR
1755+0.12 EUR
3704+0.058 EUR
5000+0.049 EUR
10000+0.04 EUR
25000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 491 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 5805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
49+0.43 EUR
100+0.21 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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RN1102/XB
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN1102ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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RN1102ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
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RN1102CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
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RN1102CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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RN1102FTOS10 SOT-523
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN1102FS
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN1102FTTOS10 SOT-723
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN1102FT/XB
auf Bestellung 8749 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN1102FVTOSHIBA09+
auf Bestellung 7018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN1102MFV(TL3,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN VESM
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RN1102MFV(TL3,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN VESM
auf Bestellung 6679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN1102MFV(TL3,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN VESM
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RN1102MFV(TL3TTOS
auf Bestellung 16 Stücke:
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RN1102MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 10K x 10Kohms
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 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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RN1102MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 25459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
86+0.25 EUR
138+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
2000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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RN1102MFV,L3FToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1303+0.13 EUR
1780+0.094 EUR
2263+0.073 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1303 Stücke
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RN1102MFV,L3FToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
497+0.35 EUR
876+0.19 EUR
885+0.18 EUR
1303+0.12 EUR
1316+0.11 EUR
1780+0.08 EUR
2263+0.061 EUR
3000+0.054 EUR
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 497 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.069 EUR
16000+0.062 EUR
24000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102MFV,L3FToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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RN1102MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 6100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102MFV,L3FToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102MFV,L3F(CBToshibaRN1102MFV,L3F(CB
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4150+0.042 EUR
5000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102MFV,L3F(CBToshibaRN1102MFV,L3F(CB
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1102MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 42858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
503+0.5 EUR
618+0.38 EUR
1467+0.14 EUR
1880+0.11 EUR
2381+0.09 EUR
5000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1102MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 42858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
503+0.5 EUR
618+0.38 EUR
1467+0.14 EUR
1880+0.11 EUR
2381+0.09 EUR
5000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102MFV,L3F(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
49+0.43 EUR
100+0.21 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
auf Bestellung 5452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
11+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102TE85L(XB)
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103TOS
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103(TE85L,F)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103,LF(CBToshibaRN1103,LF(CB
auf Bestellung 4384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1954+0.089 EUR
2500+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 1954 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
58+0.36 EUR
110+0.19 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1238+0.14 EUR
1695+0.1 EUR
1927+0.087 EUR
2248+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 1238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built- in Transistor
auf Bestellung 5639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.32 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.082 EUR
3000+0.071 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
10+0.44 EUR
100+0.25 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103FTOS10 SOT-523
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103F-TPL3
auf Bestellung 13538 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103FS
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103FTTOS10 SOT-723
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 100mA 50volts 3Pin 22K x 22Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
auf Bestellung 15680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
auf Bestellung 15680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
60+0.36 EUR
110+0.19 EUR
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RN1103MFV,L3F(CTToshibaDigital Transistors 22kohm 22kohm 0.1A SOT-723 50V
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RN1103MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
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RN1103MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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RN1104(TE85L,F)TOSHIBASOT23
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