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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIA447DJ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 5740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
348+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 348 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 4537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.89 EUR
307+0.57 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA447DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
auf Bestellung 10704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
23+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1425+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 5742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.43 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA447DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA447DJ-T1-GE3
Produktcode: 188286
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA448DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA448DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
auf Bestellung 12723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA448DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
auf Bestellung 12723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA448DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 12A 19.2W 15mohm @ 4.5V
auf Bestellung 3699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA449DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 8430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.86 EUR
10+0.74 EUR
100+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA449DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.31 EUR
15000+0.29 EUR
30000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA449DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA449DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA449DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V
auf Bestellung 51600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA450DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA450DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA450DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA450DJ-T1-E3
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA450DJ-T1-GE3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA450DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA453EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
auf Bestellung 7362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA453EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA453EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
auf Bestellung 7362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA453EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V .0185ohm@-10V -24A P-Ch T-FET
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA456DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA456DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.69 EUR
6000+0.64 EUR
9000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA456DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA456DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.38 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA456DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 262-266 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.43 EUR
100+1.12 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.9 EUR
6000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA456DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
auf Bestellung 21443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
13+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA456DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.38 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA456DJ-T3-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 4996 Stücke:
Lieferzeit 740-744 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.63 EUR
100+1.27 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA456DJ-T3-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA456DJ-T3-GE3VishayN-Channel 200 V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA459EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA459EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA459EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 48135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA459EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
auf Bestellung 16938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
28+0.76 EUR
100+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA459EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 115234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+1.02 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.39 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA461DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA461DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.033 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 17.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 13405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA461DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA461DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 13430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.64 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA461DJ-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
auf Bestellung 11690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA461DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA461DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.033 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA461DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
auf Bestellung 1446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
27+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA462DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA462DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA462DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.018 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 4913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA462DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
auf Bestellung 8047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
32+0.67 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA462DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 4754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA462DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA462DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 19630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA462DJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA465EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA465EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 54456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.93 EUR
100+0.73 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
426+0.42 EUR
432+0.39 EUR
433+0.36 EUR
434+0.35 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 426 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
23+0.94 EUR
100+0.73 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
411+0.43 EUR
413+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 411 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA467EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA467EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -12V .013Ohm@4.5V 31A P-Ch G-III
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA467EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA468DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA468DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 78661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.25 EUR
10+1.07 EUR
100+0.8 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA468DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V
auf Bestellung 3023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
18+1.19 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA469DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
auf Bestellung 5695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
527+0.33 EUR
530+0.32 EUR
628+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 527 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA469DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
auf Bestellung 15480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA469DJ-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15, Qg, нКл = 15, Rds = 26,5 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 15,6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SC70-6L Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 23 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA469DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA469DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA469DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
auf Bestellung 15480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA469DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA469DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
auf Bestellung 100872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA469DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 73228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
33+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA471DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA471DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 21767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
30+0.7 EUR
100+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA471DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 3549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.38 EUR
496+0.35 EUR
501+0.33 EUR
515+0.32 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA471DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA471DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L
auf Bestellung 136553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA471DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 19.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 16210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA471DJ-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 250 мкА, Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15, Qg, нКл = 27.8, Rds = 14 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 19.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC70-6L Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA471DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.39 EUR
6000+0.38 EUR
15000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA471DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA471DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 3549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+0.4 EUR
451+0.38 EUR
455+0.36 EUR
496+0.32 EUR
501+0.3 EUR
515+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA471DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 16210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA471DJ-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA471DJGE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA472EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA477EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA477EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch
auf Bestellung 55829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.12 EUR
10+0.83 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA477EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA477EDJT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L
auf Bestellung 55957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.39 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA477EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
30+0.7 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA477EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA483ADJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 17.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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