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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK35E10K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N.04.2,00.S.170.RTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 6.4mm; 8mm; Min.pitch: 2.54mm; 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 04
Contact plating: rhodium plated
Related items: TK35N
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Operational spring compression: 6.4mm
Maksimum spring compression: 8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N.07.1,30.S.170.RTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 6.4mm; 8mm; Min.pitch: 2.54mm; 3A
Contact plating: rhodium plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Related items: TK35N
Tip diameter: 1.3mm
Minimum pitch: 2.54mm
Operational spring compression: 6.4mm
Maksimum spring compression: 8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Blade tip shape: head 07; serrated
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N.07.2,00.S.170.RTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 6.4mm; 8mm; Min.pitch: 2.54mm; 3A
Contact plating: rhodium plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Related items: TK35N
Tip diameter: 2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Operational spring compression: 6.4mm
Maksimum spring compression: 8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Blade tip shape: head 07; serrated
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65W,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.88 EUR
10+14.74 EUR
120+12.29 EUR
510+10.95 EUR
1020+10.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 270W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.97 EUR
16+14.97 EUR
19+11.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65W,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65W5ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65W5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.55 EUR
30+10.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65W5,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.91 EUR
10+17.05 EUR
120+14.22 EUR
510+12.67 EUR
1020+11.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65W5,S1F(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65W5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+16.65 EUR
50+11.78 EUR
100+11.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65W5S1F(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65WS1F(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35N65WS1F(S-XToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.42 EUR
100+1.63 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK35S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3640448(P3640448)PROFEC
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK36L.05.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 05; round
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Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.5mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.4 EUR
22+3.92 EUR
24+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK36L.08.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
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Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.5mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 08
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK36L.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
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Operational spring compression: 5mm
Tip diameter: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Minimum pitch: 4mm
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.63 EUR
21+4.24 EUR
30+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK36L.10.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Contact plating: gold-plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.5mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
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auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK36L.13.1,80.S.170.ATEKONCategory: Test Probes
Description: Test acces: test needle; 3A; Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Related items: TK36L
Current rating: 3A
Operational spring compression: 5mm
Tip diameter: 1.8mm
Blade tip shape: cone; head 13; sharp
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.15 EUR
23+3.8 EUR
25+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK36N.08.3,00.S.170.ATEKONCategory: Test Probes
Description: Test acces: test needle; 5A; Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 08
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 5.6mm
Contact material: steel
Current rating: 5A
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auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK36N.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.6mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 5.6mm
Contact material: steel
Current rating: 5A
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Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Minimum pitch: 4mm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK36N.11.1,80.S.170.NTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.6mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: nickel plated
Tip diameter: 1.8mm
Blade tip shape: head 11
Max. contact resistance:: 10mΩ
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auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK36SCR.02.3,00.S.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.3mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Mounting: screw-in
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Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 3mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Blade tip shape: 4-point; crown; head 02
Contact material: steel
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.54 EUR
12+7.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK36SCR.05.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.3mm; Min.pitch: 4mm; 10A
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 5.3mm
Mounting: screw-in
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Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 05; round
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK36SCR.09.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.3mm; Min.pitch: 4mm; 10A
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Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Contact material: CuBe
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 2.3mm
Operational spring compression: 4mm
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK36SCR.10.1,40.S.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.3mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Mounting: screw-in
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Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 1.4mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Contact material: steel
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3701X-EBG
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3701Y-EBG-LFTEKNOVUS2005
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK370A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK370A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.88 EUR
42+5.64 EUR
100+3.77 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3711-EBG-LFTEKNOVUSOOBGA
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3711X-EBG-LETEKNOVUS0037+
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3713A-EEQ-LFTEKNDVUS08+ SOT23
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3714A-EEQ-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3714A-EEQ-LFG-KOBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3714A-ETG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU TFBGA W/FE
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3715A-EEQ-LF6
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3715A-EEQ-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3715A EPON ONU ASIC LEAD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3715A-EEQ-LFGTEKNOVUS04+ QFP
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3721-EBG-LFTEKNOVUS0548+ BGA
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3723B-HG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3723B EPON OLT ASIC LEA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3723B-HG-LFG
auf Bestellung 140 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3723B-HG-PBG
auf Bestellung 49 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK3723C-HG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC EPON OLT ASIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK372GInterlightDescription: Replacement for Kenwood TK372G R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK372G
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK37N.05.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.8mm; Min.pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 5.8mm
Related items: TK37N
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 2.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 05; round
Minimum pitch: 4.5mm
Type of test accessories: test needle
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK37N.06.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.8mm; Min.pitch: 4.5mm
Contact material: brass
Blade tip shape: cone; head 06
Contact plating: gold-plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Operational spring compression: 4.5mm
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Related items: TK37N
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.68 EUR
21+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK37N.09.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.8mm; Min.pitch: 4.5mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 5.8mm
Contact material: brass
Current rating: 3A
Related items: TK37N
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Minimum pitch: 4.5mm
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.9 EUR
20+4.36 EUR
25+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK37N.10.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.8mm; Min.pitch: 4.5mm
Related items: TK37N
Contact material: brass
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Contact plating: gold-plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.4 EUR
22+3.92 EUR
25+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A60Y,S4XToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A60Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 53500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+2.18 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
10000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A60Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+2.18 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
69+3.39 EUR
100+2.38 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A60YS4X(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A65Y,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.26 EUR
50+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A65Y,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A65Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.34 EUR
10000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380A65Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.32 EUR
10+2.76 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P60Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+3.71 EUR
100+2.56 EUR
500+2.14 EUR
1000+2 EUR
2000+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P60Y,RQ(SToshiba0
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.73 EUR
106+1.62 EUR
250+1.52 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
73+3.18 EUR
100+2.23 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P60Y,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.59 EUR
101+1.7 EUR
109+1.55 EUR
200+1.27 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P60Y,RQ(SToshiba0
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.39 EUR
80+2.14 EUR
100+1.71 EUR
200+1.57 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
73+3.18 EUR
100+2.23 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P65Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.76 EUR
10+3.06 EUR
100+2.08 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK380P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2000 Stücke:
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89+2.62 EUR
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TK380P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
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TK39A60WToshibaToshiba
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TK39A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK39A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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2+17.85 EUR
50+14.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK39A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK39A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
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1+19.04 EUR
10+18.28 EUR
50+10.89 EUR
100+10.36 EUR
500+10.09 EUR
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TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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22+8 EUR
50+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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27+6.68 EUR
29+6.05 EUR
50+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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