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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF644PBF
Produktcode: 123223
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SILITransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/68
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.07 EUR
100+1.5 EUR
500+1.28 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.52 EUR
113+1.25 EUR
127+1.07 EUR
500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.52 EUR
100+1.94 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.09 EUR
5000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.15 EUR
100+1.54 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF
Produktcode: 181182
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.11 EUR
50+3.65 EUR
100+3.32 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.3 EUR
127+1.14 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.52 EUR
47+1.53 EUR
56+1.29 EUR
100+1.2 EUR
250+1.07 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+3.49 EUR
71+2 EUR
100+1.41 EUR
500+1.19 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.64 EUR
69+2.05 EUR
100+1.44 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.6 EUR
50+3.39 EUR
100+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.06 EUR
50+2.9 EUR
100+2.74 EUR
250+2.6 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF644PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 250V, 14A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.85 EUR
10+2.59 EUR
100+2.11 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.94 EUR
2000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF644SPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SSiliconixN-MOSFET 14A 250V 125W 0.28Ω IRF644S TIRF644s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.14 EUR
39+3.62 EUR
100+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 1624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.32 EUR
10+3.59 EUR
100+3.03 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.62 EUR
2000+2.57 EUR
5000+2.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.65 EUR
90+1.61 EUR
100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.62 EUR
26+2.76 EUR
50+2.32 EUR
100+2.17 EUR
250+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.99 EUR
50+3.61 EUR
100+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.52 EUR
50+3.75 EUR
100+3.45 EUR
250+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.65 EUR
90+1.58 EUR
100+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.99 EUR
10+4.63 EUR
100+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.34 EUR
10+4.82 EUR
100+3.52 EUR
500+2.83 EUR
800+2.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF644STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
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800+2.55 EUR
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IRF644STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF644STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF644STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF645Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 265 Stücke
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IRF646onsemi / FairchildMOSFET
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IRF646H
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IRF646_R4943onsemi / FairchildMOSFET TO-220AB
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IRF647Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
197+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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IRF647HARRISIRF647
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246+2.23 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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IRF650ASamsung
auf Bestellung 15200 Stücke:
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IRF650B
Produktcode: 83092
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FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 28
Rds(on), Ohm: 0.085
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
JHGF: THT
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1+1.26 EUR
10+1.1 EUR
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IRF650B_FP001onsemi / FairchildMOSFET
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IRF654BON SemiconductorIRF654B
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268+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
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IRF654B07+
auf Bestellung 46 Stücke:
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IRF654BFairchild SemiconductorDescription: IRF654B - 21A, 250V, 0.14OHM, N-
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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214+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
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IRF654BONSEMIDescription: ONSEMI - IRF654B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 447 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 378 Stücke
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IRF654BFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
222+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
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IRF654BFP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF654BFP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 391 Stücke
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IRF654BFP001ON SemiconductorIRF654BFP001
auf Bestellung 2935 Stücke:
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278+1.97 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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IRF654B_FP001onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel B-FET
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IRF6601Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF6601IR2004
auf Bestellung 130 Stücke:
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IRF6602Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF6602
auf Bestellung 2372 Stücke:
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IRF6603International RectifierMFET N-CH 30V 28A DirectFETtm (new!!! ключ для ноутбуков) Транзистори
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IRF6603Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6603IOR2004 SC70-5
auf Bestellung 6085 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF6603TR1International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6603TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF6604Infineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6604Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6604Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6604TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6607Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6607IR
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF6607Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6607PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6607TR1Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6607TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6607TR1PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6607TRPBFIOR2007
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6608Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6608International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6608TR1IR2005
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6608TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609Infineon TechnologiesMOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609TR1Infineon / IRMOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609TR1PBFInfineon / IRMOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6609TRPBFInfineon / IRMOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC
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IRF6610Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6610TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
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IRF6610TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF6610TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6610TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6610TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6611Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6611TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
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