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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF6619Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.92 EUR
10+2.48 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6619Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4800+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6619TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.92 EUR
10+2.49 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6619TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6619TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.37 EUR
2000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6619TR1PBFIOR2006
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6619TRPBF
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6619TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620IOR2006
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620IRPBF
auf Bestellung 2570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620TR1IR0527+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620TR1PBFIR06+
auf Bestellung 10603 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0021 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45
Verlustleistung: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC
auf Bestellung 3817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+2.52 EUR
100+2.04 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.36 EUR
4800+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0021 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 89
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6620TRPBFInternational RectifierDescription: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
360+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6621Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6621PBF-6IOR2007
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6621PBF-8IOR2007
auf Bestellung 15310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6621TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6621TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6621TR1PBFIOR2006
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6621TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6621TRPBFIOR2007
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6621TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6621TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6622TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 13 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6622TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 59A (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6622TRPBF
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TR1Infineon TechnologiesMOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TR1PBFIR07+ SMD
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TRPBFInfineon TechnologiesIRF6623TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 20V 16A 7-Pin Direct-FET ST T/R Si - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 4103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
auf Bestellung 4602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.77 EUR
10+2.87 EUR
100+2.11 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
auf Bestellung 2802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.98 EUR
10+3.22 EUR
100+2.22 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 4103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TRPBFInfineon TechnologiesIRF6623TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 20V 16A 7-Pin Direct-FET ST T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 3439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.27 EUR
117+1.2 EUR
119+1.14 EUR
121+1.08 EUR
250+1.02 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.91 EUR
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6626IOR2006
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6626Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6626TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6626TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6626TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6626TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6626TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6628TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6628TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6629TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6629TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6629TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6629TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6629TRPBF
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6629TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6629TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6631IOR2006
auf Bestellung 1267 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6631TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6631TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6631TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6631TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633APBFIOR2007
auf Bestellung 14843 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633ATR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633ATR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633ATR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633ATRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MU
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633BPBFIOR2007
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633CPBFIOR2007
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633DPBFIOR2007
auf Bestellung 2502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633EPBFIOR2007
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6633TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635IOR2005
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635International RectifierMFET N-CH 30V 32A DirectFETtm Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635MDF2IOR2007
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635PBFIOR2007
auf Bestellung 3679 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635PBF-FREEZEIOR2007
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6635TR1PBFIR0812+ DirectFET-MN?
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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